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池雅庆: 作品数：212 被引量：72H指数：4; 供职机构：国防科学技术大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划湖南省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>

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EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法: 本发明公开一种EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法，步骤包括：S1.配置被测EDAC加固微处理器的测试程序，并测试测试程序完成一次运行所用的时间、运行使用到的被测EDAC加固微处理器SRAM部件的面积；S2.根据...; 池雅庆梁斌陈建军袁珩洲罗登郭阳胡春媚刘必慰宋睿强吴振宇

一种SoC平台上的多层高速AHB总线互连结构: 本文描述了一种SoC平台上的多层AHB总线互连结构.在介绍AMBA<'TM> AHB基础上,阐述了多层AHB总线互连结构,提出了一种适用于多处理核心的多层AHB总线互连结构.该结构能够有效地提高系统传输带宽,并具有很高的...; 王耀池雅庆方粮; 关键词：互连结构 SOC平台 AMBA 传输带宽; 文献传递

纳米CMOS工艺下抗辐照SRAM中一种ATD电路的设计实现方法: 本发明公开了纳米CMOS工艺下抗辐照SRAM中一种ATD电路的设计实现方法，ATD电路由地址转换监测电路和延迟可调反馈电路两级组成。第一级地址转换监测电路包含19个输入端和1个输出端，输入端为19个地址信号A[18‑0]...; 陈建军郭阳梁斌池雅庆罗登王珣沈凡郭昊

基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化被引量：1: 2006年; 分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.; 池雅庆郝跃冯辉方粮; 关键词：LDMOS RESURF 击穿电压导通电阻

基于梯度掺杂策略的碳纳米管场效应管性能优化被引量：5: 2010年; 双极性传输特性是制约碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect transistors,CNFETs)性能提高的一个重要因素.为降低器件的双极性传输特性并获得较大的开关电流比,提出了一种漏端梯度掺杂策略,该策略不仅适合于类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs),同时也适合于隧穿碳纳米管场效应管(T-CNFETs).基于非平衡格林函数的数值研究结果表明,该策略不仅能有效降低器件的双极传输特性,而且能将器件开关电流比提高数个数量级.进一步研究发现,该掺杂策略在这两类碳纳米管场效应管器件结构中的应用存在诸多差异:C-CNFETs中可能发生的能级钳制将削弱器件导通状态性能,而T-CNFETs中无此现象;C-CNFETs中源、漏两端均采用梯度掺杂能进一步提高器件性能,而该策略并不适于T-CNFETs;梯度掺杂后的T-CNFETs器件性能受轻度掺杂区域宽度的影响较C-CNFETs更为显著.同时,该梯度掺杂策略会造成一定的面积开销,因此在实际应用中应合理选取器件结构、掺杂浓度、掺杂区域宽度等参数,以获得速度、功耗与面积之间的最佳折中.; 周海亮池雅庆张民选方粮; 关键词：梯度掺杂

抗单粒子翻转的扫描结构D触发器: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的扫描结构D触发器，目的是提高抗单粒子翻转的扫描结构D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、扫描控制缓冲电路、主锁存器、从锁存器、第一反相器电路和第二反相器电路组成；主锁存器由十六个PMOS...; 池雅庆孙永节李鹏梁斌杜延康刘必慰陈建军何益百秦军瑞

抗单粒子翻转和单粒子瞬态的高速串行接口数据编解码方法: 本发明针对现有抗单粒子翻转和单粒子瞬态的高速串行接口数据编解码方法纠错时间或硬件开销大的技术问题，提出一种抗单粒子翻转和单粒子瞬态的高速串行接口数据编解码方法，包括发送端对发送的低速并行数据的编码和并串转换步骤，以及接收...; 池雅庆薛妙莹梁斌陈建军郭欣童董进宇; 文献传递

一种基于DTMOS的电流镜单粒子瞬态加固方法: 本发明提供了一种基于DTMOS的电流镜单粒子瞬态加固方法，通过电流镜在有源设备的输出端子中产生电流的副本；电流镜包括一个根节点，并提供一个稳定的门源电压Vgs到多个叶节点，通过电路广泛地分布一个偏置；通过优化DTMOS的...; 陈建军郭阳梁斌池雅庆罗登孙晗晗王珣沈凡郭昊

抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可复位D触发器: 本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可复位D触发器，目的是解决可复位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、复位缓冲电路，主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路和缓冲器电路组成。主锁存器和从锁存器...; 陈书明王崇峰姚龙孙永节梁斌池雅庆郭阳陈建军刘祥远许文涛; 文献传递

一种可忽略面积开销的模拟电路单粒子瞬态加固的方法: 本发明提供了一种可忽略面积开销的模拟电路单粒子瞬态加固的方法，适用于体硅CMOS工艺下的模拟电路，例如共源级(CS)放大器、电荷泵、带隙基准、锁相环等。本方法采用将CMOSFET器件的源极和体极相连接(BTS)的加固方法...; 郭阳梁斌陈建军池雅庆罗登孙晗晗王珣沈凡郭昊