陈兰芳
- 作品数：14 被引量：11H指数：2
- 供职机构：菏泽学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 纳米多孔碳氧硅薄膜的制备方法及薄膜
- 本发明提供了一种纳米多孔碳氧硅薄膜的制备方法及薄膜，该方法包括：利用氧化法对硅衬底的表面进行处理，在所述硅衬底上形成非晶态氧化硅层；对形成有所述非晶态氧化硅层的所述硅衬底的表面进行碳离子注入，在所述硅衬底上形成碳氧硅混合...
- 刘纯宝蔡鲁刚陈兰芳
- 用反应窗理论研究离子与原子碰撞的态选择微分截面
- 2006年
- 基于描述低能离子与原子碰撞的分子库仑过垒模型,详细阐述了与入射离子速度相关的反应窗理论,并对影响势垒变化的平均径向速度做了修正.根据该理论,计算了C5+-He和He2+-He碰撞体系单电子俘获过程的态选择微分截面,并分别与Kamber等人和Mergel等人的实验结果进行了比较.
- 陈兰芳马新文朱小龙
- 利用反冲离子动量技术研究He离子与原子碰撞微分截面
- 马新文朱小龙刘惠萍冯文天李斌沙杉陈兰芳
- 自主研制了反冲离子动量谱仪，通过测量离子与原子碰撞中反冲离子三维动量，得到离子原子碰撞中的量子态信息和角度信息。在电子回旋共振离子源上，成功地利用该装置进行了20～40keV He2+-He和He2+-Ar碰撞反应的完全...
- 关键词：
- 关键词：微分截面
- 用原子轨道强耦合方法研究H(1s)+H(2s)碰撞的反应截面
- 2016年
- 采用单电子的双中心原子轨道强耦合方法,计算了H(1s)+H(2s)碰撞体系H(2s)失去电子过程的总截面,并与前人的实验结果进行了比较.研究表明,采用双中心原子轨道强耦合方法得到的H(1s)+H(2s)体系H(2s)失去电子过程的截面与实验比较符合.同时,还给出了H(1s)+H(2s)碰撞体系H(2s)电离过程、H(1s)俘获电子过程和H(2s)退激发到H(1s)过程的理论截面.
- 陈兰芳
- 关键词：截面
- 低能Ar^(3+)+Ar碰撞反应过程实验研究被引量：1
- 2006年
- 测量了入射离子能量为27 keV、45 keV和66 keV时Ar3++Ar碰撞反应各子过程的分截面,通过将其归一化到Bliman,Dousson等人所测量的截面值,获得了绝对截面.结果表明,该能区电子俘获过程仍占主导地位,但转移电离过程已不能忽略.结果还表明,各子过程反应截面基本不随能量变化.与考虑自电离的MCBM(Molecular Coulombic overBarrier Model)模型比较发现,模型所给截面普遍高于实验测量值,这在一定程度上是由于归一化时带来的系统误差.在误差允许的范围内,单电子和双电子俘获截面符合的比较好,但三电子俘获截面却相差一个数量级.对于实验观测到的转移电离过程,模型却预言并没有此过程发生.
- 李斌马新文朱小龙刘惠萍许慎跃张少峰冯文天沙杉钱东斌陈兰芳曹士娉魏宝仁
- 关键词：截面转移电离
- 用原子轨道强耦合方法研究H(1s)+H(1s)碰撞的反应截面
- 2016年
- 采用单电子的双中心原子轨道强耦合方法,研究了1-100 ke VH(1s)+H(1s)碰撞体系的激发、俘获和失去电子总截面,并分别与前人的理论结果和实验结果进行了比较.研究表明,采用双中心原子轨道强耦合方法得到的H(1s)+H(1s)体系激发到H(2s)过程和失去电子过程的截面与实验符合很好.
- 陈兰芳
- 关键词：截面
- Xe/Pb离子辐照对注碳SiO_2发光特性的影响
- 2018年
- 先用100keV碳离子注入非晶态SiO_2薄膜,再用高能Xe或Pb离子辐照对样品室温下辐照,然后用光谱仪对样品进行分析。实验结果显示,高能Xe或Pb离子的辐照能显著影响样品的发光特性,发光峰的改变与碳的注入剂量、高能离子的种类和能量以及辐照剂量密切相关,发光强度会随着高能离子的辐照剂量增加而变化,具有较大电子能损值的入射离子能更高效的导致材料的发光特性改变。发光特性的改变与薄膜内部微结构的变化有关,入射离子对应的电子能损大将会造成更大的材料损伤,从而能更显著的影响样品的发光。对离子辐照导致薄膜发光峰演化与薄膜微结构改变的关联进行了简单讨论。
- 刘纯宝刘纯宝陈兰芳
- 关键词：光致发光谱离子辐照电子能损SIO2
- 重粒子碰撞过程的经典与半经典理论研究
- 本论文工作主要运用经典与半经典理论研究了重粒子碰撞过程。运用分子库仑过垒模型和反应窗理论研究了低能区和中间能区碰撞体系单电子、双电子及三电子俘获过程的态选择微分截面，详细讨论了反应窗理论的有效性和局限性。最后计算了微分截...
- 陈兰芳
- 关键词：重粒子碰撞过程半经典理论散射角
- 纳米多孔碳氧硅薄膜的制备方法及薄膜
- 本发明提供了一种纳米多孔碳氧硅薄膜的制备方法及薄膜，该方法包括：利用氧化法对硅衬底的表面进行处理，在所述硅衬底上形成非晶态氧化硅层；对形成有所述非晶态氧化硅层的所述硅衬底的表面进行碳离子注入，在所述硅衬底上形成碳氧硅混合...
- 刘纯宝蔡鲁刚陈兰芳
- 文献传递
- 反应窗理论的适用性研究被引量：2
- 2006年
- 基于低能离子与原子碰撞的分子库仑过垒模型,简要描述了与入射离子速度相关的反应窗理论.根据这一理论,计算了不同碰撞速度时O8+-H,Ar8+-H,Ar8+-He,Ne10+-He及Ar18+-He等碰撞体系单电子俘获过程的微分截面,还计算了碰撞速度为0·53a.u.时15N7+-Ne碰撞体系单电子、双电子及三电子俘获过程的微分截面,并与他人的实验结果作了比较.研究发现,反应窗理论预言的末态电子分布与实验结果符合较好.理论和实验研究表明,随着碰撞速度的增加反应窗变宽;反应窗理论所预言的微分截面,当Q值较小时比实验结果偏大,当Q值较大时比实验结果偏小.
- 陈兰芳马新文朱小龙
