蔡宗岐
- 作品数：6 被引量：9H指数：1
- 供职机构：沈阳理工大学理学院更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 微量Co^(2+)掺杂ZnO粉体的结构和光学性能研究
- 2012年
- 采用球磨法制备了Zn1-xCoxO(x=0,0.004,0.008)纳米粉体,分别利用XRD,PL光谱和紫外-可见吸收光谱对样品进行了表征。XRD图谱显示样品呈六方纤锌矿结构,随着Co2+离子掺杂量的增加,晶格常数和平均晶粒尺寸略有减小。在PL光谱上观察到三个发光带:370nm处的本征发光峰、468nm附近的强蓝光发光峰,以及533nm附近的绿光发光峰。和球磨样品相比,1 200℃退火的样品的发光强度明显增强,这归因于退火使样品晶粒长大。在紫外-可见吸收谱上可以观察到两个吸收带:由ZnO的带隙吸收引起的360～388nm的强紫外吸收带和由Co2+离子的d-d跃迁引起的565nm附近的可见光吸收带。因此通过调节Co2+掺杂量和选择适当的退火温度可制备高质量的发光材料。
- 胡杰柳峰高印博蔡宗岐
- 关键词：球磨退火光致发光紫外吸收
- 退火对Fe/Al_2O_3纳米复合物微波吸收性能的影响被引量：1
- 2014年
- 采用球磨法制备Fe/Al2O3纳米复合物,并在氩气保护下退火,研究了退火对Fe/Al2O3纳米复合物的微观结构、磁性和微波吸收性能的影响。结果表明,退火使样品的晶粒尺寸增大,缺陷减少,微观应力得到释放;同时,退火使Al2O3的缺陷发光峰强度明显减弱,398 nm和484 nm处的发光峰发生蓝移。厚度为7.7 mm的球磨样品,其反射损耗在15.5 GHz频率处达到最大值-11.4 dB。退火使样品的介电损耗和磁损耗均增大,电磁波吸收性能明显提高,厚度为6.4 mm时反射损耗在17 GHz频率处达到最大值-35.5 dB。
- 徐送宁赵美星孙乃坤杜宝盛蔡宗岐杜胜杰
- 关键词：FE微波吸收退火
- Ni^(2+)掺杂ZnO薄膜及粉体的结构和发光性能研究被引量：1
- 2012年
- 采用激光脉冲沉积法,用XeCl准分子激光器在Si(100)基片、真空和5Pa氧气气氛下制备了Ni 2+(0.8%(原子分数))掺杂的呈六角纤锌矿结构的ZnO薄膜。氧气气氛下制备的薄膜沿(002)取向生长,表面比较平整,平均颗粒尺寸为80nm。真空条件下制备的薄膜出现Zn2SiO4杂相,平均颗粒尺寸为150nm。和真空条件下制备的薄膜相比,氧气气氛下制备的薄膜具有较强的ZnO本征发光,在425nm附近出现由于填隙Zn缺陷引起的较宽的蓝光发光带,并且在482nm处出现了由于氧空位和氧间隙间的转换引起的较强的蓝光发光峰,同时由于氧缺陷引起的449nm附近的蓝光发光峰强度明显降低。
- 徐送宁蔡宗岐孙乃坤柳峰高印博赵美星
- 关键词：ZNO薄膜光致发光
- 过渡金属掺杂ZnO、SnO/_2的微观结构和发光性能研究
- 本文采用球磨法制备Zn/_/(1-x/)Ni/_xO、Zn/_/(1-x/)Co/_xO及Sn/_/(1-x/)TixO/_2纳米粉体，并采用激光脉冲沉积法，在单晶Si基底上制备Zn/_/(1-x/)Ni/_xO薄膜。采...
- 蔡宗岐
- 关键词：ZNO球磨法脉冲激光沉积光致发光
- 文献传递
- Cr^(3+)离子掺杂对Al_2O_3粉末结构及发光性能影响被引量：5
- 2011年
- 采用球磨法制备了不同浓度Cr_2O_3掺杂的Al_2O_3粉体,并在700℃、1200℃空气中退火2 h。1200℃退火后样品,除掺杂浓度为1.6%的样品中出现少量γ-Al_2O_3相外,其余样品相均为纯α-Al_2O_3。样品晶格常数随着Cr^(3+)离子浓度的增加而增加。采用波长为579 nm的激发光源对佯品进行荧光光谱检测发现所有样品在469-492 nm波段,均出现F^+心所引起的缺陷发光峰.1200℃退火的所有样品都出现一个由Cr^(3+)离子中电子由2A能级到~4A_2能级跃迁引起的在694 nm的强烈发光带,掺杂浓度为0.3%时发光强度最高。当掺杂浓度高于0.3%时,样品中Cr^(3+)未能完全替代Al_2O_3中的Al^(3+)离子,出现耦合,产生浓度猝灭现象,导致该波长发光强度减弱。对比而言,700℃退火样品仅掺杂浓度为0.3%时出现694 nm的发光,且强度较低。
- 孙乃坤高印博杨健柳峰蔡宗岐徐送宁
- 关键词：无机非金属材料荧光纳米粉体球磨
- 退火对Cr^(3+)离子掺杂Al_2O_3薄膜的结构及发光性能影响被引量：1
- 2013年
- 用脉冲激光沉积技术在Si(100)基底上制备了纯Al2O3、掺杂浓度为0.3%、1%(质量分数)的Cr3+∶Al2O3薄膜。制备态的薄膜为立方γ-Al2O3结构,经800℃真空条件下退火1h样品的结晶度有所提高,呈现α-Al2O3相与γ-Al2O3相的衍射峰。薄膜基本保持了靶材中原有各元素成分比例,平均粒径为250nm,形貌为条形。与Al2O3粉体相比,制备态薄膜在386nm处的发光峰强度明显提高。这可归因于薄膜中氧空位的增加使双氧空位吸收电子所产生的F2+色心浓度提高。薄膜经真空退火后在332、398nm附近的发光峰强度明显增强,这是由于薄膜中氧空位的增加提高了F+、F色心浓度。与此同时,制备态薄膜在386nm附近发光峰经退火后由386nm蓝移至381nm,可归因于退火后制备态薄膜的内应力得到了释放。1%(质量分数)Cr3+掺杂薄膜在646、694nm出现Cr3+离子由4 T2能级跃迁至4 A2能级及由E-能级跃迁至4 A2能级产生的荧光发光峰。
- 孙乃坤杜宝盛高印博柳峰蔡宗岐赵美星
- 关键词：脉冲激光沉积荧光光谱真空退火
