阚彩侠
- 作品数：93 被引量：107H指数：7
- 供职机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学文化科学更多>>
- 一种钙钛矿异质结自驱动光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种钙钛矿异质结自驱动光电探测器，包括绝缘衬底，绝缘衬底的表面设置InGaN薄膜，InGaN薄膜远离的绝缘衬底的一侧间隔设置金属电极、CsPbBr<Sub>3</Sub>微米带，CsPbBr<Sub>3</S...
- 阚彩侠蔺承鑫姜明明
- 一种实现ZnO微米线EHP激光的方法
- 本发明公开了一种实现ZnO微米线EHP激光的方法，包括如下步骤：步骤1：在ZnO:Ga微米线上溅射Ag准粒子薄膜，并利用焦耳热效应将ZnO:Ga微米线上的Ag准粒子薄膜转变成大尺寸的AgNPs，形成大尺寸AgNPs包覆Z...
- 姜明明万鹏阚彩侠唐楷马琨傑周祥博刘洋
- 文献传递
- Au纳米双锥的提纯
- 2018年
- Au纳米双锥的纯度对其性能和应用有重要影响,直接制备的Au纳米双锥纯度不高.利用排空相互作用原理,分别采用BDAC、TDBAC和Au@Ag双金属纳米棒三种方法提纯Au纳米双锥,分析比较各方法的适用情况:BDAC的提纯方法操作简单,但耗时长,适合大规模制备;TDBAC法结合离心手段将提纯所需时间缩短为1 h,但受限于离心机的容量而无法大规模制备;Au@Ag双金属纳米棒法操作复杂,实验周期长且产量低,但提纯效果最好.三种方法将Au纳米双锥的纯度提高到95%以上.
- 楼叶珂阚彩侠
- 关键词：提纯
- 一种SnO<Sub>2</Sub>微米线异质结基自驱动紫外探测器及其制法与应用
- 本发明公开了一种SnO<Sub>2</Sub>微米线异质结基自驱动紫外探测器，包括p‑GaN衬底，p‑GaN衬底，p‑GaN衬底上间隔设置金属阳极和MgO薄膜，MgO薄膜表面依次设置Ag NWs修饰的n‑SnO<Sub>...
- 阚彩侠杨振宇许统姜明明
- 逐差法和Origin7.0软件在牛顿环实验数据处理中的比较被引量：9
- 2015年
- 用逐差法和origin7.0软件分别对大学物理牛顿环实验数据进行处理。结果表明,origin7.0软件处理实验数据具有简单、准确、快速等特点,在数据处理中有广泛应用。
- 徐海英唐曙光阚彩侠缪长宗
- 关键词：牛顿环逐差法ORIGIN
- 一种轻稀土调制的巨磁致伸缩材料及其制备工艺
- 本发明提供一种微量添加轻稀土到传统补偿系统并且通过控制熔炼过程直接得到取向柱状晶巨磁致伸缩材料的方法。该方法利用轻稀土Pr和Nd的大的本征磁致伸缩和低的磁晶各向异性的特点，对现有的补偿系统进行了优化，并且在熔炼中添加过冷...
- 时阳光胡成超阚彩侠施大宁
- 文献传递
- 金纳米星的合成与应用
- 2025年
- 随着纳米技术的飞速发展,三维复杂结构的金纳米星已成为一种新型纳米材料。金纳米星具有独特的物理化学性质,如可调制的局域表面等离激元光学特性、表面增强拉曼散射效应、光热特性、较大的比表面积等,这些性质使其在纳米材料和生物医学领域具有极高的潜在应用价值。本文首先介绍了近年来国内外金纳米星的合成方法,主要包括种子介导生长法和一步合成法(这两种制备方法均存在各自的优缺点),以及对金纳米星尺寸、枝杈的的调控研究;接着对金纳米星性质中的等离激元特性进行展开描述,并对其理论基础进行解释;本文对目前金纳米星在催化、SERS检测和生物医学领域最新研究进展进行了总结,并展望了金纳米星未来的研究内容和方向。
- 续丽辉朱兴忠徐娟阚彩侠
- 关键词：表面增强拉曼散射催化生物医药
- 形貌可控贵金属纳米颗粒的合成、光学性质及生长机制被引量：14
- 2011年
- 近二十年来,贵金属纳米颗粒由于其独特的性质,已成为人们广泛研究的课题.研究人员应用多种方法来合成纳米尺度的贵金属材料并且探讨了纳米材料的性质与尺寸和形状的关系.本文简单回顾贵金属纳米颗粒的合成方法,主要讨论纳米颗粒的形状对其光学性质的影响和颗粒的生长机制,最后简述贵金属纳米材料的应用前景.
- 曹艳丽丁孝龙李红臣伊兆广王祥夫朱杰君阚彩侠
- 关键词：贵金属形貌可控光学性质
- 一种轻稀土调制的巨磁致伸缩材料及其制备工艺
- 本发明提供一种微量添加轻稀土到传统补偿系统并且通过控制熔炼过程直接得到取向柱状晶巨磁致伸缩材料的方法。该方法利用轻稀土Pr和Nd的大的本征磁致伸缩和低的磁晶各向异性的特点，对现有的补偿系统进行了优化，并且在熔炼中添加过冷...
- 时阳光胡成超阚彩侠施大宁
- 文献传递
- 单根ZnO:Ga微米线异质结基点光源器件及制备方法
- 本发明公开了单根ZnO:Ga微米线异质结基点光源器件及制备方法，属于半导体光电子器件技术领域，器件包括石英底座、p‑GaN衬底、p‑GaN衬底上方设置的AgNPs@ZnO:Ga复合体系，AgNPs@ZnO:Ga复合体系包...
- 阚彩侠周祥博姜明明施大宁
- 文献传递
