胡春阳
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管
- 1990年
- 根据器件结构的优化设计,严格控制生长参数以及理想的器件制备工艺获得了低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管。测量了百余支器件,0.9V_b下漏电流I_d<20nA;响应度～(0.7—0.8)mA/mW,最大倍增30—85(入射光波长1.3μm,功率1.6μW),参与倍增的暗电流l_(dm)最小可达0.25nA。
- 王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹孙捷樊爱香
- 关键词：雪崩二极管INGAAS
- 长波长InGaAs/InP APD光接收组件
- 1992年
- 在理论分析与计算的基础上研制了一种用于140Mb/s长波光纤通信的新型高灵敏度光接收组件,组件采用混合集成电路技术制成,由InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管和硅双极晶体管互阻型前置放大器组成.工作波长为1.3μm时,理论计算的灵敏度为-48.6dBm,实际测量值为-47dBm,优于现有的PIN/FET光接收组件或Ge雪崩光电二极管.
- 胡春阳王树堂曾靖夏彩虹何军周洲
- 关键词：光纤通信APD铟镓砷
- InGaAs/InGaAsP/InP长波长雪崩光电二极管研究被引量：1
- 1991年
- 研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0～1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和载流子浓度的控制问题。器件最大倍增因子大于50,灵敏度大于0.70μA/μW,暗电流I_D的典型值约为20nA(V_r=0.9V_B)。
- 李锋王树堂曾靖樊爱香夏彩虹孙捷胡春阳白金花陈心敏
- 关键词：光电二极管
