陈第虎
- 作品数：5 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- C^+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱被引量：2
- 2000年
- 用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 Si C/Si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :注 35ke V C+ 的样品在经 1 2 0 0℃、2 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其β- Si C埋层上存在一粗糙表面层 ,粗糙表面层主要由β- Si C、非晶 Si和 Si O2 组成 ,而且 β- Si C埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与 β- Si C埋层界面 ;注 65ke V C+的样品在经1 2 50℃、1 0 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其表层 Si是较完整的单晶 Si,埋层β- Si C分成三层微结构 ,表层 Si与β- Si C埋层界面和β- Si C埋层与体硅界面亦不相同 .这些结果与 X射线光电子谱 ( XPS)和横截面透射电子显微镜 ( TEM)
- 阳生红李辉遒莫党陈第虎黄世平
- 关键词：碳化硅椭偏光谱离子注入
- S698M SoC芯片中EDAC模块的设计与实现被引量：8
- 2008年
- EDAC检错纠错模块在电子、通信以及航空航天等领域有着广泛的应用。本文主要介绍了利用[39,32]扩展海明码的EDAC模块的基本原理和用VHDL语言设计实现EDAC的设计实现,该模块在XIL-INXISE软件开发环境下通过设计、综合、仿真,验证了设计的正确性。
- 黄琳陈第虎梁宝玉颜军
- 关键词：VHDL
- S698M SoC芯片中Cache控制器的设计与实现
- 2008年
- 高速缓冲存储器Cache在微处理器中已经成为至关重要的一部分,它的使用能有效地缓和CPU和主存之间速度匹配的问题。本文以32位S698M微处理器的高速缓冲存储器Cache为例,分析了Cache的体系结构和关键技术,阐述了S698M中Cache的基本访存过程。该芯片已采用新加坡特许半导体0.18微米CMOS工艺流片成功。
- 黄琳陈第虎梁宝玉蒋晓华颜军
- 关键词：哈佛体系结构CACHE一致性指令CACHE数据CACHE
- 大功率CO_2脉冲激光辐照掺锑、铝的研究
- 1996年
- 采用电子束放电控制的ＣＯ２脉冲激光辐照单晶硅片掺入杂质锑、铝获得成功，并制成大面积ＰＮ结（Φ２０ｍｍ），发现了一种适合大功率ＣＯ２脉冲激光器应用于半导体掺杂新方法。通过卢瑟福背散射、阳极氧化等方法的研究，证明ＣＯ２脉冲激光辐照在硅中掺杂形成的ＰＮ结是浅突变结，结深约为０．２～０．７μｍ。对硅片预热温度、激光重复脉冲次数等工艺条件进行了研究，并从理论上进行了掺杂机理的分析。
- 陈第虎魏爱香范安辅钟涛
- 关键词：脉冲激光辐照PN结激光诱导锑
- 功能碳薄膜化学键成分的椭偏光谱研究被引量：2
- 2003年
- 用磁过滤真空离子溅射系统,改变加在单晶Si(100)衬底上的衬底偏压,制备不同sp3C键与sp2C键比例的碳薄膜样品。测量了2.0～5.0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱。发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系。我们提出一种较简便的分析解谱方法,分析所测得的各个椭偏光谱,半定量地确定各碳薄膜样品的sp3C键与sp2C键比例。所得结果还与同类样品的拉曼光谱与吸收光谱测量结果相比较,结果基本上是一致的。研究结果表明椭偏光谱方法可以发展成一种较简便的、对样品无损伤的测定功能碳薄膜中的sp3C键成分的新方法。
- 莫党李芳陈第虎郭扬铭魏爱香
- 关键词：化学键椭偏光谱拉曼光谱吸收光谱
