顾聪
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究
- 1991年
- 本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的I_D-V_D-V_G,I_(DS)-V_G,G_m,和C_G等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在V_G<2V,I_D
- 王德宁顾聪王渭源
- 关键词：异质结场效应晶体管绝缘
- 异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究
- 1990年
- 本文在改进型电荷控制模型基础上,结合GSW速度场特性,提出了适用于HIGFETs器件的新的高场区(I_D>I_(Ds))的静态特性模型,从而导出了I-V,I_(Ds)-V_(Ds),g_(ms),g_D和C_G等参数的解析表示式。计算结果和文献实测值符合甚好。在此基础上,本文还提出了栅泄漏等效电路模型,对其起因和影响因素,及其对g_(ms),g_D及C_G的影响,以及降低其影响的途径等进行了讨论。计算结果与实测值也较符合。
- 顾聪王德宁王渭源
- 关键词：HIGFETS静态模型
- i-GaAlAs/GaAs HIGFETs器件参数的有限元分析
- 1992年
- 本文用有限元法对 i-GaAlAs/GaAs HIGFETs的稳态特性进行了二维数值模拟和分析。为了在有限内存的微机中,进行快速计算,在程序中,对边界条件,网格剖分和初值选取等方面进行了改进。使计算的收敛速度和精度有了提高。可方便地得到器件内部的电位和载流子浓度等物理量的二维分布。其输出特性和实验数据基本吻合。
- 顾聪王德宁王渭源
- 关键词：绝缘栅场效应晶体管有限元
