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陶磊

作品数：6 被引量：5H指数：1
供职机构：合肥工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：安徽省高校省级自然科学研究项目中央高校基本科研业务费专项资金中国科学院战略性先导科技专项更多>>
相关领域：一般工业技术冶金工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇溅射
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 3篇电致变色
  • 3篇电致变色器件
  • 3篇WO
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇光电
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇反应磁控溅射
  • 2篇WO3薄膜
  • 2篇掺氮
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电致变色薄膜
  • 1篇退火

机构

  • 6篇合肥工业大学
  • 1篇安徽大地熊新...

作者

  • 6篇陶磊
  • 6篇李合琴
  • 4篇周矗
  • 4篇黄依琴
  • 4篇王伟
  • 3篇左敏
  • 2篇张学科
  • 2篇李世伟
  • 1篇唐琼
  • 1篇张静

传媒

  • 4篇合肥工业大学...
  • 1篇稀有金属与硬...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
掺氮WO_3电致变色薄膜及器件的制备与性能被引量：1
2016年
文章在氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)玻璃上用反应磁控溅射法制备了氮掺杂WO_3薄膜和TiO_2薄膜,并封装制成电致变色器件。用X-ray衍射仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪对薄膜的结构、形貌、成分和结合键进行表征;采用直流稳压电源和分光光度计对器件的透光变色性能进行测试。结果表明:制备的掺氮WO_3薄膜为非晶态,其非晶衍射包的峰位随着含N量的增加而移动;随着WO_3薄膜中含N量的升高,表面粗糙度增大,器件在着色态透光率降低;掺氮WO_3薄膜中W、O分别以W^(6+)和O^(2-)存在,而N以中性价态、代换O位与W键合以及表面吸附3种状态存在。当掺氮量为2.80%时,电致变色器件调制幅度最大,适用于节能玻璃。
王伟李合琴陶磊乔恺黄依琴李世伟
关键词：反应磁控溅射电致变色器件
NdFeB磁控溅射SiC薄膜的结构及耐腐蚀性能被引量：2
2015年
文章采用射频磁控溅射法在烧结钕铁硼表面沉积SiC薄膜,将制备的薄膜分别在200、400℃氩气气氛中退火120min。用X射线衍射仪和原子力显微镜表征薄膜的结构和形貌,并研究了镀膜NdFeB在NaCl溶液中的耐腐蚀性能。动电位极化曲线结果表明,未镀膜NdFeB试样的自腐蚀电流密度为1.37×10-6 A/cm2左右,而镀膜未退火试样的自腐蚀电流密度约为1.54×10-8 A/cm2。结果表明,在快速且破坏性强的腐蚀情况下,镀膜试样抗腐能力比未镀膜好。
陶磊李合琴黄依琴左敏柏佩文陈静武
关键词：钕铁硼SIC薄膜射频磁控溅射耐腐蚀性
溅射气压对WO_3薄膜电致变色器件性能的影响被引量：1
2015年
采用磁控溅射法,以溅射气压为变量,在ITO导电玻璃上制备了WO3薄膜及TiO2薄膜,将Li+聚合物电解质涂覆于这两种薄膜之间封装成固态电致变色器件。采用XRD、AFM对WO3薄膜进行结构表征和形貌观察;采用直流稳压电源对器件进行电致变色测试,并以分光光度计测定其着色/褪色态可见光透过率。结果表明:1.5Pa溅射气压下原位沉积WO3薄膜含较多的金属W;2.0~3.0Pa溅射气压下得到了非晶态WO3薄膜;2.0Pa溅射气压下得到的WO3薄膜表面分布有狭长的颗粒团簇,表面积较大,便于着色或褪色时Li+与电子的注入或脱出,故其所封装器件的调制幅度最大,响应最快;随溅射气压的增大,WO3薄膜表面缺陷增多,器件变色性能恶化。
王伟李合琴陶磊张学科乔恺周矗黄依琴左敏
关键词：WO3薄膜电致变色器件直流磁控溅射溅射气压表面形貌
掺氮对WO_3薄膜电致变色调制性能的影响
2015年
采用反应磁控溅射法在ITO玻璃上制备氮掺杂氧化钨(WO3:N)薄膜。采用XRD、XPS、AFM对薄膜的结构、成分、结合键和表面形貌进行表征。将WO3:N薄膜封装制成电致变色器件,并采用直流稳压电源和分光光度计对其进行变色调制性能测试。结果表明:制备的WO3:N薄膜为纳米晶结构,其衍射峰位随着含N量的增加而右移;WO3:N薄膜中W、O分别以W6+和O2-存在,而N以中性价态、WO3中的O位替换以及表面吸附3种状态存在;随着WO3:N薄膜中含N量的升高,表面粗糙度逐渐增大,且有利于器件着色;当掺氮2.80%(摩尔分数)时,电致变色器件调制幅度最大为68.8%,比未掺氮器件的高出7.7%,适用于节能玻璃。
王伟李合琴陶磊乔恺周矗张静唐琼黄依琴左敏李世伟
关键词：反应磁控溅射电致变色器件
V_2O_5/V/V_2O_5复合膜的制备及其光电性能研究被引量：1
2014年
文章采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了V2 O5/V/V2 O5复合膜，通过改变中间层钒的溅射时间，制备了3组薄膜。所有薄膜均在450℃空气气氛中退火60 min。用四探针测试仪测试了薄膜的电学性能，用X射线衍射仪对薄膜的结构组分进行分析。实验结果表明，当V层溅射时间为25 min时，经450℃退火后的薄膜方块电阻为38．5 kΩ，电阻温度系数为-0．0218 K -1，在700～1400 nm波段红外吸光度均在0．6以上，符合非致冷微测辐射热计的应用要求。
颜毓雷李合琴乔恺张学科周矗陶磊
关键词：V2O5V直流磁控溅射光电性能
La_(0.56)Li_(0.33)TiO_3薄膜的制备及退火对其光电性能的影响
2016年
文章采用射频磁控溅射法在氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)玻璃衬底上制备了钛酸镧锂(lithium lanthanum titanate,LLTO)薄膜,并在氩气中经100、200、300℃退火2h。对薄膜的形貌、结构、离子电导率和光电性能进行测试。结果表明,室温下制备的LLTO薄膜为非晶态,随着退火温度的升高,薄膜的离子电导率和可见光透过率均随之升高,经300℃氩气气氛退火后,薄膜的离子电导率为5.0×10-6 S/cm,可见光平均透过率为89%。
乔恺李合琴王伟陶磊周矗
关键词：射频磁控溅射退火离子电导率光电性能
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