王玉田
- 作品数：70 被引量：95H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺机械工程更多>>
- 低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长
- 1998年
- 本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．
- 陈博王圩汪孝杰张静媛朱洪亮周帆王玉田马朝华张子莹刘国利
- 关键词：DFB激光器LP-MOCVD
- AlGaAs／GaAs超晶格界面平整度的X射线双晶衍射研究被引量：2
- 1995年
- 用Ｘ射线运动学的多层膜干涉理论，模拟计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超晶格Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线．提出了一种具有整数分子层的界面过渡层理论模型，并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的漂移，过渡层对超晶格卫星峰强度的影响以及低级卫星峰的规律性消光规律．
- 庄岩王玉田李建中
- 关键词：镓铝砷砷化镓超晶格衍射
- C-GaN/GaAs(001)晶格常数测量的新方法
- 本文提出一种用X射线三轴晶衍射测量C-GaN晶格常数的新方法.实验测定完全弛豫的C-GaN的晶格常数为4.5036±0.0004A,这非常接近理想晶体的计算值.双晶X射线衍射的零点误差为0.004°,在测量精度之内.
- 王玉田郑新和杨辉梁骏吾
- 关键词：晶格常数半导体材料化学气相淀积
- 文献传递
- 半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量被引量：4
- 1998年
- 本文利用Ｘ射线双晶衍射Ｂｏｎｄ方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘ＧａＡｓ的晶格参数．建立了过量Ａｓ在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘ＧａＡｓ晶格参数的根本原因．并建立了半绝缘ＧａＡｓ晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量．这对于ＧａＡｓ单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义．
- 王玉田陈诺夫何宏家林兰英
- 关键词：砷化镓X射线双晶衍射
- 立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相
- 2001年
- 利用扫描电子显微镜 (SEM)、原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和X射线衍射 (XRD)技术研究了低压金属有机化学气相淀积 (LP_MOCVD)的立方相GaN/GaAs(0 0 1 )外延层的表面起伏特征 ,及其与外延层极性和内部六角相、立方相微孪晶之间的联系 .结果表明外延表面存在有大量沿 [1 1 0 ]方向延伸的条带状台阶 ,而表面起伏处对应着高密度的六角相或立方相微孪晶 ,在表面平整的区域内其密度则较低 .{1 1 1 }Ga和 {1 1 1 }N 面上形成六角相和微孪晶概率的明显差异是导致外延层表面台阶状起伏特征的根本原因 .
- 渠波李顺峰李顺峰胡国新郑新和王玉田林世鸣杨辉
- 关键词：立方相氮化镓外延层孪晶
- 立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究被引量：1
- 1999年
- 本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度愈高，而且，其发光峰的位置向短波长方向移动．在同一样品中， Ｎ Ｈ３ 气流的下游的晶体纯度高于上游，而且其发光峰的位置向短波长方向移动．选择合适的生长条件，制备出纯度较高的立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体。
- 赵德刚杨辉徐大鹏李建斌王玉田郑联喜李顺峰王启明
- 关键词：光致发光砷化镓
- 高质量立方相InGaN的生长被引量：5
- 2000年
- 利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合 ,由此推断 ,在现在的生长条件下 ,表面单个 Ga原子作为临界晶核吸附 Ga或 In原子实现生长的模型与实际情况较为接近 .对于晶体质量的变化也给予了说明 .得到的高质量立方相 In Ga N室温下有很强的发光峰 ,光致发光峰半高宽为 1 2 8me V左右 .
- 李顺峰杨辉徐大鹏赵德刚孙小玲王玉田张书明
- 关键词：INGANMOCVD光致发光氮化镓
- 高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs／GaAs超薄应变层量子阱结构参数被引量：1
- 1995年
- 应变超薄层结构的组分、厚度、应变状态的直接检测，对于器件应用具有重要的意义，本文中，利用ＭＯＣＶＤ方法得到高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱材料，采用双晶衍射方法的弱信号收集技术，结合运动学理论模拟，得出同时包含几个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阶结构的重要参数，其检测结果与光致发光（ＰＬ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）等方法的测试结果基本一致，表明Ｘ射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法．
- 王小军庄岩王玉田庄婉如王启明黄美纯
- 关键词：砷化镓量子阱结构
- MBE[(GaAs)_l(Ga_(1-λ)Al_xAs)_m]_n/GaAS(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量被引量：1
- 1989年
- 本文着重介绍了MBE[(GaAs)_l(Ga_(1-x)Al_xAs)_m]_n/GaAs(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量方法。根据卫星峰的出现,证明超晶格的存在。基于超晶格的台阶模型和X射线衍射的运动学理论,推导出超晶格多结构参数的计算方法。并对X射线双晶给出的其他信息做了必要的讨论。
- 王玉田
- 关键词：超晶格双晶衍射
- GaAs/Si外延层X射线双晶衍射摇摆曲线的动力学模拟和位错密度的测量被引量：2
- 1995年
- 利用X射线衍射动力学理论和位错的小角晶界模型,分析了GaAs/Si外延层中位错对X射线双晶衍射摇摆曲线的影响,认为GaAs/Si外延层并不是严格取向一致的完整单晶膜,而是存在着许多小角晶界的镶嵌晶体,并推导出了其中镶嵌块的晶向分布函数和晶格应变分布函数,模拟出了GaAs/Si外延层X射线双晶衍射摇摆曲线,由此曲线计算出了GaAs/Si外延层中的位错密度。同时还得到了Si衬底上GaAs外延层中镶嵌块的大小。为分析高失配外延材料的双晶衍射摇摆曲线提供了新的方法。
- 郝茂盛王玉田梁骏吾
- 关键词：X射线双晶衍射砷化镓位错密度
- 全文增补中
