范越
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 不同状态CaAs表面上Au淀积研究
- 1990年
- 利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温度不同时,初始覆盖层中Au的覆盖度随温度升高而显著减少。
- 王大文钟战天范越牟善明
- 关键词：淀积AU覆盖层衬底温度粗糙度退火温度
- Si(100)—As表面钝化作用和氧吸附被引量：1
- 1990年
- 利用自己研制的具有分子束外延系统的表面分析联合谱仪研究了氧与Si(100)—As表面的相互作用。本文进一步证实了As层是Si表面的很好的钝化层,并首次研究了Si(100)—As表面的氧吸附全过程。实验表明,氧的饱和覆盖量为0.5单原子层,即Si表面上存在As原子层而使吸附位置减少一半。另外,通过吸附动力学分析得知,Si(100)—As表面的初始粘附系数是5.6×10^(-3),比清洁的Si(100)表面小一个数量级。Si表面上As的钝化作用是Si原子的悬挂键态被As原子的占有孤立对态代替而形成。
- 钟战天王大文范越李承芳
- 关键词：氧吸附
- 表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响
- 1990年
- 利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同。Au/GaAs界面退火实验表明,当退火温度小于约225℃时,表面内Ga、As含量随退火温度升高而等量增加;温度高于225℃时,As开始逸出。热退火同时还会使Au芯能级位置向高束缚能端移动。
- 王大文钟战天范越牟善明
- 关键词：原子态束缚能化学位移
- Al/a-Si:H界面反应和热处理行为光发射研究
- 1991年
- 利用XPS和AES对Al/a-Si∶H界面进行了研究.实验结果表明,最初阶段Al淀积在a-Si∶H上出现金属团.Al淀积量超过一定值后,起化学反应的Al和Si形成了互溶区,同时没有化学反应的Al在表面上形成金属Al层.此外,真空热处理加剧了Al/aSi∶H的界面反应和元素互扩散.
- 钟战天王大文廖显伯牟善明范越李承芳
- Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究
- 1991年
- 采用x射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES) 对Au/a-Si:H界面进行了研究。实验表明,Au/a-Si:H界面最初形成过程是以金属团生长形式出现,当Au淀积量超过一定值后,Au和Si开始互扩散并进行化学反应,结果形成Au-Si互溶区。利用光发射方法证实,热处理Au/a-Si:H界面导致淀积膜中Si岛形成。
- 钟战天王大文廖显伯范越范越牟善明
- 关键词：AUA-SI:HXPSAES
