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陈匆

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇电极
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇欧姆接触电极
  • 3篇接触电极
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体元件
  • 2篇带隙
  • 2篇第三电极
  • 2篇三电极
  • 2篇金属
  • 2篇金属电极
  • 2篇宽带隙
  • 2篇宽带隙半导体
  • 2篇基底表面
  • 2篇ZNO
  • 1篇低维
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇热惰性
  • 1篇自组装量子点
  • 1篇物理性能

机构

  • 5篇浙江大学

作者

  • 5篇陈匆
  • 4篇卢洋藩
  • 4篇叶志镇
  • 3篇李霞
  • 3篇汪雷
  • 3篇顾建龙
  • 3篇陈凌翔
  • 3篇吴惠敏
  • 3篇叶春丽
  • 1篇曾昱嘉

传媒

  • 1篇中国科技论文

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件
本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属...
卢洋藩顾建龙叶志镇陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞
文献传递
一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件
本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属...
卢洋藩顾建龙叶志镇陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞
文献传递
低维ZnO杂质缺陷行为及p型掺杂研究
作为一种新型Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体材料，ZnO具有禁带宽度大(3.37 eV)、激子束缚能高(60 meV)等优点，非常适用于制备短波长光电器件。近年来研究者们对ZnO在p型掺杂和光电领域做了大量研究，目前已成功制...
陈匆
关键词：P型掺杂物理性能
文献传递
一种欧姆接触电极及包含该欧姆接触电极的半导体元件
本实用新型公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三...
叶志镇顾建龙卢洋藩陈匆吴惠敏汪雷陈凌翔叶春丽李霞
文献传递
ZnO自组装量子点的生长及局域态密度测量
2016年
量子点用于光电器件可以减小极化电场、避免发光峰位偏移、减少非辐射复合。目前文献中针对ZnO量子点的自组装生长机理及电学性能研究较少。针对自组装生长量子点用于光电器件有源层的需求,采用金属有机化学气相沉积方法,自组装生长了ZnO量子点,并对该量子点的局域态密度进行了测量。SEM图像显示ZnO量子点均匀分布在衬底表面,直径约10~15nm;PL谱显示ZnO量子点的发光波长随量子点的直径增加而红移。采用STM/STS测量了ZnO量子点表面的局域态密度,并在部分量子点中观测到禁带中分立、对称的能级,结果分析表明这些禁带中的能级源自VO-VZn的形成。
卢洋藩陈匆曾昱嘉叶志镇
关键词：ZNO金属有机化学气相沉积量子点局域态密度
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