郭康瑾
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用于宽带光纤用户网的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED被引量：1
- 1991年
- 本文设计并制作了带有集成透镜的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED.器件的调制带宽达425MHz,与梯度折射率多模光纤的耦合效率高达7.5％,适用于四次群以上的宽带光纤通讯系统,在未来的宽带ISDN中将发挥重要作用.
- 郭康瑾肖德元陈启玙徐少华陈瑞璋张晓平
- 关键词：光纤通信INGAASP/INPLED
- 自集成透镜InGaAsP/InPDHLED及其离子束铣技术被引量：1
- 1991年
- 本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。
- 肖德元郭康瑾付新定徐少华方红丽张坚萍陈启玙陈瑞璋
- 关键词：发光二极管光纤通信
- 外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAs DH LED
- 1992年
- 描述了采用外延迁移技术制作光电子集成电路的Si衬底砷化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果.发光器件是在外延迁移后流片制作的,克服了光子器件与电子器件的对准问题,可与电子器件大规模集成.
- 肖德元郭康瑾李爱珍徐少华朱黎明
- 关键词：光电子LED
- 高效率PBRS InGaAsP/InP LED的研究
- 1992年
- 用于单模光纤系统的平面隐埋脊型(PBRS)InGaAs P/IuP DH LED已研制成功.本文对材料和器件设计作了简要描述.异质结晶体系采用二次液相外延生长,器件具有斜胶面受激抑制结构和平面隐埋脊型有源区,用激光焊接金属化封装技术使器件与单模光纤耦合对接.波器件在单模光纤中的入纤功率达35μW,是国内已见报道中最高的结果,带宽195MHz.在四次群传输实验中,无中继传输距由大于20公里.
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- 关键词：发光二极管异质结
- 高速1.3μm LED研究
- 肖德元郭康瑾陈启
- 关键词：发光二极管半导体工艺光导纤维通信系统掺杂
- 集成透镜InGaAsP/InP DH LED特性研究
- 1991年
- 本文设计与制作了集成球透镜1.3μm InGaAsP/InP DH LED,并对集成透镜LED的频响特性,光强远场分布以及与光纤的耦合特性等方面进行了测试分析.研究结果表明,球透镜LED与标准光纤的耦合效率较之乎面型LED有显著提高,达7.5％,器件截止频率也比平面型LED提高的20％,最高截止带宽达425MHz.
- 肖德元陈瑞璋朱黎明史智华徐少华陈启玙郭康瑾
- 关键词：INGAASPINP
- 通过InGaAsP外延层的InP深Zn扩散理论与实验研究被引量：1
- 1992年
- 研究了Zn在InP、InGaAsP以及InGaAsP/InP中的扩散,扩散结深均与时间的平方根成正比.对于InGaAsP/InP单异质结,扩散结深还与InGaAsP覆盖层的厚度x_0有关.推导出其结深与扩散时间的函数关系为x_j/t^(1/2)=-x_0/(rt^(1/2))+I.
- 肖德元徐少华郭康瑾
- 关键词：光电子器件
- Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究
- 1992年
- Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5～3×10^(15)cm^(-3)、厚度约为20μm的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为1×10^(15)cm^(-2)的质子轰击,在直径为150μm的光敏区外形成高阻保护区。半透明的Pt肖特基势垒膜用特殊的蒸发法形成。器件的峰值响应波长随偏压的改变可以从8600(?)移动到8835(?),截止波长可延伸到9700(?),观察到明显的Franz-Keldysh效应。器件倍增可达100以上;暗电流仅几纳安;过剩噪声系数为7;上升、下降时间短于1ns。这种器件可与FET实现平面集成。
- 郭康瑾胡维央姚文兰陈莲勇
- 关键词：雪崩光电探测器GAAS肖特基势垒
- InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究
- 1991年
- 本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al_2O_3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al_2O_3的介电常数为11～12,Al_2O_3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在E_c-E_c=0.5eV,其俘获截面约为10^(-15)cm^2,Al_2O_3/InP的界面态密度为10^(11)cm^(-2)eV^(-1)。阳极氧化Al_2O_3的稳定性要比InP自身氧化物好得多,更适于用作器件的钝化保护和扩散掩蔽膜。
- 郭康瑾杜根娣吴征
- 关键词：半导体界面阳极氧化介质薄膜
