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肖志强

作品数：40 被引量：57H指数：5
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 11篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学

主题

  • 10篇互联
  • 10篇SOI
  • 9篇总剂量
  • 8篇电路
  • 6篇网络
  • 6篇接口
  • 5篇抗辐射
  • 5篇集成电路
  • 4篇总剂量辐射
  • 4篇可扩展
  • 4篇封装
  • 4篇半导体
  • 3篇无源
  • 3篇LDMOS
  • 2篇单粒子
  • 2篇电学隔离
  • 2篇英文
  • 2篇硬件开销
  • 2篇源同步
  • 2篇载流子

机构

  • 33篇中国电子科技...
  • 13篇电子科技大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇东南大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 40篇肖志强
  • 13篇洪根深
  • 10篇魏敬和
  • 7篇张波
  • 7篇高向东
  • 6篇乔明
  • 6篇李肇基
  • 5篇方健
  • 5篇陈正才
  • 4篇徐静
  • 4篇周淼
  • 4篇丁涛杰
  • 3篇刘忠立
  • 3篇罗小蓉
  • 2篇孙晓冬
  • 2篇徐大为
  • 2篇杜秋平
  • 2篇李泽宏
  • 2篇赵凯
  • 2篇雷天飞

传媒

  • 7篇电子与封装
  • 4篇Journa...
  • 2篇微电子学
  • 2篇信息与电子工...
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 5篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 40 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
互联裸芯的片间互联旁路系统及其通信方法
本发明涉及互联裸芯的片间互联旁路系统及其通信方法。互联裸芯的片间互联旁路系统，包括设置在互联裸芯内部的旁路通路、第一旁通控制器和第二旁通控制器，第一旁通控制器分别与互联裸芯的第一同步控制器和裸芯网络连接，第二旁通控制器分...
魏敬和黄乐天肖志强曹文旭鞠虎高营
文献传递
一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺
本发明涉及一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，并所述衬底表面形成第一二氧化硅层；b、在上述第一二氧化硅层上设置复合材料层；c、对上述复合材料层进行刻蚀，形成场区隔离结构；d、淀积多晶硅，通过...
吴建伟肖志强高向东洪根深
文献传递
一种基于有限差分格式的瞬态电磁-热耦合数值计算方法
本发明公开一种基于有限差分格式的瞬态电磁‑热耦合数值计算方法，属于集成电路技术与计算物理学的交叉领域。本发明的计算方法面向系统级封装的实际需求，利用交替方向隐式的有限差分格式，在时域内耦合求解电磁场和温度场的状态方程，并...
王辂肖志强曾燕萍孟祥冬顾廷炜
互联裸芯与MPU的接口系统及其通信方法
本发明涉及互联裸芯与MPU的接口系统及其通信方法。互联裸芯与MPU的接口系统包括：数据接口、中断接口和调试接口；数据接口包括SPI接口、DDR数据接口和DMA控制接口，SPI接口用于MPU在启动阶段的自主启动，DMA控制...
魏敬和黄乐天肖志强冯敏刚丁涛杰郑利华
文献传递
互联裸芯的时钟域系统及其管理方法
本发明涉及芯片的时钟管理，尤其是互联裸芯的时钟域系统及其管理方法。互联裸芯的时钟域系统，包括：全局时钟域、均与所述全局时钟域连接的标准协议接口时钟域和跨裸芯接口源同步时钟域；所述全局时钟域用于管理互联裸芯内部的裸芯级网络...
魏敬和黄乐天肖志强王小航冯敏刚刘德
新型功率半导体器件体内场关键技术与应用
张波李泽宏乔明肖志强方健王卓罗小蓉杜秋平卢世勇李肇基
功率半导体技术是电子科技大学微电子领域的特色学科方向，张波教授团队长期专注于功率半导体技术领域的学术研究和产品开放，在该方向的研究中，为解决高压功率集成技术的纵向耐压以及中国受限于国外在高端功率半导体技术方面的垄断问题，...
关键词：
关键词：功率半导体器件功率集成电路
SOI SONOS EEPROM总剂量辐照阈值退化机理研究被引量：2
2011年
阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOISONOSEEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施.
李蕾蕾于宗光肖志强周昕杰
关键词：SONOSEEPROMSOI辐照
超高总剂量辐射下SOI MOS器件特性研究被引量：3
2009年
在超高总剂量辐射下,界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著,甚至会引起NMOS的阈值电压增加,即所谓的"反弹"现象[1,2]。文章研究的SOINMOS的阈值电压并没有出现文献中所述的"反弹",原因可能和具体的工艺有关。另外,通过工艺器件仿真和辐射试验验证,SOI器件在超高总剂量辐射后的漏电不仅仅来自于阈值电压漂移所导致的背栅甚至前栅的漏电流,而是主要来自于前栅的界面态的影响。这样,单纯的对埋层SiO2进行加固来减少总剂量辐射后埋层SiO2中的陷阱正电荷,并不能有效提高SOIMOS器件的抗超高总剂量辐射性能。
洪根深肖志强高向东何玉娟徐静陈正才
关键词：SOI总剂量辐射
抗总剂量辐射0·8μmSOI CMOS器件与专用集成电路(英文)被引量：2
2006年
介绍了采用全剂量SI MOX SOI材料制备的0·8μmSOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性,该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad(Si)的总剂量的关系来表征.实验结果表明pMOS器件在关态下1Mrad(Si)辐射后最大阈值电压漂移小于320mV,nMOS器件在开态下1Mrad(Si)辐射后最大阈值电压漂移小于120mV,器件在总剂量1Mrad(Si)辐射后没有观察到明显漏电,在总剂量500krad(Si)辐射下专用集成电路的静态电流小于5μA.
肖志强洪根深张波刘忠立
关键词：SOISIMOX专用集成电路
一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺
本发明涉及一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，并所述衬底表面形成第一二氧化硅层；b、在上述第一二氧化硅层上设置复合材料层；c、对上述复合材料层进行刻蚀，形成场区隔离结构；d、淀积多晶硅，通过...
吴建伟肖志强高向东洪根深
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