陈国良
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 50nmSOI-DTMOS器件的性能被引量：2
- 2003年
- 利用二维器件模拟软件ISE对 5 0nm沟道长度下SOI DTMOS器件性能进行了研究 ,并与常规结构的SOI器件作了比较 .结果表明 ,在 5 0nm沟长下 ,SOI DTMOS器件性能远远优于常规SOI器件 .SOI DTMOS器件具有更好的亚阈值特性 ,其亚阈值泄漏电流比常规SOI器件小 2～ 3个数量级 ,从而使其具有更低的静态功耗 .同时 ,SOI DTMOS器件较高的驱动电流保证了管子的工作速度 ,并且较常规SOI器件能更有效地抑制短沟道器件的穿通效应、DIBL及SCE效应 ,从而保证了在尺寸进一步减小的情况下管子的性能 .对SOI DTMOS器件的物理机制进行了初步分析 ,揭示了其性能远优于常规结构的物理本质 ,同时也指出了进一步研究的方向 .
- 陈国良黄如
- 纳米SOI-DTMOS器件模拟及实验研究
- AB型DTMOS器件结构模拟,AB指背界面积累.该文对AB型DTMOS结构的特性进行了综合模拟,包括开关电流,二级效应等,并研究了其scalingdown性能,文中还对AB型DTMOS器件的物理机制进行了初步分析,揭示了...
- 陈国良
- 关键词：动态阈值MOSFET
