马鹏飞
- 作品数：22 被引量：48H指数：5
- 供职机构：天津大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金河南省基础与前沿技术研究计划项目国家重大科学仪器设备开发专项更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 镍/硅橡胶复合材料阈值附近的压敏和介电行为研究
- 采用不同粒径亚微米镍粉与硅橡胶按质量比为2.8∶1,2.5∶1,2∶1 进行配料,经过特殊的制备方法,制备成镍/硅橡胶高分子复合材料,并主要研究了复合材料的压敏性能和介电性能.
- 尚淑英马鹏飞李钰婷
- 关键词：复合材料阈值压敏介电常数
- 温度梯度法生长Er:BaY2F8晶体的开裂研究
- 对温度梯度法生长Er：BaY2F8晶体的开裂现象进行了研究，从理论上讨论了温场分布、生长速率热应力和稀土离子掺杂对晶体开裂的影响，实验上分析了垂直于解理面方向上膨胀系数的变化对晶体开裂造成的影响。给出了晶体生长的最佳工艺...
- 张守超阮永丰李广慧马鹏飞王丹丽贾敏张灵翠李文润
- 关键词：激光晶体晶体生长温度梯度法
- 基于激光干涉融合的分布式振动传感技术研究
- 伴随着我国重大基础设施建设规模的不断扩大，安全问题逐渐成为当前人们关注的重点，亟需有效手段来实现对诸如高铁、机场、桥梁、变电站等长距离、大范围重大基础设施安全实施长期有效监测。分布式光纤振动传感技术能够在较长的距离范围内...
- 马鹏飞
- 关键词：模式识别波分复用
- 文献传递
- 中子辐照6H-SiC晶体中的钉扎效应被引量：3
- 2009年
- 分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×1018n.cm-2、8.2×1018n.cm-2和1.72×1019n.cm-2的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤。结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品。样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构。晶体的结构缺陷和杂质,作为一种"钉扎",在辐照过程中作用极大,它们导致了晶体的长程缺陷(如位错)的大幅度增加。
- 阮永丰马鹏飞贾敏李文润张宇晖张守超王丹丽
- 关键词：SIC中子辐照辐照缺陷钉扎
- 不同能量密度的飞秒激光辐照对单晶硅的影响研究被引量：4
- 2013年
- 利用飞秒激光在空气中对单晶硅进行扫描刻蚀,在硅表面形成一系列平行的刻蚀槽,刻蚀槽底部为密集排列的微纳米颗粒。这种微纳米结构使得硅表面在各角度都呈现黑色,同时这种微纳米结构降低了硅材料的反射率,提升了硅材料的光吸收能力。本文通过对单晶硅表面进行不同能量密度的飞秒激光辐照,发现这种降低硅表面反射率的微纳米结构的形成和其单位面积上受到辐照的激光能量密度有直接关系,过高和过低的激光通量都不利于微纳米结构的产生。
- 马鹏飞王克栋常方高宋桂林杨海刚王天兴
- 关键词：飞秒激光辐照硅微纳米结构
- 基于过零率的光纤周界安防系统入侵事件高效识别被引量：13
- 2019年
- 提出一种基于过零率特征提取的多类别入侵事件识别方法,该方法对采集的入侵信号进行分段处理,并将每一段的过零率作为模式分类器的输入特征向量。使用Matlab编写支持向量机(SVM)分类识别算法,对大量入侵数据进行分类训练并保存模型参数,当外界有入侵时对新的未知事件进行特征向量提取并输入训练好的支持向量机模型中可以实现高效率高准确度模式识别。搭建了Michelson光纤周界安防系统,在户外围栏敷设2 km长的光缆进行实验验证。对剪切光缆、攀爬围栏、晃动围栏、敲击光缆和无入侵等5种不同的事件各取120组共600组实验。经实验验证,本方法可以快速并准确地识别这5种常见的事件信号。平均识别率达到97%,识别响应时间在0.1 s以内。
- 刘琨翁凌锋江俊峰马鹏飞马鹏飞张立旺刘铁根
- 关键词：光纤光学支持向量机过零率特征提取信号处理
- 中子辐照6H-SiC晶体的退火特性及缺陷观测被引量：5
- 2012年
- 利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照6H-SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(full width at half maximum,FWHM)增大,之后又随退火温度的升高,在700～1 230℃范围内呈线性规律的回复。以此规律为依据,可发展一种适合测量高温和复杂温度场温度的测温方法。采用添加了K2CO3的KOH为腐蚀剂,对辐照前、辐照后及辐照后退火的掺氮6H-SiC单晶进行位错腐蚀观察,发现经中子辐照的晶体中位错面积比随退火温度的变化趋势与FWHM随退火温度的变化趋势基本一致,由此认为经中子辐照所产生的位错可能是导致XRD峰的FWHM变化的一个重要因素。
- 阮永丰黄丽王鹏飞马鹏飞贾敏祝威
- 关键词：中子辐照退火位错
- 单芯扰动传感器及制作方法
- 本发明公开了一种单芯扰动传感器及其制作方法，传感器包括传感器头和传感器体，位于传感器两头的传感器头采用光纤接头结构，所述传感器体由光纤连接保护件和两段单模光纤构成，所述光纤连接保护件设有光纤过孔，两段单模光纤分别自所述光...
- 刘琨刘铁根江俊峰马鹏飞李志辰李鹏程
- 文献传递
- 上转换激光晶体Er：BaY2F8的生长与光谱分析被引量：9
- 2008年
- 报道了上转换激光晶体Er:BaY2F8以及Er,Yb:BaY2F8的温度梯度法生长及其光谱参数分析。所得到的Er:BaY2F8晶体的直径为13mm,长度达40mm,是目前国内最大的此种晶体。测试了晶体的吸收光谱,吸收光谱中Er离子的特征吸收峰清晰可辨。根据J-O理论的计算,得到了唯象的晶场参数Ωi(i=2,4,6),其数值分别为1.43×10-20cm2,0.49×10-20cm2和1.36×10-20cm2。重点分析了Er:BaY2F8晶体的各能级的荧光寿命,较之氧化物有很大的提高,其中4I11/2能级的寿命约为5ms,这样大的荧光寿命对于上转换激光的形成极为有利。
- 张守超阮永丰李广慧孙伟马鹏飞王丹丽李文润
- 关键词：晶体生长温度梯度光谱参数荧光寿命
- 中子辐照MgO晶体的损伤和恢复被引量：6
- 2005年
- 用剂量为5.74×1018cm-2的中子对MgO晶体进行了辐照,利用吸收光谱、荧光光谱等手段观测了中子辐照引起的损伤及其恢复。中子辐照产生了大量的阴离子单空位(F+)、阴离子双空位(F2)及其它更高阶的缺陷。通过等时退火,这些缺陷发生了一系列消长和转型的变化过程,并最终在900℃左右全部消失。实验结果表明,吸收峰位于573nm的色心是与位于424nm、451nm的色心类型不同的更高阶的阴离子空位聚集态。
- 刘健阮永丰马鹏飞李文润刘昌龙
- 关键词：MGO中子辐照吸收光谱
