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王盛凯

作品数：153 被引量：13H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 146篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 23篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
  • 5篇金属学及工艺
  • 4篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 23篇沟道
  • 23篇衬底
  • 20篇微波等离子体
  • 20篇晶体管
  • 20篇半导体
  • 19篇纳米
  • 17篇气体
  • 14篇迁移率
  • 14篇含氧气体
  • 12篇晶圆
  • 12篇键合
  • 11篇锗
  • 10篇等离子体
  • 10篇氧化锗
  • 10篇双栅
  • 9篇碳化硅
  • 8篇电压
  • 8篇纳米线
  • 8篇纳米线结构
  • 7篇单晶

机构

  • 148篇中国科学院微...
  • 6篇桂林电子科技...
  • 3篇北京大学
  • 2篇钱塘科技创新...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 153篇王盛凯
  • 81篇刘洪刚
  • 65篇孙兵
  • 57篇常虎东
  • 32篇赵威
  • 29篇刘新宇
  • 28篇白云
  • 24篇汤益丹
  • 22篇杨成樾
  • 15篇徐杨
  • 13篇薛百清
  • 12篇韩乐
  • 9篇田晓丽
  • 9篇陈宏
  • 8篇王英辉
  • 7篇郭浩
  • 7篇李跃
  • 6篇肖功利
  • 6篇李琦
  • 6篇李海鸥

传媒

  • 1篇焊接学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇稀有金属与硬...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 14篇2024
  • 4篇2023
  • 8篇2022
  • 7篇2021
  • 15篇2020
  • 26篇2019
  • 13篇2018
  • 21篇2017
  • 10篇2016
  • 8篇2015
  • 17篇2014
  • 6篇2013
  • 4篇2012
共 153 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置
一种用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置，包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔，其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波...
刘新宇汤益丹王盛凯白云杨成樾
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一种GaAs(111)晶圆的清洗方法
本发明公开了一种GaAs(111)晶圆的清洗方法。该方法为：将GaAs(111)衬底用有机溶剂处理以除去表面油污及有机物；然后置于双氧水中浸泡，取出，去离子水清洗后再置于盐酸中浸泡，取出，去离子水清洗；所得GaAs(11...
李海鸥林子曾曹明民王盛凯刘洪刚李琦肖功利高喜曹卫平
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胶囊式驻极体发电机及供能器件
本发明公开了一种胶囊式驻极体发电机及供能器件，其中，胶囊式驻极体发电机，包括：胶囊式封闭结构，包含：绝缘外壳，以及设置于绝缘外壳两侧的电极或者分别设置于绝缘外壳两侧的单电极和绝缘部；该胶囊式封闭结构具有一内部空间；以及驻...
王盛凯姚沛林
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一种双栅MOSFET结构及其制备方法
本发明公开了一种双栅MOSFET结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。所述双栅MOSFET结构自下而上为第一栅金属层、III‑V族半导体沟道层、III‑V族半导体源漏层、第二栅金属层，所述第一栅金属层和第二栅金属层构...
孙兵刘洪刚王盛凯常虎东龚著靖
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一种砷化镓基MOSFET栅介质的制备方法
本发明公开了一种砷化镓基MOSFET栅介质的制备方法，包括如下步骤：步骤1：清洗砷化镓衬底表面；步骤2：在清洗完成后的所述砷化镓衬底表面沉积阻挡层；步骤3：利用直接离化的氧等离子体或间接离化的氧等离子体处理步骤2获得的衬...
苏玉玉孙兵刘洪刚王盛凯
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碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试系统及其测试方法
本发明提供了一种碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试方法，其特征在于，包括：利用发光光源模块产生光束；利用监测反馈模块实时监测发光光源模块发射的光束的波长和强度，并反馈至发光光源模块；将发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学...
张括王盛凯徐杨
薄膜晶体管及其制备方法
本公开提供了一种薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括：基板；栅极金属层；沟道层；介质层，位于栅极金属层和沟道层之间；钝化层，包括源极接触孔和漏极接触孔；源极阻挡层，位于源极接触孔内；漏极阻挡层，位于漏极...
胡顺东尤楠楠王盛凯李泠王嘉义徐杨
半导体栅结构的微波等离子体后处理方法
本公开提供一种半导体栅结构的微波等离子体后处理方法，包括：将半导体栅结构置于反应腔内，调节反应腔内微波的输入功率和反应气体的压强，利用微波能量耦合反应气体激发产生等离子体；利用等离子体提供气氛原子在半导体栅结构中扩散所需...
刘新宇尤楠楠王盛凯
仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法
本发明公开了一种仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，其中，该仿生晶体管结构包括：背栅介质层；背栅半导体衬底层，叠置在背栅介质层之下；单壁碳纳米管沟道层，叠置在背栅介质层之上；有机薄膜层，叠置在单壁碳纳米管沟道层之上，且...
周易王盛凯
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一种基于驻极体的荧光发射装置及海洋波浪监测系统
本发明提供一种基于驻极体的荧光发射装置，包括驻极体发电机101、高压电容102、气体放电管103、硫化锌发光器件104，所述驻极体发电机101与所述高压电容102串联，所述气体放电管103与所述硫化锌发光器件104串联，...
王盛凯徐杨
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