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文献类型

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领域

  • 5篇电子电信

主题

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机构

  • 5篇浙江大学

作者

  • 5篇沈珊瑚
  • 5篇史峥
  • 4篇陈晔
  • 2篇周珂
  • 2篇谢春蕾
  • 2篇严晓浪
  • 1篇胡承敏
  • 1篇王国雄
  • 1篇李季
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传媒

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  • 1篇半导体光电

年份

  • 4篇2007
  • 1篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
适用于超深亚微米光刻仿真的建模和优化
2007年
提出了一种新颖的利用版图轮廓的超深亚微米光刻工艺建模流程.该流程采用的方法主要包括:首先将代表纯光学模型的传输交叉系数矩阵通过圆极化采样正交投影成更小规模的矩阵,同时用该组相同的极化采样基表示掩模图形;然后用目标电路版图的严格3D仿真结果或其SEM轮廓图对该新系统进行半经验化的校正.在模型校正过程中引入了基于遗传算法的全局优化算法.实验结果显示,该方法能够快速有效地模拟用传统方法不能准确模拟的超深亚微米新出现的一些畸变效应.由于最终的模型是用一批卷积核的形式表示,建成的模型能够满足光学邻近校正对准确性和快速性的要求.
沈珊瑚史峥谢春蕾严晓浪
关键词:遗传算法光学邻近校正
基于特征函数的空间点光强快速算法优化
2007年
讨论了部分相干成像系统空间点光强的一种近似算法——即通过特征值分解的方法将部分相干成像系统的Hopkins公式展开为N阶相干系统之和的相干系统与双线性系统算法,并提出了优化的N取值方案.该方案充分考虑了光刻系统参数对N取值的影响.实验结果证明,采用了新的N取值方案的近似算法是一种高精度算法.
周珂史峥陈晔沈珊瑚
关键词:特征函数
基于特征函数的空间点光强的快速算法
2007年
讨论了部分相干成像系统空间点光强的一种近似算法,即通过特征值分解的方法将部分相干成像系统的Hopkins公式展开为N阶相干系统之和的SOCS算法,并提出了优化的N的取值方案。该方案充分考虑了光刻系统参数对N的取值影响。实验结果证明,采用新的N取值方案的近似算法是一种高精度的算法。
周珂陈晔沈珊瑚史峥
关键词:特征函数SOCS
亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术被引量:4
2006年
讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要.
李季史峥沈珊瑚陈晔
关键词:离轴照明分辨率增强技术光刻模拟
超深亚微米集成电路版图可制造性校正和验证技术
严晓浪史峥王国雄陈志锦马玥陈晔沈珊瑚杨祎巍谢春蕾胡承敏吴克智章庆
从超深亚微米到纳米级的集成电路生产普遍采用了亚波长光刻技术,以当前65nm工艺为例,光刻机采用193nm的光源波长,而所制造产品的特征尺寸远不到光源波长的一半。亚波长光刻的采用要求在集成电路掩模设计中必须使用基于光学校正...
关键词:
关键词:集成电路版图成像
共1页<1>
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