程彬杰
- 作品数：14 被引量：14H指数：2
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 自动微分技术及其在电子光学系统像差分析中的应用
- 1999年
- 研究了自动微分技术的基本原理，及其在旋转对称电子光学系统像差分析中的应用．利用面向对象的编程技术，在ＶＣ＋＋ 环境中编制了一个软件包，该软件包能够简洁且准确地计算旋转对称系统的３ 阶像差．用此软件计算了钟形场磁透镜中高斯光学性质及３ 阶像差，其结果与解析解完全一致，相对误差仅为１０ － ９ ．
- 王莉萍唐天同程彬杰蔡杰
- 关键词：带电粒子光学电子光学系统
- 用于电子光学系统像差分析的自动微分技术及其在Visual C++平台上的软件实现被引量：2
- 1999年
- 本文研究计算机数值计算与分析领域内的一个完全崭新的技术——自动微分技术。自动微分技术为带电粒子光学中的任意高阶像差分析与校正提供了一个很有效的工具。我们研究了自动微分功能利用面向对象的编程技术的实现，并在ＶＣ＋ ＋ 环境中编制了一个软件包，用于带电粒子光学系统中的粒子轨迹追踪及像差分析。用此软件模拟了电子在二维偏转电场中的轨迹，其结果与解析解完全一致，可达到机器精度。
- 王莉萍程彬杰唐天同蔡杰
- 关键词：带电粒子光学电子光学系统像差
- 基于表面势的MOSFET模型被引量：7
- 2000年
- 基于表面势的模型由于其本质上的优点 ,在小尺寸器件建模中日趋得到重视。文中通过对几种典型的表面势模型的分析 ,论述了基于表面势模型的建模思想、特点和在电路模拟中的优越性。分析表明 ,这是一种基于物理描述的模型 ,具有连续性、物理意义明确、结构简明等特点 ,对建立小尺寸器件整体模型非常适合和有效。
- 程彬杰邵志标唐天同
- 关键词：表面势场效应晶体管
- 深亚微米全耗尽SOI器件建模及模型参数提取研究
- SOI技术除了具有抗辐照、耐高温的特性以外,还具有寄生电容小、小尺寸效应小、亚阈特性好等突出优点,天然地适合低压、低功耗集成技术的需要,有望成为未来ULSI中的主流技术.SOI器件的建模问题对SOI电路的电子设计自动化(...
- 程彬杰
- 关键词：SOI技术
- 文献传递
- 电子束中Boersch效应的实验研究
- 随着带电粒子束技术的发展,作为离散空间电荷效应的一个重要组成部分,Boersch效应越来越引起了人们的重视.在该论文工作中,设计制作了一台产生和探测Boersch效应的实验装置,并进行了动态真空实验,测得了电子能量分布曲...
- 程彬杰
- 关键词：层流电子枪
- 数据拟合中自动微分技术的应用被引量：4
- 1999年
- 自动微分（ＡＤ）以非标准分析理论为基础，是计算机数值计算与分析领域内的一项完全崭新的技术．通过对ＡＤ原理的研究，利用面向对象编程（ＯＯＰ）技术实现了ＡＤ技术，并将其引入到非线性规划领域．作为例子，将ＡＤ移植到牛顿法中，进行了数据拟合试验．研究表明。
- 程彬杰王莉萍邵志标唐天同
- 关键词：数据拟合面向对象编程非线性规划
- 微扰法在静电电子透镜容差计算中的适用性分析
- 1999年
- 对微扰法在电子光学系统容差计算中的适用性进行了分析．针对电极偏心和电极加工不圆这两种常见缺陷，研究了２个解析模型———偏心双圆筒电容器和共焦椭圆柱电极，推导了其电位分布的表达式．并用所编写的基于微扰法的计算软件，计算了相应的缺陷电极结构的电场分布．将数值计算结果与解析解对比，得到了微扰法的计算误差关于电极缺陷与尺寸比的变化曲线．结果表明，形位公差为１～３级时，微扰法的计算误差仅为１０－４。
- 王莉萍胡康燕程彬杰
- 关键词：微扰法容差偏心电子光学系统
- 深亚微米FD-SOI器件表面势模型
- 对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解了亚阈区的二维泊松方程,得到了全耗尽器件正背界面的表面势公式;通过引入修正参数,建立了深亚微米全耗尽器件正背界面的表面势模型.该模型能够直观地反映DIBL效应,并...
- 程彬杰邵志标于忠时廷
- 关键词：电位分布硅膜
- 文献传递
- 深亚微米FD-SOI器件亚阈模型被引量：1
- 2001年
- 通过对全耗尽 SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似 ,求解亚阈区的二维泊松方程 ,得到全耗尽器件的表面势公式 ;通过引入新的参数 ,对公式进行修正 ,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型 ,能够很好地描述漏感应势垒降低效应 .在此基础上 ,建立了亚阈漏电流模型 ,它能够很好的描述亚阈区的完整漏电流特性 ,模型计算结果与二维器件模拟软件
- 程彬杰邵志标唐天同沈文正赵文魁
- 关键词：MOS器件
- 基于自动微分技术的器件模型参数提取算法
- 2002年
- 自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约束条件的参数提取。结果表明 ,算法收敛快、稳定性好。
- 程彬杰邵志标王莉萍于忠唐天同
- 关键词：集成电路
