上官士鹏
- 作品数：26 被引量：42H指数：4
- 供职机构：中国科学院空间科学与应用研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法被引量：6
- 2014年
- 基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。
- 陈睿余永涛董刚上官士鹏封国强韩建伟马英起朱翔
- 关键词：重离子辐照
- 一种检测FPGA单粒子效应与其时序特性关系的装置及方法
- 本发明公开了一种检测FPGA单粒子效应与其时序特性关系的装置，包括FPGA测试电路、时序控制电路和上位机控制模块；其中，时序控制电路连接到FPGA测试电路，FPGA测试电路连接到上位机控制模块；在测试过程中，FPGA测试...
- 封国强韩建伟朱翔姜昱光上官士鹏陈睿马英起余永涛
- 单粒子翻转敏感区定位的脉冲激光试验研究被引量：5
- 2015年
- 利用脉冲激光单粒子翻转敏感区定位成像系统,对静态随机存储器件IDT71256开展了单粒子翻转敏感区定位的试验研究。为避开器件正面金属层对激光的阻挡,试验采用背面辐照方式进行测试。试验结果表明,存储单元中存储数据类型对器件单粒子翻转的敏感性有较大影响,由测得的单粒子翻转敏感区分布图经处理得到单粒子翻转截面,结果与重离子试验测得的翻转截面数据一致。
- 余永涛封国强上官士鹏陈睿韩建伟
- 关键词：单粒子效应数据类型
- 激光微束背部辐照芯片试验的聚焦平面定位装置及方法
- 本发明提供了激光微束背部辐照芯片试验的聚焦平面定位装置，用于对被测器件进行聚焦平面定位，所述装置包括试验用激光源(1)、聚焦光路调节模块(2)、成像CCD模块(3)、三维移动台(4)及三维移动台控制模块(5)；所述试验用...
- 马英起韩建伟封国强姜昱光上官士鹏余永涛朱翔陈睿
- 文献传递
- FPGA单粒子效应动态故障测试装置及方法
- 本发明涉及一种FPGA单粒子效应动态故障测试装置，包括：控制电路模块(11)、上位机控制模块(12)、可控脉冲激光模块(15)以及三维移动模块(16)；其中，三维移动模块(16)在测试时用于安装待测试的被测FPGA器件(...
- 朱翔封国强韩建伟姜昱光上官士鹏马英起陈睿余永涛
- 文献传递
- 一种脉冲激光等效LET计算方法
- 本发明涉及一种脉冲激光等效LET值的计算方法，该方法由脉冲激光等效LET值定义式及激光强度随入射深度x的衰减规律可知，在线性吸收机制下，每个光子产生一个电子空穴对，对于脉冲激光背部辐照试验方法，考虑芯片背部衬底外表面对脉...
- 封国强马英起韩建伟上官士鹏余永涛姜昱光朱翔陈睿董刚
- 文献传递
- 基于脉冲激光的器件单粒子效应试验方法
- 近年来,脉冲激光模拟单粒子效应试验方法,由于具有低成本、操作便捷、微束定位和试验高效等优势,正被广泛应用于宇航用器件的筛选测试及器件抗单粒子效应设计效果的验证试验中。本文利用自主搭建的纳秒和皮秒脉冲激光单粒子效应试验系统...
- 封国强马英起上官士鹏姜昱光韩建伟陈睿朱翔
- 文献传递
- 脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究被引量：3
- 2013年
- 针对0.13μm和0.35μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面,本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测试两者的影响。试验结果表明:只有聚焦到芯片有源区才可测得最低的翻转阈值和最大的翻转截面,此时的结果与重离子结果基本一致;注量对翻转阈值测试无影响,但注量增大时翻转截面会减小,测试时激光脉冲注量应小于1×107 cm-2;测试模式和存储数据对翻转阈值和翻转截面的影响不大,测试时可不考虑。
- 上官士鹏封国强余永涛姜昱光韩建伟
- 关键词：SRAM脉冲激光
- 脉冲激光试验在宇航器件和电路系统抗单粒子效应设计中的初步应用被引量：10
- 2011年
- 抗单粒子效应加固是宇航器件研发和卫星电路系统设计面临的重要难题。准确、有效的单粒子效应试验评估对此问题的解决有巨大帮助。中国科学院空间科学与应用研究中心于近十年在国内自主发展了用于单粒子效应评估的脉冲激光试验相关装置、试验技术和方法,对宇航器件和卫星电路开展了初步应用。通过脉冲激光试验,能够快速甄别、定位宇航器件试样的单粒子效应薄弱点,以及快速地摸底评估出芯片的整体加固性能。对于卫星电路系统,脉冲激光试验不仅能够快速摸底评估拟用器件的抗单粒子效应性能,而且能够针对芯片空间分布和电路时序变化进行扫描和定点测试,验证加固效果。
- 韩建伟封国强蔡明辉马英起上官士鹏陈睿张玉靖
- 关键词：单粒子效应脉冲激光
- 基于脉冲激光单粒子效应的二次光斑研究被引量：2
- 2013年
- 脉冲激光可有效模拟重离子触发芯片的单粒子效应。本工作在应用背部激光试验方法辐照芯片时观察到了二次光斑现象,通过Si衬底和Si晶圆片研究了芯片单粒子效应实验中二次光斑的成因。实验结果表明,二次光斑主要是由于激光在芯片有源区附近的金属布线层反射形成的。通过测量芯片的Si衬底厚度以及激光触发芯片单粒子效应时的聚焦深度,实验验证了二次光斑是在金属布线层区域形成的。
- 姜昱光封国强朱翔马英起上官士鹏余永涛韩建伟
- 关键词：脉冲激光硅衬底单粒子效应
