杨治美
- 作品数：34 被引量：35H指数：3
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生一般工业技术更多>>
- 一种浮空p柱的槽栅超结IGBT
- 本发明提供了一种超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其耐压层中的第二导电类型的半导体区浮空并且其槽型栅极结构的底部被重掺杂的第二导电类型的半导体区包...
- 马瑶黄铭敏杨治美
- 文献传递
- 3C-SiC薄膜反向外延生长工艺的研究被引量：2
- 2015年
- 本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以甲烷CH4作为反应碳气体源,氢气H2作为稀释气体,将两者混合后,在n型Si(111)衬底上反向外延生长n型3C-SiC薄膜。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RAM)及扫描电子显微镜(SEM)对生长的3C-SiC薄膜进行测试和分析。对比在相同的反应温度下,不同的热处理方式对生长的3C-SiC薄膜质量的影响,进一步探讨SiC薄膜反向外延生长工艺的改进方法。结果表明,较慢的降温速率能够生长出质量较高的3C-SiC薄膜。
- 罗杰斯王磊杨治美龚敏
- 关键词：硅衬底
- LPCVD Si基转换生长3C-SiC薄膜的光学性质初探
- 在理论上,纯度较高、未经掺杂的间接带隙的3C-SiC半导体材料,在室温条件下是很难观察到荧光现象,但Si基上生长3C-SiC晶体薄膜一般需要较高的生长温度,在SiC-Si界面晶格失配和热膨胀系数的差异会形成大量的结构缺陷...
- 杨治美张云森廖熙杨翰飞晋勇孙小松龚敏
- 深能级瞬态谱仪样品台系统的改进
- 2021年
- 深能级瞬态谱仪能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态,经过全面的数据分析,可以确定杂质和缺陷的类型、含量、陷阱密度、随深度的分布、陷阱上载流子的激活能以及陷阱中心对自由载流子的俘获截面信息等。在使用过程中存在温度控制不理想、样品架不稳定两大问题。通过对深能级瞬态谱仪样品台系统的相关部分进行改进和改造,解决了上述问题,提高了实验的准确度,提高了实验效率,拓宽了测试样品的种类。
- 李芸马瑶杨治美赖力黄铭敏
- 关键词：实验仪器
- 6H-SiC材料与器件辐照效应的研究进展被引量：3
- 2009年
- 介绍了6H-SiC材料和器件辐照效应研究的目的和方法,并对国内外最近几年的研究情况进行了介绍、分析和总结。指出目前的研究主要集中于辐射效应方面,但在抗辐射加固技术方面研究不足,国内应根据现有条件注重辐射效应机理方面的研究。
- 牟维兵龚敏杨治美
- 一种新型硅基3C-SiC的生长方法及光谱学表征被引量：3
- 2009年
- 采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反应源气,在n-Si(111)衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体,CH4作为碳源,硅源有衬底硅来提供。利用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱分别研究3C-SiC薄膜的晶相结构、表面形貌及其光谱性质。结果表明此生长方法可以成功的成长出3C-SiC薄膜。
- 程顺昌杨治美钟玉杰何毅孙小松龚敏
- 关键词：拉曼散射光谱傅里叶变换红外光谱
- Si基“反向外延”3C-SiC单晶薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种Si基上碳往Si中扩散，并与Si反应形成Si基上“反向外延”生长的立方碳化硅(3C-SiC)单晶薄膜及其制备方法，属于Si基新型宽禁带半导体材料制作领域。该方法是采用低压化学气相沉积法，简称LPCVD，在高...
- 杨治美龚敏孙小松
- 文献传递
- SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究被引量：2
- 2021年
- 研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应,获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性,并探究了γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律。研究结果表明,栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFET性能退化的主要原因。器件的输出特性、阈值电压及工作状态受辐照剂量影响明显,经室温退火后,器件性能有一定恢复。器件静态特性随温度的变化规律不易受γ辐照影响,辐照前后其阈值电压的温度系数均约为-2.71 mV/K,表明该器件阈值电压具有较好的温度稳定性。
- 唐常钦王多为龚敏马瑶杨治美
- 关键词：总剂量效应静态特性温度特性
- 一种含有浮空区包围背面槽栅的逆导型IGBT
- 本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC‑IGBT）器件，其含有背面槽型栅极结构。所述背面槽型栅极结构与第一...
- 杨治美黄铭敏刘薇
- 文献传递
- 6H-SiC热氧化层高温漏电及红外光谱表征研究被引量：2
- 2010年
- 对6H-SiC衬底上热氧化生长的SiO2层进行了不同温度退火后的高温漏电流研究。根据SiO2层红外反射特征光谱的变化,研究了SiO2结构变化对高温I-V特性影响的机理。研究认为,可以通过低温高温两步退火工艺改善6H-SiC衬底上热氧化生长SiO2层的质量。
- 曹群牟维兵杨翰飞杨治美龚敏
- 关键词：SIC
