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胡皓阳

作品数:31 被引量:12H指数:3
供职机构:中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金宁波大学王宽诚幸福基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 18篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 12篇晶体
  • 6篇单晶
  • 5篇热导率
  • 5篇碲化铋
  • 5篇碲化镉
  • 5篇晶体生长
  • 4篇下降法
  • 4篇光谱
  • 4篇SUB
  • 4篇掺杂
  • 3篇单晶体
  • 3篇荧光
  • 3篇真空
  • 3篇真空热压
  • 3篇真空热压烧结
  • 3篇热电
  • 3篇热电材料
  • 3篇热压
  • 3篇热压烧结
  • 3篇籽晶

机构

  • 24篇中国科学院宁...
  • 8篇宁波大学
  • 2篇上海电机学院
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇上海应用技术...

作者

  • 31篇胡皓阳
  • 24篇蒋俊
  • 12篇江浩川
  • 10篇徐静涛
  • 7篇刘柱
  • 6篇金敏
  • 6篇夏海平
  • 5篇汪沛渊
  • 5篇彭江涛
  • 5篇孙鹏
  • 5篇何军
  • 3篇张约品
  • 3篇肖昱琨
  • 3篇唐磊
  • 3篇张强
  • 2篇刘永福
  • 2篇唐磊
  • 2篇付亚杰
  • 1篇胡建旭
  • 1篇万云涛

传媒

  • 2篇发光学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇第十七届全国...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇机械制造
  • 1篇应用技术学报

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 6篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 6篇2015
  • 5篇2013
  • 1篇2012
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种用于白光LED的Tm<Sup>3+</Sup>/Dy<Sup>3+</Sup>掺杂LiYF<Sub>4</Sub>单晶体及其制备方法
本发明公开了一种用于白光LED的Tm<Sup>3+</Sup>/Dy<Sup>3+</Sup>掺杂LiYF<Sub>4</Sub>单晶体及其制备方法。在LiYF<Sub>4</Sub>晶体中同时含Tm<Sup>3+</S...
夏海平唐磊汪沛渊彭江涛胡皓阳张约品
文献传递
一种Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>6</Sub>晶体生长方法
本申请提供了一种Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>6</Sub>晶体生长方法,采用溶体生长法,将Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>6</Sub>籽晶与Ag<Sub>8</Sub>SnSe<Sub>...
金敏蒋俊胡皓阳邵和助徐静涛江浩川
一种硒化锡基热电材料、其制备方法及应用
本申请公开了一种硒化锡基热电材料,包括具有式Ⅰ所示化学式的化合物中至少一种,其中,元素A选自Ag;元素M选自Sb、Bi中的至少一种;元素N选自Se、Te中的至少一种;x的取值范围为:0.15<x<0.5。本申请通过固相合...
王泓翔蒋俊谈小建刘国强胡皓阳
文献传递
SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展被引量:1
2020年
SnSe晶体是一种新型低成本环境友好型热电半导体材料,近几年已成为国内外研究的热点。为了获得SnSe晶体,目前国际上主要采用垂直布里奇曼法和垂直梯度凝固法两种技术进行生长。然而该材料因具有独特的层状结构和复杂热膨胀特征,其在晶体生长过程中极易发生解理开裂,导致难以获得大尺寸晶体。为了解决高完整SnSe晶体制备难题,本团队在材料体系相图及热重分析指导下,近年来先后开发出了气相法、水平熔体法以及水平液封法等多种晶体制备技术,均成功获得了较大尺寸的SnSe晶体材料。本论文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等多方面对相关技术创新情况予以介绍,并将它们的优缺点进行了对比。综合评价认为水平液封法在获取高完整SnSe晶体及性能调控方面具有显著优势,未来将逐渐成为一种广受欢迎的技术。
白旭东胡皓阳蒋俊李荣斌申慧徐家跃金敏
关键词:半导体热电晶体生长技术创新
一种制备SnSe晶体的方法
本申请提供了一种制备SnSe晶体的方法,其特征在于,将含有SnSe多晶的原料置于斜体生长炉中的容器中生长得到;所述斜体生长炉的炉体轴向与水平方向的夹角为15~30°。该方法通过采用斜体生长有效减少了晶体与容器的接触面积,...
金敏蒋俊胡皓阳邵和助徐静涛江浩川
文献传递
一种碲化铋基热电材料及其制备方法
本申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法。碲化铋基热电材料选自具有如式Ⅰ所示化学式的化合物中的至少一种。制备方法包括a)将含有Bi单质、Te单质、Sb单质或Se单质的混合物料加入储料管中、封管,然后依次进行熔炼、区域...
王泓翔熊成龙罗国强胡皓阳雅克·纪尧姆·努丹蒋俊
一种碲化铋基热电材料及其制备方法
本申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法,所述碲化铋基热电材料包括基体材料和掺杂在所述基体材料内的半导体材料;所述基体材料包括碲化铋;所述半导体材料为三元化合物半导体材料。本申请热电材料通过在基体材料中掺入三元化合物...
张强蒋俊谈小建郭哲吴港王泓翔付亚杰胡皓阳
退火对移动加热法生长的CdTe单晶性能影响
CdTe系列半导体化合物,是一种新型的χ和γ射线探测材料,被广泛的应用于医学成像、空间探测、核安全检查等领域。垂直布里奇曼法具有设备简单,操作方面和生长速度快等优点,成为CdTe系列晶体制备最常见的方法之一。
胡皓阳徐静涛刘柱何军蒋俊江浩川
关键词:碲化镉退火性能表征
退火对移动加热法生长的CdTe单晶性能影响
CdTe系列半导体化合物,是一种新型的x和γ射线探测材料,被广泛的应用于医学成像、空间探测、核安全检查等领域。垂直布里奇曼法具有设备简单,操作方面和生长速度快等优点,成为CdTe系列晶体制备最常见的方法之一。但由于CdT...
胡皓阳徐静涛刘柱何军蒋俊江浩川
关键词:碲化镉退火性能表征
文献传递
一种基于半导体制冷的制冰装置及真冰滑冰场
本申请公开了一种基于半导体制冷的制冰装置及真冰滑冰场,属于半导体制冷技术领域,能够解决现有传统滑冰场结冰速度慢、成本高,且对环境造成损害的问题。所述制冰装置包括:载冰单元和设置在载冰单元底部的至少一个制冷单元,载冰单元用...
肖昱琨蒋俊胡皓阳陈燕青孙鹏刘泽华尹亦农
共4页<1234>
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