迟美
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
- 供职机构：太原理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划山西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学电子电信更多>>
- CoSb_2结构5d过渡金属二氮化物力学性质的第一性原理研究
- 2009年
- 基于密度泛函理论平面波赝势的第一性原理方法,对具有CoSb2结构5d过渡金属二氮化物TMN2(TM=Hf、Ta、W、Re、OsI、r、Pt、Au)的晶格常数、电子结构和力学性能进行了计算。计算结果表明,对于该结构的二氮化物,除AuN2外,均同时满足热力学和机械稳定性标准;其中OsN2具有最高的体弹性模量和剪切模量分别为418和257GPa;态密度分析表明,过渡金属原子的5d轨道与氮原子的2p轨道之间发生了强烈的杂化现象,二者之间形成了较强共价键。
- 迟美韩培德张竹霞刘旭光许并社
- 关键词：密度泛函理论力学性质
- GaN/C60多层膜结构及光学特性的理论分析
- 使用转移矩阵方法计算了GaN/C多层膜一维光子晶体的带隙结构。计算结果表明由厚度分别为21mm、49nm的GaN、C薄膜组成的多层膜结构在中心带隙为6.46eV处有一不完全的光子带隙存在,反射率最高可达64.3%。
- 韩培德王丽萍迟美党随虎贾伟许并社
- 关键词：富勒烯GAN多层膜
- 文献传递
- 5d过渡金属二氮化物的第一性原理研究被引量：3
- 2008年
- 基于密度泛函理论平面波赝势的第一性原理方法,对5d过渡金属TM(包含Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,Au元素)二氮化物TMN2的晶格常数、电子结构和力学性能进行了计算。计算结果表明,5d周期纯金属中Os具有最大的体弹性模量和剪切模量;构成的二氮化物中PtN2具有较高的体弹性模量和稳定结构,是可能的超硬材料;态密度分析表明,过渡金属原子的5d轨道与氮原子的2p轨道之间发生了强烈的杂化现象,二者之间形成了共价键。
- 闫新迟美韩培德许并社
- 关键词：密度泛函理论稳定性
- 白铁矿相5d过渡金属二氮化物力学性质的第一性原理研究
- 本文基于密度泛函理论平面波赝势的第一性原理方法,对白铁矿相5d过渡金属(TM=Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au)二氮化物TMN2的晶格常数、电子结构和力学性能进行了计算。结果表明：白铁矿结构TMN2同时满足热...
- 迟美张竹霞闫新韩培德许并社
- 关键词：过渡金属原子原子力学
- 文献传递
- AlN(10-10)表面结构的第一性原理计算被引量：2
- 2007年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了六方AlN及其(10-10)表面的原子及电子结构。其中计算出的六方AlN晶体中的晶格常数和体弹性模量与实验值很符合。用平板超原胞模型模拟计算AlN(10-10)表面的原子及电子结构,结果表明:AlN(10-10)表面弛豫后,表面顶层原子之间的键长收缩并发生扭转。表面原子均向体内移动,原子轨道重新杂化,N原子趋向于p3构型,Al原子趋向于sp2构型。
- 贾伟王进韩培德党随虎迟美刘旭光许并社
- 8-羟基喹啉锂及其衍生物电子性质的密度泛函理论研究
- 采用以密度泛函理论(DFT)为基础的量子力学程序DMOL3,讨论了8-羟基喹啉锂(Liq)及其衍生物的电子结构.结果表明,吸电子取代基-CN很好地参与了整个π体系共轭,对体系性质影响较大,而给电子取代基-CH3与体系的共...
- 房晓红韩培德迟美刘旭光许并社
- 关键词：发光材料电子结构密度泛函理论
- 文献传递
- 第一性原理对富勒烯和氮化物的模拟计算研究
- 材料是社会发展的物质基础和先导，而新材料则是社会进步的里程碑。由C、N两种非金属轻元素构成的新材料被广泛应用于化工、材料、电子、生物等多个领域，如人们熟知的金刚石、富勒烯、氮化镓等。然而，在对这些材料的研究过程中由于实验...
- 迟美
- 关键词：富勒烯氮化物第一性原理数学模型密度泛函功能材料
- 文献传递
- Cr对Ni_3Al合金化效应的赝势平面波方法被引量：6
- 2008年
- 基于第一性原理赝势平面波方法研究了Cr加入Ni-Al合金后对Ni3Al几何和电子结构的影响,计算了不同强化相的晶胞总能量、形成热、结合能、费米能级下的成键电子数以及态密度、电荷密度,从不同角度出发,研究了不同强化相的稳定性。计算结果表明Ni-Al合金中添加Cr,Cr优先置换Al位且析出的新强化相较原强化相Ni3Al更为稳定,原因在于含Cr的新强化相在低能级处强烈成键,提高了其稳定性,其中Ni6Cr2最为稳定,但只在590℃下稳定存在,Ni5AlCr2、Ni6AlCr、Ni4Al2Cr2、Ni5Al2Cr稳定性依次降低。
- 张彩丽李晋敏韩培德迟美闫凌云刘旭光许并社
- GaN/C_(60)多层膜结构及光学特性的理论分析
- 2005年
- 使用转移矩阵方法计算了GaN C6 0 多层膜一维光子晶体的带隙结构。计算结果表明,由厚度分别为2 1nm、4 9nm的GaN、C6 0 薄膜组成的多层膜结构,在中心带隙为6 . 4 6eV处有一不完全的光子带隙存在,反射率最高可达6 4 . 3%。
- 韩培德贾虎生梁建鲍慧强王丽萍迟美许并社
- 关键词：富勒烯GAN多层膜
