黄小龙
- 作品数：58 被引量：32H指数：2
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术自动化与计算机技术社会学更多>>
- 14.5MeV(n,2n)、(n,带电粒子)反应同质异能态截面比的系统学
- 黄小龙
- ε衰变的能量和强度平衡计算
- 2004年
- 文中给出了ε衰变的能量和强度平衡的计算公式 ,并以52 Mn的ε衰变为例说明其实际应用 .
- 周春梅吴振东黄小龙
- 关键词：衰变
- E_p<3 GeV能区质子反应同质异能态截面比的系统学
- 2001年
- 提出了Ep<3GeV能区质子反应同质异能态截面比的半经验公式。该公式仅含有 1个系统学参数 ,适应于产物核质量数 4 4≤A≤ 197、同质异能态自旋 0 5≤Jm≤ 9.5和基态自旋 0 5≤Jg≤7的质子反应。该半经验公式很好地再现了已有实验数据 ,能较好地预言无实验数据的同质异能态截面比或同质异能态截面。
- 黄小龙
- 关键词：质子反应系统学核反应反应截面
- Q值在线计算程序QCALC被引量：1
- 1996年
- Ｑ值计算程序ＱＣＡＬＣ及其帮助文件已被开发移植并建立在ＭＩＣＲＯ－ＶＡＳ－Ⅱ计算机上。该程序系统可以在线计算各种核反应的Ｑ值和阈能以及各种核衰变的Ｑ值，并可给出这些计算结果的误差。该程序还能在线检索１９９３年评价的原子质量数据库。
- 黄小龙周春梅
- 关键词：Q值原子质量计算程序核反应
- 中子反应同质异能态截面比的系统学
- 2001年
- 提出了中子反应同质异能态截面比的半经验公式 .该公式含有一系统学参数 ,适应于产物核质量数 44≤A≤ 197、同质异能态自旋 0≤Jm≤ 12和基态自旋 0 5≤Jg≤ 8的中子反应 .在入射中子能量En<2 0MeV能区 ,对该系统学参数进行了系统学研究 .通过获得的半经验公式和系统学参数 ,可以很好地再现已有实验数据 。
- 黄小龙
- 关键词：中子反应系统学激发态
- 内转换电子能量及绝对强度计算被引量：1
- 2002年
- 简要介绍γ跃迁的内转换电子能量及绝对强度的计算方法 ,并以实例说明其具体应用 .
- 周春梅黄小龙吴振东
- 关键词：原子核衰变计算方法Γ跃迁
- ^(235)U快中子裂变的衰变热计算方法研究
- 2021年
- 针对传统轻水堆衰变热计算标准不适用于快堆的问题,本文调研了量热法和累加法等衰变热计算方法以及235U热中子和快中子裂变后衰变热实验研究现状,基于累加法提出了235U快中子裂变的衰变热计算方法和计算流程,分别计算了235U快中子裂变后β射线衰变热、γ射线衰变热和总衰变热随衰变时间的变化关系,并与235U快中子裂变衰变热实验数据进行了对比验证。计算结果表明,235U快中子裂变的衰变热计算结果与实验结果符合较好,β射线衰变热计算值与实验值的最大相对偏差为4.17%,γ射线衰变热计算值与实验值的最大相对偏差为6.78%,总衰变热计算值与实验值的最大相对偏差为5.40%。研究结果在钠冷快堆、铅冷快堆和气冷快堆的衰变热计算领域具有较大的应用潜力。
- 王凤龙黄小龙
- 关键词：衰变热计算方法
- 核衰变产生的X射线和俄歇电子数据计算(英文)被引量：2
- 2003年
- 核衰变过程中 ,内转换电子发射和电子俘获能在原子电子壳层内留下空穴 .其他原子电子壳层的电子将填补这些空穴 ,其原子电子位置将重排 ,并发射X射线和俄歇电子 .X射线和俄歇电子的能量由原子电子结合能计算得到 ,X射线和俄歇电子的强度分别由内转换电子发射和电子俘获在原子电子壳层内留下的空穴数 ,X射线荧光产额 ,和空穴转移系数计算得到 .本文简要介绍核衰变产生的X射线和俄歇电子数据的计算方法、计算程序与工作流程 。
- 周春梅黄小龙吴振东
- 关键词：X射线俄歇电子核衰变
- ^(186)W(d,p)^(187)W和^(186)W(d,2n)^(186)Re反应激发函数评价及厚靶产额计算
- 2016年
- 考虑特征γ射线分支比、衰变常量和标准截面等修正,对氘引起的核反应^(186) W(d,p)187 W和^(186) W(d,2n)^(186) Re的激发函数进行了研究。收集并分析了这些反应激发函数的实验测量数据,应用数学方法对分析处理后的实验数据进行了拟合。同时,采用TALYS程序对这些激发函数进行了理论计算。经过综合评价,给出了50 MeV以下^(186) W(d,p)187 W和^(186) W(d,2n)^(186) Re反应激发函数的推荐值,利用得到的^(186) W(d,2n)^(186) Re激发函数推荐值计算了医用放射性核素^(186) Re的厚靶产额。
- 王记民康梦霄黄小龙庄友祥
- 关键词：激发函数
- 中能质子在Si和GaAs中导致的非电离能损研究被引量：5
- 2006年
- 非电离能损(NIEL)引起的位移损伤效应是空间装置失效的原因之一．运用改进的Monte Carlo程序SHIELD,建立了质子的NIEL计算手段,模拟计算了能量范围在10-400MeV的中能质子在硅和砷化镓中的NIEL的大小和分布．
- 罗文芸王朝壮贺新福樊胜黄小龙王传珊
- 关键词：质子硅砷化镓
