武晓玲
- 作品数：8 被引量：20H指数：3
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信冶金工程一般工业技术更多>>
- 用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液
- 本发明公开了一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液。本发明抛光液成分和体积％比组成如下：硅溶胶30～90；有机胺碱1～10；无机碱1～5；活性剂0.5～5；螯合剂FA/O 0.5～5；去离子水为余量。本发明在CMP条件下...
- 刘玉岭武晓玲
- 文献传递
- pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响被引量：5
- 2007年
- 采用化学机械抛光方法,自制碱性抛光液对铌酸锂晶片进行抛光,通过试验得出适宜铌酸锂晶片抛光的pH值,配合压力、流量等外界参数可以得到较高的表面质量和较快抛光速率。分析了铌酸锂晶片在碱性条件下的去除机理和抛光液的pH值及抛光液中各个组分对抛光速率和表面质量的影响。
- 武晓玲刘玉岭王胜利刘长宇刘承霖
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光PH值
- 铌酸锂晶片CMP中工艺参数对去除率的影响
- 采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铌酸锂晶片进行化学机械抛光研究,讨论了抛光压力、转速、流速等工艺参数对材料去除率的影响。结果表明,铌酸锂晶片化学机械抛光去除率与抛光工艺参数有着密切的关系。不降低表面质量,在抛光压力为140k...
- 王胜利武晓玲刘玉岭贾小欣
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光去除率
- 文献传递
- 用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液
- 本发明公开了一种用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液的成分和体积％比组成如下：硅溶胶30～90；有机胺碱1～10；活性剂0.5～5；KOH溶液0.5～5；去离子水为余量。在CMP条件，将微晶玻璃的主体二氧化硅(酸性氧化物)在高p...
- 刘玉岭武晓玲
- 文献传递
- 钨插塞在化学机械抛光中的化学作用机理研究被引量：6
- 2007年
- 采用有机碱和过氧化氢作为抛光液的pH值调节剂和氧化剂,分析化学机械抛光过程中化学作用对抛光过程的影响。氧化剂在钨表面形成较软的钝化膜,这层钝化膜可以使钨容易磨除,提高高低选择比;在压力作用下,有机碱进一步和氧化表面发生反应,使抛光速率进一步提高;而有机碱的作用还可使钨和二氧化硅介质之间的选择比较低,以避免碟形坑的出现。
- 贾英茜刘玉岭武晓玲张伟
- 关键词：化学机械抛光钝化膜选择比
- CLBO晶体化学机械抛光技术的研究被引量：2
- 2006年
- 介绍了硼酸锂铯(CLBO)晶体的应用前景及在化学机械抛光过程中存在的问题,简要分析了晶体在常温下开裂的机理,选用无水溶剂对晶体进行化学机械抛光以防止加工过程中晶体的潮解开裂。分析了抛光液、压力、温度、pH值参数对抛光过程的影响,通过合适配比使速率可达1.5～2μm/min,且表面质量较好。
- 武晓玲刘玉岭贾英茜鲍云英
- 关键词：化学机械抛光有机溶剂
- 用于硬盘NiP基片CMP的一种碱性SiO_2抛光液被引量：2
- 2007年
- 在NiP基片的化学机械抛光中,针对现有酸性抛光液存在的易腐蚀、易污染和以Al2O3为磨料造成易划伤表面的质量问题,尝试使用SiO2水溶胶作为抛光磨料,通过加入非离子表面活性剂和螯合剂等,配制成一种碱性环境下的硬盘基片抛光液。通过化学机械抛光试验,发现这种碱性SiO2抛光液在硬盘NiP基片抛光中具有250nm/min的抛光速率,抛光后的表面粗糙度为0.8nm,表面光滑,几乎观察不到划痕及其他微观缺陷。
- 刘长宇刘玉岭武晓玲孙鸣张伟
- 关键词：硬盘磷化镍化学机械抛光
- InSb半导体材料的抛光液研究被引量：5
- 2006年
- InSb薄膜被广泛应用于光电元件、磁阻元件、霍尔元件以及晶体管结构器件之中。研究了一种应用于的抛光液,在一定压力、温度、转速下,以有机碱替代无机碱,通过添加螯合剂、活性剂降低产品表面粗糙度,减少划伤,表面污染小。
- 刘承霖刘玉岭张伟武晓玲贾英茜
- 关键词：抛光液抛光划伤粗糙度
