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三氯环硼氮烷改性聚碳硅烷的制备及表征: 将三氯环硼氮烷(TCB)与聚碳硅烷(PCS)混合,制备了TCB改性PCS聚合物。考察了反应温度、反应时间及三氯环硼氮烷用量对改性聚碳硅烷分子量及陶瓷收率的影响。结果表明,三氯环硼氮烷中的活泼氯原子在较低温度下即可与聚碳硅...; 戈敏沈志洵陈明伟张伟刚; 关键词：聚碳硅烷改性处理性能表征

轻质复合材料高温隔热性能被引量：8: 2011年; 设计了一套隔热材料高温(>1200℃)隔热效果的测试装置,可对隔热材料进行快速、低成本的有效测试和筛选。采用本装置在材料热面中心温度为1600℃±10℃时,考察了碳/酚醛复合材料和ZrO2纤维板材料背部升温历程,评价了2种材料的隔热性能,并采用有限差分法数值模拟了ZrO2纤维板材料背部升温历程,预测其有效导热系数。研究表明,在加热初期400 s时间内,碳/酚醛复合材料的隔热性能优于ZrO2纤维板的隔热性能,后期则相反;ZrO2纤维板的隔热性能与体积密度有关,有效导热系数随温度升高而非线性地增大。; 蔺晓轩沈志洵魏玺张伟刚

三氯环硼氮烷及其衍生物的制备与表征被引量：2: 2007年; 以三氯化硼和氯化铵为原料,以氯苯为溶剂,采用Schlenk技术合成并提纯出高纯度三氯环硼氮烷(TCB)晶体,利用二甲胺与TCB进行反应,得到TCB的衍生物烷基胺环硼氮烷,为获得高质量BN材料作了原料准备.采用NMR以及单晶衍射方法对合成样品进行了分析,对反应条件、反应装置及反应路线进行了考察.研究结果表明,合成反应为均液相反应,加入催化剂Hg,TCB产率可达89%以上;不加催化剂,适当延长反应时间,TCB产率可达87%以上.在提纯TCB的步骤中,精馏塔理论塔板数为6时较佳.采用B3LYP/6-31G*计算水平对取代反应过程进行模拟计算,结果表明,取代反应过渡态包含Cl-B-N-HCl四元环结构,通过计算推测反应有可能生成几种取代衍生物的混合物.; 王钰王希曹维良沈志洵吴言王长松张伟刚

前驱体热解氮化硼/碳化硅复相泡沫陶瓷的抗氧化与高温隔热性能研究被引量：2: 2012年; 以聚碳硅烷（PCS）和三甲胺基环硼氮烷聚合前驱体（PBN）进行共聚合制得复合前驱体,以此为原料采用高压裂解发泡技术制备了一种氮化硼/碳化硅（BN/SiC）复相开孔泡沫陶瓷.由包含不同比例组分的起始前驱体所制得的泡沫陶瓷的孔隙直径在1~5 mm,体积密度在0.44~0.73 g/cm3之间.对该陶瓷材料的微观结构和性能的研究表明,由于BN相的引入使得BN/SiC复相泡沫陶瓷在800~1100℃的抗氧化性能有了显著的提高;其压缩强度随着引入BN比例的增加而提高,约为纯SiC泡沫陶瓷的5~10倍.其中以组分重量比为1：1的起始复合前驱体所制备BN/SiC复相多孔陶瓷在1500℃时的导热系数仅为4.0 W/（m K）;对其进行隔热性能测试,材料热面中心温度为1400℃时,其背面中心温度仅为280℃;采用有限差分法数值模拟背部升温历程,将其有效导热系数代入计算模型,得到材料背部中心温度升温历程的数值模拟结果,与实际升温历程基本一致.; 沈志洵戈敏陈明伟钱扬保张伟刚; 关键词：碳化硅氮化硼泡沫陶瓷隔热性能

ZrB_2-SiC前缘构件气动加热及热应力的数值模拟分析被引量：2: 2010年; 分别采用有限差分法和有限单元法对ZrB2-SiC前缘构件高超声速气动加热过程及其内部热应力进行了数值模拟,并以电弧风洞地面模拟实验对计算结果进行了验证.计算结果表明,飞行马赫数为6、总温2375K、总压4.41MPa、结构前缘半径为0.125mm时,5s时驻点温度达1870K,内部最大热应力达1240MPa,这将导致服役过程中材料失效.电弧风洞实验结果表明,5s时驻点温度达2175K,材料前缘因承受的应力超过其弯曲强度而断裂.计算结果与风洞实验结果吻合较好.; 蔺晓轩武海棠魏玺沈志洵张伟刚; 关键词：ZRB2-SIC 数值模拟前缘气动加热热应力

三氯环硼氮烷改性聚碳硅烷的合成及陶瓷转化被引量：3: 2010年; 为研究三氯环硼氮烷(TCB)对聚碳硅烷(PCS)性能及陶瓷转化的影响,将一定量的TCB加入PCS中制备TCB改性PCS聚合物,分析了TCB与PCS的反应性及TCB用量对改性PCS结构、陶瓷收率、可加工性和SiC产物微结构的影响,并采用红外光谱、热重、X射线衍射等测试技术对相应产物进行表征.结果表明,PCS中的Si-H键可部分地与TCB中的-Cl反应生成HCl;随着TCB质量分数的增加,PCS中Si—H键相对于Si-CH3的浓度比呈下降趋势.TCB的加入可显著提高PCS的陶瓷收率,TCB质量分数大于8%时,陶瓷收率质量分数约增加10%.TCB质量分数为5%～8%时,可在提高PCS收率的同时使其保持较好的可加工性能,TCB质量分数大于8%时,可加工性能变差.B、N的引入对SiC的微结构有影响:在氩气保护下,经1000℃热处理时,TCB的加入促进SiC晶粒的生长;经1400℃热处理时,TCB的加入抑制SiC晶粒的长大.; 戈敏沈志洵陈明伟张伟刚; 关键词：聚碳硅烷可加工性微结构

三氯环硼氮烷改性聚碳硅烷研究: 通过三氯环硼氮烷(TCB)与聚碳硅烷(PCS)的化学反应,制备了TCB 改性PCS 聚合物。考察了TCB 与PCS的反应性,TCB 用量对改性PCS结构及陶瓷收率的影响，采用红外光谱、热重分析仪等测试技术对产物进行了表征...; 戈敏沈志洵陈明伟张伟刚; 关键词：聚碳硅烷热重分析晶粒生长; 文献传递

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沈志洵