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p型Na：ZnO薄膜的制备及其表征: ZnO为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有压电、热电、气敏、光电导等多种性能，在许多领域都有广泛的应用。近年来ZnO在光电领域的应用引起了人们的很大关注，这是由于ZnO在室温下禁带宽度为3.37eV，可以用来制备蓝光或紫外发...; 韩玮智; 关键词：ZNO薄膜密度泛函理论反应磁控溅射; 文献传递

衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响(英文): 2007年; 利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。通过XRD、Hall和紫外可见透射谱分别研究了衬底温度对ZnO薄膜结构性能、电学性能和光学性能的影响。XRD结果显示所有制备的薄膜都具有垂直于衬底的c轴择优取向,并且随着衬底温度的增加,薄膜的晶体质量得到了提高。Hall测试表明衬底温度对p型ZnO薄膜的电阻率具有较大影响,400℃下生长的p型ZnO薄膜由于具有较高的迁移率(1.32 cm2/Vs)和载流子浓度(5.58×1017cm-3),因此表现出了最小的电阻率(8.44Ω.cm)。; 王超季振国韩玮智席俊华张品; 关键词：ZNO薄膜 P型直流反应磁控溅射

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韩玮智