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高家红

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：北京大学物理学院重离子物理教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声前置放...
  • 1篇源阻抗
  • 1篇噪声系数
  • 1篇前置放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇MRI

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇高家红
  • 1篇俎栋林
  • 1篇曹学明
  • 1篇范阳
  • 1篇赵旭娜

传媒

  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MRI低噪声前置放大器设计研究被引量：5
2011年
本文研究、设计了一个可用于MRI的低噪声前置放大器.提出了一个3元件的噪声匹配网络方案,用以变换50Ω信号源阻抗为FET的最佳源阻抗,以使前置放大器的噪声系数达到最小,并具有可观的增益.实验证明前置放大器输入端在阻抗匹配条件下可获得最大增益但噪声系数不小.用砷化镓场效应管(AsGa-FET)ATF33143作为放大管制作的单级低噪声前置放大器在128MHz(3T)频率上用网络分析仪(HP8712C)测量增益可以达到25dB,用噪声系数分析仪(8970B)测量的噪声系数为0.43dB.
曹学明俎栋林赵旭娜范阳高家红
关键词：MRI噪声系数前置放大器源阻抗
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