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王泽华
作品数:
34
被引量:3
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
自动化与计算机技术
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合作作者
柏文斌
电子科技大学ic设计中心
陈吕赟
电子科技大学ic设计中心
吴琼乐
电子科技大学ic设计中心
管超
电子科技大学ic设计中心
方健
电子科技大学
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单端
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机构
34篇
电子科技大学
作者
34篇
王泽华
27篇
管超
27篇
吴琼乐
27篇
陈吕赟
27篇
柏文斌
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方健
20篇
杨毓俊
12篇
黎俐
7篇
李文昌
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罗杰
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2013
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14篇
2011
共
34
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一种高压电平位移电路
本发明公开了一种高压电平位移电路。针对现有的高压电平位移电路不能同时减小电路版图面积和解决电路存在输出初始状态不定的问题,本发明提出了一种高压电平位移电路,包括脉冲产生电路、脉冲整形电路、第一偏置电路、箝位电路、LDMO...
方健
柏文斌
管超
吴琼乐
王泽华
陈吕赟
杨毓俊
罗杰
李文昌
于廷江
黄国辉
文献传递
一种高压LDMOS器件
本发明涉及一种高压LDMOS器件,包括衬底、位于衬底之上的外延层,位于外延层之上的漂移区,位于LDMOS器件两端的漏区和源区,其特征在于,在衬底和外延层的交界面上紧贴漂移区的下表面具有交替排列的至少一对n型半导体区和p型...
方健
陈吕赟
李文昌
管超
吴琼乐
柏文斌
王泽华
一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件
本发明涉及一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件,包括衬底、埋氧层、漂移区、第一阴极区、阴极体区、缓冲层、第一阳极区、第二阴极区、阴极金属电极、阳极金属电极、多晶硅栅、氧化层、衬底金属电极,在阳极端的阳极金属电极下表面位置...
方健
陈吕赟
柏文斌
王泽华
吴琼乐
管超
李文昌
于廷江
杨毓俊
黎俐
一种金属-介电材料复合探针SERS基底及其制备方法
本发明提供一种金属‑介电材料复合探针表面增强拉曼基底及其制备方法,属于拉曼检测领域。本发明表面增强拉曼基底是通过硅烷偶联剂在酸性条件下使二氧化硅介电微球表面带正电荷,通过SH‑PEG‑COOH使金纳米棒在碱性条件下带负电...
王泽华
李敏莉
洪延
何为
陈苑明
周国云
王翀
王守绪
杨文君
一种电流采样电路
本发明公开了一种电流采样电路,包括第一NMOS管,第二NMOS管,第三NMOS管,第一电阻,其特征在于,还包括第一单端输出运算放大器,第二单端输出运算放大器,第三单端输出运算放大器,第一双端输出运算放大器,第二双端输出运...
方健
王泽华
吴琼乐
陈吕赟
管超
柏文斌
杨毓俊
黎俐
一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法
本发明涉及一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法。高压低导通电阻LDMOS器件包括P外延、P阱区、N<Sup>+</Sup>阳极、N<Sup>+</Sup>阴极、P<Sup>+</Sup>阴极引出端、阳极多晶场板、...
方健
吴琼乐
陈吕赟
王泽华
蒋辉
管超
柏文斌
黎莉
杨毓俊
一种高压LDMOS器件
本发明涉及一种高压LDMOS器件,包括衬底、位于衬底之上的外延层,位于外延层之上靠漏区一侧且下表面与外延层的下表面重合的漂移区,位于LDMOS器件两端的漏区和源区,在衬底和外延层的交界面上跨过外延层的下表面具有交替排列的...
方健
陈吕赟
管超
王泽华
吴琼乐
柏文斌
杨毓俊
黎俐
Android软件安全加固技术研究与实现
Android系统的开放性和可移植性,以及手机开放联盟中各厂商对其的改良,使其快速的成为全球市场份额第一的手机操作系统。手机作为日常信息交流的重要工具,承载着许多隐私信息,使得Android软件成为攻击者的理想攻击对象。...
王泽华
关键词:
隐私保护
一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷,本发明提出了一种电平位移电路,包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤...
方健
柏文斌
管超
吴琼乐
王泽华
高大伟
陈吕赟
杨毓俊
罗杰
文献传递
在线IT培训系统的设计与实现
在全球化的今天,信息化大潮席卷而来,并深刻影响着各行各业,传统的教育模式也正面临着严峻挑战。时代的进步和互联网的冲击提出了基于网络的动态IT培训的需求。在线IT培训系统相对于其它Web应用而言,主要特点是需要强大的在线演...
王泽华
关键词:
FLEX
RIA
JAVA
APPLET
IT培训
文献传递
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