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雷升杰

作品数:12 被引量:33H指数:4
供职机构:南京航空航天大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:核科学技术电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇核科学技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 5篇电流
  • 4篇量程
  • 3篇电流源
  • 3篇
  • 2篇电离室
  • 2篇电流测量
  • 2篇电流输出
  • 2篇电路
  • 2篇弱电流
  • 2篇数字量
  • 2篇中子
  • 2篇字量
  • 2篇基准电压
  • 2篇基准电压源
  • 2篇放大器
  • 2篇负反馈
  • 2篇V
  • 1篇电流-电压
  • 1篇电流放大
  • 1篇电流放大器

机构

  • 12篇南京航空航天...
  • 2篇南昌大学
  • 2篇中国原子能科...
  • 1篇江苏大学
  • 1篇南京大学

作者

  • 12篇雷升杰
  • 11篇魏志勇
  • 10篇陈国云
  • 10篇方美华
  • 9篇黄三玻
  • 9篇张紫霞
  • 2篇杨永常
  • 2篇黎光武
  • 2篇朱立
  • 2篇郭刚
  • 1篇贾文宝
  • 1篇辛勇
  • 1篇魏立乾
  • 1篇赵经武
  • 1篇马加一
  • 1篇徐波
  • 1篇黄福成
  • 1篇府宇

传媒

  • 1篇宇航计测技术
  • 1篇仪器仪表与分...
  • 1篇物理学报
  • 1篇计量学报
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇核科学与工程
  • 1篇核电子学与探...

年份

  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
100pA-1μA量程的微弱电流源
本发明公开一种100pA-1μA量程的微弱电流源,包括控制单元、显示单元、输入单元、D/A转换单元、基准电压源、差动放大单元、电压电流变换单元和负反馈单元,其中,控制单元的输入端连接输入单元,输出端分别连接显示单元和D/...
雷升杰魏志勇方美华陈国云张紫霞黄三玻
文献传递
CR-39固体核径迹探测器观测方法被引量:4
2011年
针对重离子辐射的CR-39固体核径迹探测器中的微观径迹结构特点和剂量特征研究的必要步骤———探测器观测,从CR-39中粒子潜径迹形成和发展出发,探讨了影响粒子径迹的因素,选取两种径迹观测方法———光学显微镜观测和电子显微镜观测进行对比分析。在此基础上进行了试验,用不同通量的100 MeV Si离子照射CR-39探测器,将实验样品用NaOH溶液(70℃6,.25 N)分别进行6h和5 min的刻蚀。刻蚀后,用光学显微镜和原子力显微镜进行观察,得到了放大的径迹和纳米尺度的微观径迹。此外,局部覆盖刻蚀后用台阶仪进行观测,得到了体刻蚀速率为Vb=1.53μm/h。
黄三玻魏志勇方美华杨永常张紫霞雷升杰陈国云黎光武郭刚
关键词:刻蚀速率光学显微镜原子力显微镜
空间辐射测量中微弱信号处理电路设计与研制
在空间探测活动中,空间辐射环境是影响航天器高可靠性、长寿命,造成航天员损伤的重要因素之一。因此,对空间辐射环境进行探测和研究是空间科学的重要研究内容。研发适用于空间在轨测量的辐射剂量监测技术和设备至关重要。本文针对空间辐...
雷升杰
关键词:航天器
用于反应堆中子/γ射线混合场测量的涂硼电离室性能被引量:1
2012年
近年来,涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子/γ射线混合场监测的辐射探测器之一.研制了一种高灵敏度涂硼电离室,并给出了其内部结构.用fA级弱电流放大器测得:当涂硼电离室的工作电压在700V以下时,漏电流小于1.0pA;用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500V,坪斜为3.72×10^(-4) V^(-1);当涂硼电离室的工作电压为400V时,对应漏电流为0.4 pA.测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关,将Am-Be中子源置于距石蜡慢化体底部8 cm时,测得中子信号电流最大值为2.0 pA.用^(137)Cs和^(90)Sr辐照时测得涂硼电离室γ射线信号电流为1.0-2.0 pA,但在γ射线场中坪特性不如中子场中坪特性明显.电离室中子探测灵敏度达1.0×10^(-15)Acm^2s量级,γ射线探测灵敏度达9.0×10^(-22)Acm^2s·eV^(-1)量级.这种涂硼电离室漏电流小、灵敏度高、坪特性好,可用于反应堆周围的中子/γ射线混合场测量.
陈国云辛勇黄福成魏志勇雷升杰黄三玻朱立赵经武马加一
关键词:漏电流灵敏度
辐射监测的微弱电流测量I-V转换技术被引量:12
2010年
针对辐射测量中电离室输出极其微弱的电流信号,研发一种弱电流测量技术。利用高输入阻抗运算放大器设计了用于微弱电流测量的I-V转换采样电路和带有T型网络的I-V转换采样电路,分析研究了I-V转换电路的特点,计算分析T型网络的I-V转换采样电路的灵敏度。通过T型网络,选用高稳定输入阻抗运算放大器和高稳定反馈电阻,提高了测量灵敏度。设计电路满足辐射粒子所致的电离室输出电流为10-14A数量级时的弱电流测量。
魏立乾雷升杰方美华魏志勇徐波
关键词:运算放大器
一种pA-μA量程的微弱电流放大器
本发明公开一种pA-μA量程的微弱电流放大器,包括输入电路、电流-电压转换电路、调零电路、电压线性放大电路、低通滤波电路、增益控制电路和电源电路组成。其中,电流-电压转换电路采用高输入阻抗的静电计运算放大器实现电流-电压...
雷升杰魏志勇方美华陈国云张紫霞黄三玻
文献传递
纳米尺度上CR-39径迹蚀刻动力学研究被引量:1
2011年
在对CR-39探测器蚀刻6 h后发现照射区域与未照射区域的体蚀刻速率明显不同,因此用传统的几何模型无法正确得到几何量和物理量之间的对应联系。本文在以往辐射粒子固体径迹研究基础上,利用新的AFM观测手段得到纳米尺度的CR-39三维蚀刻径迹坑,并对探测器蚀刻几何模型进行了修正,提出了新的蚀刻速率比:V′=Vt/Virr对几何模型中各个参数进行计算。用修正的几何模型对100 MeV的Si离子的AFM观测结果进行分析。研究表明,100 MeV Si离子的径迹蚀刻速率:Vt=4.12μm/h,Virr=2.55μm/h,V′=1.62,Si离子入射角度为61.03°。同时我们通过局部覆盖法和台阶仪,得到本实验用CR-39的体蚀刻速率Vb=1.58μm/h。两者结合得到100 MeV Si离子的蚀刻速率比:V=2.61>V′。本研究采用传统的几何模型方法经过合理修正应用于新的观测手段,并得到了纳米尺度上蚀刻动力学关键参量。
方美华魏志勇黄三玻杨永常张紫霞陈国云雷升杰黎光武郭刚
关键词:AFMCR-39
空间粒子探测器中一种微电流测量电路设计被引量:5
2010年
为了实现对空间粒子探测器中弱电流的测量,设计了以I-V变换、电压线性放大、二阶低通滤波和带阻滤波为主要结构的弱电流测量电路。通过I-V变换原理分析,为使电流信号尽量无失真地转变为电压信号,提出了选用高输入阻抗、高准确度的运放来构成I-V变换电路。根据弱电流的特性,从电路结构、参数设计方面,讨论了电路中噪声抑制和隔离的措施,来提高测量电路的性能。以高准确度运算放大器为核心部件,完成整个实际电路。该电路测量范围为10-7A^10-12A,最小可分辨电流为10-13A,响应时间不超过5ms,还具有漂移低、稳定性好以及价格低廉的优点。
雷升杰魏志勇陈国云张紫霞黄三玻方美华
关键词:测试技术弱电流滤波电路
100pA-1μA量程的微弱电流源
本发明公开一种100pA-1μA量程的微弱电流源,包括控制单元、显示单元、输入单元、D/A转换单元、基准电压源、差动放大单元、电压电流变换单元和负反馈单元,其中,控制单元的输入端连接输入单元,输出端分别连接显示单元和D/...
雷升杰魏志勇方美华陈国云张紫霞黄三玻
涂硼正比计数管中热中子响应函数理论计算及模拟验证被引量:6
2012年
对涂硼正比计数管的热中子响应函数计算公式进行了理论推导。在圆柱形几何结构下,热中子在垂直柱面径向入射和任意角度入射两种情况时的响应函数得到了一种普适性的响应函数表达式,并选取正比管典型尺寸(内径10 mm,涂层厚度3μm)进行蒙特卡罗模拟,对理论推导公式进行模拟验证,理论计算结果与模拟结果基本一致。研究表明,在垂直柱面任意角度入射的情况下,热中子的响应率随入射方向与圆柱中心距离y的增加呈规律性分布,即先增加后迅速降低,有一个峰值。在本文尺寸下,正向峰值在9 900~1 000μm之间,而反向峰值在9 700~9 800μm之间,反向较正向数值上偏小。此外,对理论计算值与模拟值、理论值与实验值的偏差进行了分析,并给出了解释。
方美华魏志勇张紫霞陈国云黄三玻雷升杰
关键词:蒙特卡罗模拟响应函数热中子
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