您的位置: 专家智库 > >

范艳伟

作品数:51 被引量:38H指数:4
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院西部之光基金新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
相关领域:理学核科学技术电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 29篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇理学
  • 6篇核科学技术
  • 5篇电子电信
  • 3篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 12篇光激励
  • 11篇发光
  • 11篇掺杂
  • 10篇光激励发光
  • 10篇光致
  • 9篇电阻
  • 9篇热敏电阻
  • 9篇光致荧光
  • 8篇负温度系数
  • 7篇温度系数
  • 6篇蛭石
  • 6篇剂量计
  • 5篇单晶
  • 5篇单晶硅
  • 5篇电子俘获
  • 5篇膨胀蛭石
  • 4篇电离辐射
  • 4篇电学参数
  • 4篇氧化钐
  • 4篇磷酸

机构

  • 51篇中国科学院新...
  • 6篇中国科学院研...
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院过...

作者

  • 51篇范艳伟
  • 51篇陈朝阳
  • 29篇王军华
  • 14篇巴维真
  • 12篇刘艳平
  • 12篇丛秀云
  • 11篇闫世友
  • 8篇杜彦召
  • 7篇郭旗
  • 7篇汤新强
  • 7篇盖敏强
  • 6篇谢永新
  • 5篇刘秋江
  • 4篇董茂进
  • 4篇周步康
  • 4篇陶明德
  • 4篇刘文
  • 3篇朱磊
  • 3篇潘世列
  • 2篇陆妩

传媒

  • 3篇功能材料
  • 3篇核电子学与探...
  • 3篇电子元件与材...
  • 1篇非金属矿
  • 1篇发光学报
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇矿产保护与利...
  • 1篇影像科学与光...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 7篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 7篇2008
  • 7篇2007
  • 1篇2006
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高膨胀率蛭石制备新工艺研究被引量:12
2008年
对新疆尉犁蛭石样品采用新型微波加热法制备膨胀蛭石,并与电热加热900℃法制备的热膨胀蛭石进行对比分析。SEM分析结果表明:微波法制备的膨胀蛭石层与层之间分离彻底,层间孔隙多,平均膨胀倍数大;XRD分析结果表明:蛭石层间距变化小。通过XRD、差热和红外对比分析发现:微波加热对结构破坏较小,只是导致层间水蒸发丢失,而结构水基本没有蒸发,笔者认为这是微波法制备的膨胀蛭石层间距变化小、不发脆的原因。
杜彦召陈朝阳范艳伟王军华
关键词:膨胀蛭石微波加热SEMXRD
稀土掺杂磷酸锂镁光激励发光材料及其制备方法
本发明涉及一种稀土掺杂磷酸锂镁光激励发光材料及其制备方法,该材料是由原料氢氧化锂、硝酸镁、磷酸二氢铵、氧化铽和氧化钐,再加入助溶剂硼酸在高温下制成,化学式为LiMgPO<Sub>4</Sub>:Tb,Sm,B。本发明通过...
陈朝阳范艳伟王军华盖敏强
文献传递
Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性被引量:1
2009年
为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法,对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂,得到对温度敏感的补偿硅材料,并对其进行测试和分析。掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其导电类型仍为n型,且电阻率较低,为欠补偿,测试结果表明其常温电阻率ρ25=64~416Ω·cm,温度敏感系数(B值)在5300K左右;根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值,与实验值基本一致。
董茂进陈朝阳范艳伟丛秀云王军华陶明德
关键词:深能级杂质AUNI
荧光材料SrS:Eu,Sm在辐射剂量测量中的应用被引量:2
2008年
采用碳还原法合成了SrS∶Eu,Sm,并对光激励发光材料SrS∶Eu,Sm的辐射剂量特性进行了研究。将SrS∶Eu,Sm材料做成PMMA剂量片在60Coγ源下接受辐照,然后用自己搭建的在线实时测试系统对剂量片发出的荧光信号进行测量。主要探讨了光激励发光材料SrS∶Eu,Sm在辐射剂量测量中的应用。
刘艳平陈朝阳范艳伟巴维真郭旗潘世列汤新强
关键词:光激励发光电离辐射稀土
一种光致荧光材料的制备方法及其光谱特性研究
采用碳还原法合成 SrS:Eu,Sm,研究了灼烧温度及灼烧时间对样品发光性能的影响.通过 X 射线衍射(XRD)测试证明合成材料纯度较高,样品具有 SrS 的面心立方结构,晶格常数为0.601nm。样品的激发谱峰值在27...
陈朝阳刘艳平范艳伟巴维真杜彦召王军华
关键词:电子俘获光激励发光发光中心
文献传递
过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻,该热敏电阻采用涂源高温扩散方法,将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂,掺入P型单晶硅中;利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质,制备出珠状高B值低阻值热敏电阻,电学参数...
陈朝阳范艳伟丛秀云
文献传递
金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究被引量:3
2011年
采用开管涂源法,对ρ25为7?.cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR。研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析。结果表明:扩散温度θ=1 200℃、扩散时间t≥2 h时,导电类型反型为p型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000 K左右,ρ25恒定在(2~3)×103?.cm。
张希涛陈朝阳范艳伟丛秀云
关键词:NTC热敏电阻单晶硅深能级杂质
金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法
本发明涉及金和镍掺杂单晶硅片式热敏电阻,该热敏电阻采用涂源高温扩散方法,将过渡金属元素金和镍作为掺杂剂,掺入n型单晶硅中,利用金和镍在n型单晶硅中的电补偿性质,制备出负温度系数热敏材料,然后在精密划片机上划片,芯片两端制...
陈朝阳范艳伟董茂进丛秀云陶明德王军华
文献传递
光致荧光剂量计的研究被引量:4
2007年
介绍了光致荧光剂量计的原理和组成,并进行了辐射剂量测量,探讨了应用中存在的一些实际问题。
刘秋江陈朝阳范艳伟巴维真丛秀云汤新强郭旗陆妩朱磊
关键词:光致荧光
光致荧光材料CaS:Eu,Sm在辐射剂量测量中的应用
2008年
采用碳还原法合成了CaS:Eu,Sm,并对光激励发光材料CaS:Eu,Sm的辐射剂量特性进行了研究。将CaS:Eu,Sm材料做成PMMA剂量片在^(60)Coγ源下接受辐照,然后搭建在线实时测试系统对剂量片发出的荧光信号进行测量。文中主要探讨了光激励发光材料CaS:Eu,Sm在辐射剂量测量中的应用。
刘艳平陈朝阳范艳伟巴维真郭旗潘世列
关键词:光致荧光剂量计
共6页<123456>
聚类工具0