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丁李利: 作品数：88 被引量：115H指数：6; 供职机构：西北核技术研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术文化科学更多>>

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核与空间辐射效应模拟试验技术研究被引量：1: 2023年; 在天然与人为辐射环境中,辐射可能在电子器件中引发瞬时电离、单粒子、位移损伤、总剂量等多种辐射效应,导致器件性能退化、功能异常、故障甚至损毁,是制约电子器件及所属系统长期、稳定、可靠工作的关键.核与空间辐射效应模拟试验技术是抗辐射加固的基础,可用于研究辐射效应机理、检验抗辐射加固方法有效性,是提升电子器件和系统抗辐射能力不可或缺的重要手段.本文从瞬时电离辐射效应模拟试验技术、空间单粒子效应模拟试验技术、位移损伤效应模拟试验技术、总剂量效应模拟试验技术四个方面出发,梳理了辐射效应研究和模拟试验装置现状,结合微电子工艺的发展趋势,分析提炼需要重点关注的科学问题与技术问题,为抗辐射加固技术创新发展提供参考.; 陈伟陈伟马武英罗尹虹丁李利马武英刘岩王晨辉姚崇斌丁李利郭晓强王祖军吴伟

纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究被引量：1: 2015年; 器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随着质子能量的增加,单粒子多位翻转百分比和多样性增加,质子单粒子多位翻转角度效应与质子能量相关.采用一种快速计算质子核反应引起单粒子多位翻转的截面积分算法,以Geant4中Binary Cascade模型作为中高能质子核反应事件发生器,从次级粒子的能量和角度分布出发,揭示了质子与材料核反应产生的次级粒子中,LET(linear energy transfer)最大,射程最长的粒子优先前向发射是引起单粒子多位翻转角度相关性的根本原因.质子能量、临界电荷的大小是影响纳米SRAM器件质子多位翻转角度相关性的关键因素.质子能量越小,多位翻转截面角度增强效应越大;临界电荷的增加将增强质子多位翻转角度效应.; 罗尹虹张凤祁郭红霞郭晓强赵雯丁李利王园明; 关键词：质子

一种基于双-双指数电流源的单粒子故障注入仿真方法: 本发明涉及一种基于双‑双指数电流源的单粒子故障注入仿真方法，包括1)单管辐射模型建立与参数提取；2)对CMOS工艺反相器电路执行器件与电路混合仿真，选取的入射离子LET值，获取单粒子瞬态脉冲电流；3)在目标电路故障注入节...; 王坦丁李利郭红霞罗尹虹张凤祁赵雯潘霄宇; 文献传递

重离子辐照引发的25 nm NAND Flash存储器数据位翻转: 2023年; 为研究不同注量下浮栅存储单元位翻转特点及其翻转截面变化,以及重离子入射导致的多单元翻转,以两款25 nm NAND Flash存储器为载体开展了重离子实验研究。实验结果表明,单个重离子在击中存储单元灵敏体积的情况下足以引起位翻转,位翻转比率随着注量累积基本呈线性变化。由于处于编程状态阈值电压分布低压区的存储单元倾向于在相邻或靠近的地址上集中分布,随着注量累积,这类存储单元数量迅速减少,而其他大量存储单元的翻转数增长率变化不明显,因此位翻转截面随注量累积呈下降趋势。重离子导致两款器件出现多单元翻转,多单元翻转呈现单列、双列以及列间隔等结构。利用离子电离径迹模型估算得到离子电离有效径迹半径,可以判定多单元翻转是由于一个离子的电离有效径迹覆盖了多个存储单元。; 盛江坤许鹏邱孟通丁李利罗尹虹姚志斌张凤祁缑石龙王祖军; 关键词：浮栅重离子辐照

空间辐射效应地面模拟等效的关键基础问题被引量：26: 2017年; 空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素,必须在地面利用模拟试验方法评价航天器在轨抗辐射性能。但由于地面模拟试验环境与空间真实辐射环境在能谱、粒子种类、辐照时间等方面存在较大差异,为此国内外已开展了大量的空间辐射损伤地面模拟试验方法研究。但在空间低剂量率辐射损伤增强效应的地面模拟试验方法、重离子能量与入射角度对单粒子效应试验方法和预估方法的影响、质子和反应堆中子位移损伤等效方法等方面还面临着诸多尚未解决的问题。本文从空间辐射环境和地面模拟试验环境的差异性出发,着重阐述了低剂量率辐射损伤增强效应、粒子能量与入射角度对单粒子效应的影响、空间位移效应地面模拟试验方法3个方面的研究现状和存在的问题,梳理给出辐射损伤天地等效试验需要解决的关键基础问题,为空间辐射效应地面模拟试验方法研究和完善提供参考。; 陈伟郭晓强姚志斌罗尹虹丁李利何宝平王祖军王晨辉王忠明丛培天; 关键词：总剂量效应单粒子效应

Flash ROM的X微束辐照试验研究及失效机理分析: 2013年; Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样。为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究。分别研究了存储阵列,译码电路以及电荷泵等不同电路模块所引起的失效表征,利用错误位的逻辑地址映射图,总结错误分布规律,结合相应电路结构对其失效机理进行分析。辐照存储阵列会导致规则分布的0→1翻转错误,而译码电路出错会导致1→0的错误,电荷泵电路退化则会导致器件擦除和写入功能的失效。微束辐照结果可以有效补充全芯片总剂量效应考核的不足,为器件的抗辐射加固提供有益的参考。; 闫逸华陈伟郭红霞范如玉邓玉良郭晓强丁李利林东生张科营张凤祁; 关键词：FLASH ROM

一种用于单粒子翻转的故障模拟系统及分析方法: 本发明涉及一种用于大规模集成电路SRAM型FPGA中单粒子翻转的故障模拟系统及分析方法，包括上位计算机和控制板，所述控制板包括故障注入模块、故障检测模块、故障分析模块。本发明提供了一种使用灵活、成本低廉、具有模拟精度高、...; 王忠明姚志斌郭红霞赵雯丁李利王艳萍肖尧王园明张科营王伟; 文献传递

一种组合逻辑电路单粒子翻转效应传播规律的分析方法: 为了克服现有获得单粒子翻转的错误状态在逻辑电路中的传播规律方法成本高、效率低的技术问题，本发明提供了一种组合逻辑电路单粒子翻转效应传播规律的分析方法，通过局部建模结合统计方法来分析单粒子翻转效应在组合逻辑电路中的传播规律...; 郭晓强陈伟赵雯丁李利王勋张凤祁罗尹虹陈荣梅曹良志; 文献传递

辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法: 本发明提供了一种辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法，充分考虑到电子系统与底层器件失效判据不同的实际状况，通过逐一辐照电子系统中底层器件并进行概率合成以评价整个电子系统单粒子效应敏感性，解决了现有系统级单粒...; 丁李利陈伟郭晓强张凤祁王坦潘霄宇徐娜军李斌; 文献传递

纳米静态随机存储器单粒子翻转临界电荷获取方法: 本发明提供了一种基于仿真的纳米静态随机存储器单粒子翻转临界电荷获取方法，包括步骤：建立纳米静态随机存储器的器件模型；获取器件模型的蝴蝶特性曲线；校准所述蝴蝶特性曲线；构建纳米静态随机存储器的几何结构模型；设置低能质子初始...; 赵雯陈伟王忠明郭晓强丛培天罗尹虹丁李利郭红霞潘霄宇王坦王勋

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