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王东兴

作品数:61 被引量:39H指数:4
供职机构:哈尔滨理工大学更多>>
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文献类型

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领域

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  • 1篇电气工程
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  • 1篇一般工业技术
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  • 23篇酞菁
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  • 9篇传感器
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  • 6篇抛光
  • 6篇抛光表面
  • 6篇薄膜晶体
  • 6篇薄膜晶体管

机构

  • 53篇哈尔滨理工大...
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  • 2篇千叶大学
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  • 1篇新加坡国立大...

作者

  • 61篇王东兴
  • 15篇宋明歆
  • 15篇殷景华
  • 12篇赵洪
  • 11篇桂太龙
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传媒

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年份

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  • 2篇2009
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  • 5篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 5篇2003
  • 2篇2002
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一款6.4 ppm/℃的低功耗带隙基准设计被引量:3
2019年
设计了一款低功耗带隙基准,通过引入在温度超过某一温度之后的渐变阻抗,改善了带隙基准的温漂值,同时对传统的带有运放的带隙做出了改进,设计了一款低功耗的结构。仿真结果表明,在电源5V供电情况下,总体功耗为1.2μW,在温度范围-40℃~150℃,温漂为6.40ppm/℃。
潘鸿泽王东兴宋明歆
关键词:带隙基准低功耗低温漂
有机薄膜三极管传感器及应用
有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途,近年来,气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引的很多研究者的关注。本发明是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化,实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜...
赵洪王东兴殷景华王喧桂太龙宋明歆
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单极型有机半导体酞菁铜晶体管的工作特性被引量:2
2005年
根据试制的Au/CuPc/A l/CuPc/Au结构的垂直导电沟道有机薄膜晶体管的测试结果,分析了该晶体管的工作机理.由实验结果可知,驱动电压低,呈不饱和电流-电压特性.晶体管的工作特性依赖于栅极电压和铝电极的结构,垂直导电沟道有利于改善有机晶体管的工作特性.
朱敏宋明歆桂太龙殷景华王东兴赵洪
关键词:薄膜晶体管酞菁铜有机半导体
无机薄膜压电二极管及制作方法
一直以来压电材料都是非常重要的材料,被广泛应用于各个领域。近年来,压电材料的研究已经从含铅的钙钛矿和钛铁矿型压电材料到无机薄膜制造的压电材料,压电传感器的使用已经吸引很多研究者的关注。本发明的目的是提供一种通过测量无机薄...
王东兴苑丹妮杨美中张志文
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ZnPc/PbPc共混蒸镀薄膜二极管的制备与工作特性
ZnPc/ PbPc共混蒸镀薄膜二极管的制备与工作特性。近年来,单一的有机材料蒸镀有机薄膜晶体管被广泛的制作和研究。本发明是两种有机材料进行共混蒸镀制作的有机薄膜二极管,这两种有机材料分别为酞菁锌和酞菁铅(ZnPc和Pb...
王东兴赵双杨美中
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有机静电感应三极管(OSIT)静态工作特性的解析被引量:2
2003年
在分析SIT器件电流-电压特性的理论基础上,对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试,通过对测试曲线进行数据拟合与解析,得出一系列OSIT在不同偏压条件下,电流-电压的表达式,数据解析结果表明,有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符。
薛严冰王东兴赵闻蕾
关键词:有机静电感应三极管OSIT电流-电压特性有机半导体数据解析
亚微米厚度有机半导体薄膜三极管
亚微米厚度有机半导体薄膜三极管,涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本发明的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管,其组成包括:玻璃基板...
赵洪王东兴殷景华王喧桂太龙宋明歆
文献传递
亚微米厚度有机半导体薄膜三极管
亚微米厚度有机半导体薄膜三极管,涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本发明的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管,其组成包括:玻璃基板...
王东兴
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有机薄膜三极管传感器
有机薄膜三极管传感器,近年来,气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引的很多研究者的关注。本实用新型是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化,实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器...
赵洪王东兴殷景华王喧桂太龙宋明歆
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一种基于HVS的防蓝光镜片检测系统
本发明公开了一种基于HVS的防蓝光镜片检测系统,属于光学检测领域,其包括:光源系统、准直系统、滤光系统、扩束系统、分光系统、第一测试光路系统与第二测试光路系统;所述的第一测试光路系统与第二测试光路系统可自由放置测量样品,...
王东兴杨德凯于雪莲
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共7页<1234567>
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