祁树锋
- 作品数：19 被引量：27H指数：5
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- 静电放电对双极型硅器件造成潜在性失效的研究
- 了静电放电(ESD)对双极型硅器件造成的潜在性失效．发现利用直流放大倍数hFE及反向漏电流ICEO可以检测双极型硅器件是否受到ESD潜在性损伤．实验研究表明，ESD对双极型硅器件可造成事件相关和时间相关的潜在性失效;对于...
- 武占成胡有志杨洁祁树锋
- 关键词：静电放电
- 静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系被引量：2
- 2007年
- 为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将注入和未注入过ESD的器件同时进行加速寿命实验.通过比较各组器件损伤率的大小来反映器件使用寿命的变化.经统计分析与计算发现:开始时,随放电次数的增加,器件出现潜在性失效的概率增大,当概率达到一定极限值后,又会随放电次数的增大而减小,说明ESD的注入不仅可能在部分硅器件内部造成潜在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性.
- 杨洁刘尚合刘红兵祁树锋
- 关键词：硅双极晶体管静电放电
- 基于多重分形分析的核爆与雷电电磁脉冲识别被引量：8
- 2013年
- 据核爆与雷电电磁脉冲信号非平稳、非线性特点,对NMEP与LEMP信号进行多重分形分析,计算二者多重分形广义维数D2～D8及广义维数变化率。分析发现广义维数变化率能反映核爆、雷电不同的产生机理,与广义维数相比,用广义维数变化率作为特征,对NEMP与LEMP识别率更高、更稳定、更有效。
- 祁树锋李夕海韩绍卿冯军陈蛟刘代志
- 关键词：雷电电磁脉冲
- 基于Hilbert谱区域能量比的核爆与雷电电磁脉冲识别被引量：7
- 2013年
- 根据核爆和雷电电磁脉冲信号非平稳、非线性特点,采用Hilbert-Huang变换(HHT)方法对NEMP和LEMP信号进行时频分析,发现二者Hilbert谱中的能量集中于一定时间和频率范围内。基于以上分析,提出基于Hilbert谱区域能量比特征,采用最近邻法则对二者进行识别研究。实验结果表明,在Hilbert谱中适当选择两个区域,以该区域能量比为特征对核爆和雷电电磁脉冲信号进行识别,平均识别率达到90%以上。
- 祁树锋李夕海韩绍卿牛超冯军刘代志
- 关键词：雷电电磁脉冲
- 硅基微波低噪声晶体管2SC3356的ESD潜在性损伤特性研究
- 对硅基微波低噪声晶体管2SC3356进行 CB 结反偏注入,研究了其 ESD 潜在性失效规律。在实验中通过监测器件的放大倍数 h来表征器件的潜在损伤程度。结果表明在低于损伤阈值的 ESD 作用下,确实可造成晶体管的潜在损...
- 巨楷如杨洁祁树锋刘尚合
- 关键词：静电放电双极性晶体管
- 文献传递
- 基于时频图像分析的核爆与雷电电磁脉冲识别被引量：6
- 2013年
- 根据核爆和雷电电磁脉冲信号非平稳、非线性特点,对核爆电磁脉冲(NEMP)和雷电电磁脉冲(LEMP)信号进行了Hilbert谱分析,计算了二者Hilbert谱的图像区域特征,对二者进行了识别研究,并且从NEMP和LEMP不同的产生机理上对识别结果进行了分析。实验结果表明:以Hilbert谱的面积和重心,以及六维图像区域特征作为特征,对NEMP和LEMP的识别率达到了90%以上,可以对二者进行有效识别。
- 祁树锋李夕海韩绍卿陈蛟刘代志
- 关键词：雷电电磁脉冲
- 静电放电对2SC3356造成的潜在性失效的实验模拟
- 2006年
- 研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效.采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加了一系列低电压的ESD应力,结果表明:低于损伤阈值的ESD应力可以使微电子器件产生潜在性损伤,从而影响器件的使用寿命.
- 祁树锋杨洁刘红兵刘尚合
- 关键词：ESD微电子器件
- ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述被引量：7
- 2006年
- 静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视.国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展.研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题.因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义.
- 祁树锋杨洁刘红兵巨楷如刘尚合
- 关键词：ESD微电子器件
- 静电放电引起2SC3356潜在失效的研究被引量：1
- 2007年
- 研究了低电压的人体模型(HBM)静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在失效。分别从CB结和EB结对2SC3356晶体管施加低电压HBM的ESD应力,结果表明:从CB结施加低电压的ESD电应力,所产生的潜在失效的几率要高于从EB结施加低电压的ESD电应力产生的潜在失效几率,即CB结比EB结对低电压的ESD应力引入的潜在失效更为敏感。高温(≥125℃)寿命实验有退火效应,从而缓解了低电压的ESD应力使器件产生的潜在损伤,使静电放电过程中引入的潜在损伤自恢复。
- 祁树锋刘尚合刘红兵杨洁
- 关键词：静电放电微电子器件
- 静电放电电磁脉冲对微电子器件的双重作用被引量：1
- 2011年
- 研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效,采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加不同电压的ESD应力.结果表明:高电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤主要是不可恢复的损伤,而低电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤是可恢复的损伤;ESD的注入对器件有双重作用:一方面ESD在器件中可引入潜在性损伤,另一方面ESD对器件有加固作用,并且注入ESD电压越高,这些作用越明显.
- 祁树锋张晓倩曾泰刘红兵杨洁
- 关键词：ESD微电子器件
