武春红
- 作品数：11 被引量：19H指数：3
- 供职机构：暨南大学理工学院物理学系更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- MoO_3作空穴注入层的有机电致发光器件(英文)被引量：9
- 2010年
- 研究了三氧化钼(MoO3)薄层作为有机电致发光器件空穴注入层的器件性能和注入机制。发现1nm厚度下发光器件性能最佳,器件的最大电流效率比对比发光器件的最大电流效率提高1.6倍。器件的电容曲线表明MoO3薄层能有效提高空穴载流子的注入,多数载流子开始注入的拐点大约降低了9V。单空穴载流子电流曲线说明MoO3器件的电流注入是空间电荷受限电流注入机制,MoO3使阳极界面处形成欧姆接触,而对比器件的电流注入是陷阱电荷受限电流注入机制。器件的光伏曲线进一步说明器件性能的提高是由于MoO3层能使阳极界面能级分布发生改变,1nmMoO3厚度下器件的内建电势从对比器件的0.25V提高到了0.8V,有效降低了空穴注入势垒,提高了器件性能,但过厚的MoO3层由于增加了器件的串联内阻,会导致器件性能降低。
- 侯林涛刘彭义张靖磊武春红李艳武吴冰
- 关键词：有机电致发光三氧化钼电容测量
- 阳极/有机层界面LiF层在OLED中的空穴缓冲作用被引量：6
- 2009年
- 使用真空热蒸发镀膜法,在OLED层状结构中引入不同厚度的LiF作阳极修饰层,制备了结构为ITO/LiF/TPD/Alq3/Al的器件。LiF超薄层的引入较好地修饰了ITO表面,减少了阳极和有机层界面缺陷态的形成,增强了器件的稳定性。实验结果表明:LiF层有效地阻挡空穴注入,增强载流子注入平衡,提高了器件的亮度和效率,含有1nm厚LiF空穴缓冲层器件的性能最好,效率较不含缓冲层器件提高了近1.5倍。
- 武春红张靖磊刘彭义侯林涛
- 关键词：有机发光二极管
- 锰掺杂对PZNT相结构和机电性能的影响被引量：3
- 2009年
- 采用二步合成法制备了Pb(Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.52Ti0.48)0.80O3+xMnO2压电陶瓷,探讨了不同剂量锰掺杂对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明,在1 200℃下烧结2 h,可得到处在准同型相界附近纯钙钛矿结构的压电陶瓷;随着MnO2掺杂量的增加,试样的压电常数d33和机电耦合系数kp先增大后减小,当掺杂w(MnO2)=0.2%时,d33和kp均达到最大值,分别为250 pC/N和0.52;而介电损耗tanδ持续下降,机械品质因数Qm则持续上升。当掺杂w(MnO2)=0.5%时,tanδ达到最小值,Qm达到最大值,其值分别为0.004 6和1 434。
- 刘彭义陈亚君祝兰武春红
- 关键词：准同型相界相结构机电性能
- 电极/有机界面LiF修饰层在OLED中的双重作用
- 自有机发光二极管(OLED)报道发现以来,通过开发新材料和改变传统器件结构来提高其发光亮度、效率和寿命等特性,已成为目前研究工作的重点。由于 OLED 典型的层状结构中,电极和有机层界面之间存在一定高度的势垒,阻挡着电子...
- 张靖磊刘彭义赵健武春红
- 文献传递
- 一种三重态激子扩散长度和能量转移长度的测量方法
- 本发明提供了一种三重态激子扩散长度和能量转移长度的测量方法，包括制造主体材料层厚度各不相同的磷光有机发光二极管；在通入相同电流密度的条件下，不断更换磷光有机发光二极管，检测发光层的发射强度与空间隔离层厚度的关系，得出三重...
- 刘彭义武春红吴敬张靖磊
- 文献传递
- Nb_2O_5空穴注入层的引入对OLEDs性能的影响被引量：2
- 2008年
- 在有机发光二极管典型的层状结构中,引入磁控溅射制备Nb2O5超薄膜作空穴注入层,制备了结构为ITO/Nb2O5/TPD/Alq3/Al的器件。Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITO中In向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率。研究了不同厚度Nb2O5层对器件光电性能的影响,发现:当引入Nb2O5层厚度为2nm时,亮度提高了近2倍,效率由3.5cd/A增加到了7.8cd/A,较好地改善了器件的性能,并且性能优于含有CuPc常规注入层的器件。
- 张靖磊刘彭义侯林涛武春红周茉
- 关键词：有机发光二极管空穴注入层
- Cs2CO3共蒸阴极对有机电致发光器件性能的影响(英文)被引量：1
- 2010年
- 研究了碳酸铯(Cs2CO3)掺杂8-羟基喹啉铝(Alq3)作为电子注入层对有机电致发光器件性能的影响。结果表明,与常用的Cs2CO3超薄层作电子注入层相比,Cs2CO3∶Alq3共蒸阴极对器件效率和亮度有很大提高,器件电流效率从3.1 cd/A(Cs2CO31 nm/Al)提高到6.5 cd/A(Cs2CO33%∶Alq3/Al)。器件性能的提高归因于Cs2CO3∶Alq3共蒸阴极比单层Cs2CO3阴极具有更好的电子注入能力和电子传输性能。薄膜形貌表明,共蒸阴极能有效降低Alq3表面粗糙度,有助于提高器件发光性能及寿命。
- 侯林涛王平刘彭义张靖磊武春红李艳武吴冰
- 关键词：有机发光电子注入电子传输
- 一种三重态激子扩散长度和能量转移长度的测量方法
- 本发明提供了一种三重态激子扩散长度和能量转移长度的测量方法，包括制造主体材料层厚度各不相同的磷光有机发光二极管；在通入相同电流密度的条件下，不断更换磷光有机发光二极管，检测发光层的发射强度与空间隔离层厚度的关系，得出三重...
- 刘彭义武春红吴敬张靖磊
- 文献传递
- VO_x作空穴注入层的低启亮电压有机发光二极管
- 2009年
- 采用真空热蒸发法在ITO阳极与空穴传输层TPD之间插入VOx空穴注入层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/LiF/Al)的有机发光二极管(OLED)的发光性能明显改善。当插入VOx空穴注入层后,器件的启亮电压比没有插入VOx时的器件下降了2 V。当插入20 nm的VOx空穴注入层后,器件的驱动电压在亮度为100 cd/m2或1 000 cd/m2时均下降了3.5 V;器件的最大亮度从5808 cd/m2(14.5 V)上升至9234 cd/m2(11.5 V);器件的最大功率效率从0.88 lm/W增加到2.63 lm/W。此外,对VOx厚度分别为10,20和30 nm的三组器件进行了对比,结果显示器件性能基本一致。
- 李艳武刘彭义张靖磊武春红
- 关键词：有机发光二极管VOX空穴注入层光电性能
- C_(60)作激子阻挡层的有机发光二极管被引量：1
- 2009年
- 制备了结构为ITO/CuPc(25nm)/NPB(40nm)/Alq3(xnm)/C60(ynm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的有机发光二极管(OLEDs),研究了C60插入层对器件性能的影响。结果表明,在无C60的器件中,当Alq3层较厚时,器件的电流密度-电压(J-V)曲线右移,不利于获得高功率效率;当Alq3层较薄时,又会导致激子在LiF/Al阴极的严重淬灭。实验优化得出,在无C60的器件中,Alq3厚为45nm的器件可获得最高的功率效率。在Alq3与LiF之间插入15nmC60层后,对器件的J-V曲线几乎没有影响,但C60层阻挡了激子向阴极扩散,减少了淬灭。当在Alq3厚度为45nm的器件的Alq3和LiF间插入15nmC60层后,可使器件获得更高的功率效率,尤其是插入15nmC并将Alq厚度降至30nm,获得了最大的功率效率。
- 李艳武刘彭义侯林涛武春红
- 关键词：C60
