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肖本

作品数：9 被引量：9H指数：2
供职机构：广东机电职业技术学院更多>>
发文基金：深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇带隙基准
  • 3篇带隙基准源
  • 3篇电压源设计
  • 3篇基准源
  • 3篇放大器
  • 3篇CMOS
  • 2篇低压
  • 2篇运算放大器
  • 2篇温度补偿
  • 2篇温度系数
  • 2篇CMOS运算...
  • 1篇低功耗
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇电磁
  • 1篇电路
  • 1篇电路仿真
  • 1篇电阻网络
  • 1篇多通道
  • 1篇延迟锁相环

机构

  • 5篇广东机电职业...
  • 4篇西安电子科技...
  • 1篇北京大学
  • 1篇深圳信息职业...

作者

  • 9篇肖本
  • 2篇吴玉广
  • 1篇房丽娜
  • 1篇陈勖
  • 1篇贾新章
  • 1篇杨文杰
  • 1篇李冬林
  • 1篇胡学忠
  • 1篇宋志强
  • 1篇陈永聪
  • 1篇冯宁

传媒

  • 4篇电子科技
  • 2篇电子器件
  • 1篇电子世界
  • 1篇深圳信息职业...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2013
  • 4篇2006
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
基于SOC应用恒定跨导Rail-to-Rail CMOS运算放大器被引量：2
2006年
基于SOC应用,采用CSMC 0.5μm DPDM CMOS工艺,设计了一种恒定跨导的Rail-to-Rail CMOS运算放大器。该运算放大器采用平方根电路恒定输入级总跨导;同时运用Class AB推挽电路作输出级,获得高驱动能力和低谐波失真。在5 V单电源工作电压、30 pF负载电容和10 KΩ负载电阻情况下,经过Hspice仿真,运放的直流开环增益达到98 dB,相位裕度为65°,输入级跨导最大偏差低于17%。
肖本吴玉广
关键词：运算放大器CMOS
基于FPC应用的电磁屏蔽膜设计被引量：1
2016年
基于电磁屏蔽膜在FPC应用上日趋广泛,本文以片状银粉作为导电介质,以油墨作为绝缘体,以环氧树脂、固化剂等试剂混合为成膜剂设计出用于FPC软性电路版上的电磁屏蔽薄膜,本电磁薄膜屏蔽效能达到55d B,压合后厚度在15-21um,具有良好的制成适用性、耐高温、抗化学性,符合环保要求,性价比高。
肖本杨文杰
一种低压新型曲率补偿基准电压源设计
2013年
要基于Chrt0.35μmCMOS工艺,设计了一种基于亚阈值工作区的一阶温度补偿和I2PTAT电路组成的带隙基准电压源。芯片测试结果表明,电路在1.2 V电源电压下便可工作;在温度-20～120℃范围内,基准电压源平均温度系数<2×10-6/℃。该带隙基准源具有良好的可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。
肖本冯宁肖明
关键词：带隙基准源曲率校正温度系数
基于WCDMA接收机系统的低噪声放大器设计
2013年
介绍了低噪声放大器的基本工作原理,并对噪声源进行了分析。提出了采用先进的TSMC90 nm工艺,设计了一种基于WCDMA接收机系统的全差分拓扑共源共栅型低噪声放大器。该放大器片内集成了电感、电容,片外配置匹配网络。芯片测试结果表明:电路在2 GHz工作频率下,电压增益达到20 dB、噪声系数NF为1.4 dB、IIP3为-3.43 dBm。综合各项数据表明,该低噪声放大器具备良好的性能,可广泛适用于通讯系统之中。
肖本陈永聪
关键词：噪声放大器WCDMA
5×10^(-6)/℃的带隙基准电压源设计被引量：2
2006年
在传统一级温度补偿带隙基准电路的基础上,对电路进行了改进,实现二级温度补偿,该电路可以在-40～115℃范围内,达到平均低于5×10-6/℃的温度系数。整个电路采用Chartered0.35μmCMOS工艺实现,使用Hspice仿真器进行仿真。仿真结果证明此基准电压源具有很低的温度系数。
宋志强吴玉广李冬林肖本
关键词：带隙基准源温度系数PTAT温度补偿
CMOS运算放大器失调电压消除设计被引量：4
2015年
基于直流对称偏置技术、版图的对称布局布线和先进的CMOS工艺技术。文中设计了一种低失调电压的高性能运算放大器。测试结果表明,在负载电容100 p F和电阻10 kΩ的情况下,最大失调电压<2 m V;开环增益为98 d B;单位增益带宽达到10.4 MHz;相位裕度为55°;电源抑制比为-87 d B。该电路可广泛用于高性能数模混合电路、高性能模拟、计算、控制等系统中。
肖本肖明
关键词：运算放大器CMOS
用于环路校准的延迟锁相环设计
2015年
延迟锁相环能够产生精确的延时而被广泛使用。本文介绍了一种适用于直接调制发射机锁相电路环路校准的延迟锁相环。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,参考频率为26 MHz。在3.3 V电源电压下的仿真结果显示:延迟锁相环锁定时间为520ns,锁定相位为2π,同时输出8路相位差为45o间隔的时钟。
陈勖房丽娜肖本
关键词：锁相环延迟锁相环鉴相器
多通道低功耗数摸转换器的设计
本项目的目的是设计一个8路8比特低功耗数模转换器(DAC)的IC芯片。随着计算机技术、信号处理技术、微电子技术的快速发展，先进的电子系统不断涌现。在许多电子系统的后端，应用了数模转换器。在一定程度上数模转换器已经成为当今...
肖本
关键词：IC芯片电阻网络电路仿真
文献传递
低压下5×10^(-6)/℃的带隙基准电压源设计
2006年
为了减小高精度Pipeline/ADC中基准源的温漂特性,从而保证系统的整体性能,通过对传统一阶温度补偿电路进行改进,采用二阶温度系数补偿,获得了低于5×10-6/℃温度系数的基准电压源。整个电路采用成熟先进的Chrt0.35μmCMOS工艺,使用Hspice进行仿真。仿真结果证明此基准电压源的温度系数极低,平均温度系数低于5×10-6/℃。
胡学忠贾新章肖本
关键词：带隙基准源CMOS温度补偿
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