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郭晖

作品数:5 被引量:14H指数:2
供职机构:西安应用光学研究所更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇增强器
  • 4篇微光像增强器
  • 4篇像增强器
  • 2篇光阴极
  • 1篇短波
  • 1篇应力
  • 1篇粘结
  • 1篇三代微光像增...
  • 1篇数对
  • 1篇透射
  • 1篇透射式
  • 1篇微通道板
  • 1篇灵敏度
  • 1篇敏度
  • 1篇积分
  • 1篇光谱响应
  • 1篇分辨力
  • 1篇半导体
  • 1篇XAS
  • 1篇AL

机构

  • 5篇西安应用光学...

作者

  • 5篇郭晖
  • 2篇程耀进
  • 2篇石峰
  • 1篇冯驰
  • 1篇彭岔霞
  • 1篇高斐
  • 1篇向世明
  • 1篇徐晓兵
  • 1篇胡仓陆
  • 1篇袁晓曼
  • 1篇朱宇峰

传媒

  • 4篇应用光学
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2000
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
微光像增强器近贴距离在线测试方法研究被引量:2
2009年
鉴于近贴距离尤其第一近贴距离是影响分辨力最重要的因素,提出一种新的微光像增强器近贴距离在线测试方法。应用平行平板电容器原理,通过测量阴极面和微通道板输入面之间的电容值来测量第一近贴距离。利用多组电容值和第一近贴距拟合出二者的函数关系式,通过精度分析,对函数关系式进行了修订及验证,测量最大偏差11.9%,满足精度要求。借助在线监控测试第一近贴距离,使压封过程处于受控状态,以便实现近贴距离的精密调控,达到提高微光像增强器分辨力的目的。该方法可推广到其他小间距的在线监控测试。
程耀进郭晖
关键词:微光像增强器
积分光荧光测试在三代微光像增强器光阴极制作中的应用被引量:4
2000年
本文基于半导体材料积分光荧光测试的原理 ,叙述在三代微光像增强器光阴极组件制作工艺过程中光荧光强度的变化规律及其测试结果 ,对其作出理论解释 ,并且说明如何依此规律对工艺过程进行监控。
郭晖
关键词:半导体光阴极应力三代微光像增强器
MCP参数对微光像增强器分辨力影响研究被引量:5
2010年
为了全面分析微通道板(MCP)参数对微光像增强器分辨力的影响,利用电子散射理论分析了MCP输出电子横向散射和MCP非开口面的电子散射情况,得到了MCP通道间距、输出电极结构和开口面积比等参数对微光像增强器分辨力的影响。分析结果指出:通过减小通道间距、采用MCP输出面镀多层电极或增加MCP输出端电极深度实现减小MCP输出电子横向扩散、增加开口面积比等,提高整个微光像增强器的分辨力。试验证明该方法有助于提高微光像增强器分辨力。
程耀进石峰郭晖朱宇峰袁晓曼
关键词:微通道板微光像增强器分辨力
Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs光阴极光谱响应向短波延伸的机理分析和实验研究被引量:2
2007年
为了实现光阴极光谱响应向短波延伸,分析了G a1-xA lxA s/G aA s三代微光光阴极光谱响应向短波延伸的机理,提出了准禁带宽度的概念,讨论了G a1-xA lxA s的禁带宽度随铝组份x值的增加而逐渐变宽的变化规律,计算了不同铝组份下光阴极光谱响应的短波限。通过提高光阴极材料的铝组份,做出了宽光谱响应像管,并给出了相应的光谱响应曲线。通过与标准三代微光像管光谱响应对比,发现:所得光谱响应曲线不仅向短波方向得以延伸,而且理论设计与实验结果吻合很好。
郭晖
关键词:光阴极光谱响应
透射式GaAs光阴极的静电键合粘结被引量:1
2008年
提出了用于GaAs光阴极粘结的静电键合方法.相比于传统的热粘结方法,该方法温度低(350℃),时间短(5min),在空气中进行.所制得的GaAs光阴极在激活台内的峰值灵敏度为68.8mA/w(峰值波长为830nm).以此制作的三代微光管的积分灵敏度为1311uA/lm,优于传统的热粘结工艺制作的微光管的灵敏度(~1200uA/lm).
高斐郭晖胡仓陆向世明石峰彭岔霞冯驰徐晓兵
关键词:微光像增强器灵敏度
共1页<1>
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