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龙理

作品数：8 被引量：28H指数：3
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院物理系更多>>
发文基金：湖北省科委基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇探测器
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇光敏
  • 4篇光敏器件
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶制备
  • 1篇电子结构
  • 1篇调制
  • 1篇三极管
  • 1篇特邀报告
  • 1篇退火
  • 1篇注入光敏器件
  • 1篇子结构
  • 1篇微光
  • 1篇微光仪
  • 1篇物理特性
  • 1篇机械斩波器
  • 1篇光电效应

机构

  • 8篇武汉大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 8篇龙理
  • 7篇何民才
  • 7篇陈畅生
  • 4篇黄启俊
  • 4篇陈炳若
  • 1篇蔡本兰
  • 1篇李立本
  • 1篇戴锋
  • 1篇钟哲
  • 1篇张锦心

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇第二届全国敏...

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1986
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
p型含氮CZ—Si单晶的退火性质被引量：1
1993年
本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。
陈畅生曾繁清曾瑞陈炳若龙理何民才张锦心李立本
关键词：单晶制备退火
微光仪
本发明公开了一种微光仪，它不需要外加机械斩波器而使用内调制光电探测器，达到测量微弱光的目的。
何民才龙理陈畅生蔡本兰
文献传递
间接耦合光电探测结构的光致负阻特性被引量：18
1991年
本文报道了间接耦合光电探测结构所产生的光致负阻现象及初步实验结果.
何民才钟哲陈炳若黄启俊陈畅生龙理杨恢东蔡本兰
内调制光电探测器(特邀报告)
何民才龙理陈畅生
关键词：光电探测器光电效应光敏器件
内调制光敏管物理特性的进一步研究
1992年
本文详细地分析了一种新型光电探测器——内调制光敏管的物理特性,考虑了表面态和通道空穴准费米势分布的影响。导出了通道内空穴浓度和空穴准费米势沿通道的分布,和耦合系数与栅压的关系,它们与实验结果符台得较好。
何民才龙理黄启俊陈炳若陈畅生
关键词：光电探测器光敏器件
注入光敏三极管的基本特性和分析被引量：5
1994年
本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所在．最后，用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释．
何民才黄启俊陈炳若龙理陈畅生戴锋池桂梅
关键词：光敏三极管光敏器件
注入光敏器件是一种新型的光电探测器被引量：8
1995年
注入光敏器件的理论是建立在公认的ｐｎ结光伏公式基础上的，有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良性能。
何民才黄启俊龙理陈畅生
关键词：光电探测器注入光敏器件光敏器件
半导体中点缺陷电子结构的计算
龙理
关键词：半导体电子结构
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共1页<1>
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