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楚亚萍

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇应变量
  • 2篇原状
  • 2篇圆片
  • 2篇晶圆
  • 2篇晶圆片
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇SIN
  • 1篇应变硅
  • 1篇锗硅
  • 1篇位错
  • 1篇离子注入
  • 1篇硅基
  • 1篇弛豫

机构

  • 4篇西安电子科技...

作者

  • 4篇楚亚萍
  • 3篇戴显英
  • 3篇张鹤鸣
  • 3篇郝跃
  • 2篇孙腾达
  • 2篇杨程
  • 2篇查冬
  • 1篇邓文洪
  • 1篇金国强
  • 1篇王船宝
  • 1篇奚鹏程
  • 1篇赵娴
  • 1篇董洁琼

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
本发明公开了一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)...
郝跃查冬戴显英楚亚萍孙腾达杨程张鹤鸣
文献传递
硅基应变与弛豫材料的缺陷控制方法研究
论文来源于国防973项目《硅基应变超高速集成器件及相关基础研究》及十一五武器装备预研项目《应变SiCMOS关键技术研究》。应变SiGe和应变Si以诸多优点,成为保持SiCMOS继续遵循摩尔定律发展的新材料技术。硅基应变材...
楚亚萍
关键词：应变硅位错
文献传递
一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
本发明公开了一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)...
郝跃查冬戴显英楚亚萍孙腾达杨程张鹤鸣
文献传递
锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型被引量：1
2011年
基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机理,并给出了两种控制机理极限情况下的模型.本模型不仅适用于低温锗硅/硅应变异质结材料生长的表征,也适用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料生长的表征.将模型计算值与实验结果进行了对比,无论是625℃低温下的应变SiGe的生长,还是900℃高温下的弛豫SiGe的生长,其模型误差均小于10%.
戴显英金国强董洁琼王船宝赵娴楚亚萍奚鹏程邓文洪张鹤鸣郝跃
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