2025年1月6日
星期一
|
欢迎来到贵州省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
任昕
作品数:
18
被引量:0
H指数:0
供职机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
更多>>
相关领域:
金属学及工艺
更多>>
合作作者
边历峰
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
杨晓杰
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
朱建军
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
黄宏娟
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
陆书龙
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
18篇
中文专利
领域
2篇
金属学及工艺
主题
6篇
探测器
6篇
红外
6篇
红外探测
6篇
红外探测器
4篇
叠合
4篇
碳纳米管
4篇
纳米
4篇
纳米管
4篇
互连
4篇
基板
4篇
加热室
4篇
反应气体
4篇
辐照
4篇
差分
3篇
单片
3篇
单片集成
2篇
单晶
2篇
调温
2篇
叠层
2篇
叠层结构
机构
18篇
中国科学院
作者
18篇
任昕
18篇
边历峰
6篇
朱建军
6篇
杨晓杰
4篇
陆书龙
4篇
黄宏娟
2篇
任雪勇
2篇
张辉
2篇
阮孟财
2篇
曾琪
1篇
贾少鹏
1篇
陈俊霞
1篇
王青松
1篇
王鑫
年份
1篇
2022
1篇
2020
2篇
2018
4篇
2016
6篇
2015
1篇
2014
3篇
2013
共
18
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种温度连续可调的喷淋头
一种温度连续可调的喷淋头,用于进行金属有机化学沉积反应,包括:进气单元;反应室上盖;连接于进气单元和反应室上盖的喷淋管;其特征在于,还包括:调温盘组件,调温盘组件包括调温盘及分设两边的入口通道和出口通道,调温盘内设有供冷...
阮孟财
朱建军
边历峰
任昕
文献传递
红外探测器及其制作方法
本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层,构成第一N+中间接触层、第一量子点有源区、N+...
任昕
杨晓杰
边历峰
黄宏娟
文献传递
红外探测器及其制作方法
本发明公开了一种抗辐射和抗光盲双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,其特征在于:所述第一量子点探测结构主要由N+下接触层、第一量子点有源区、第一N+中间接触层构成,所述第二量子点探测器结...
任昕
杨晓杰
边历峰
任雪勇
文献传递
全光单片集成光电器件及其制作方法
本发明提供了一种全光GaN/GaInP/GaAs单片集成器件及其制作方法,所述全光单片集成器件的带隙能量分别为3.5/1.9/1.4 ev,在GaAs和GaN之间增加中间层GaInP的带隙为1.9ev波长在红光范围内,所...
任昕
陆书龙
边历峰
文献传递
红外探测器及其制作方法
本发明公开了一种抗辐射和抗光盲双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,其特征在于:所述第一量子点探测结构主要由N+下接触层、第一量子点有源区、第一N+中间接触层构成,所述第二量子点探测器结...
任昕
杨晓杰
边历峰
任雪勇
文献传递
双色光电器件及其制作方法
本发明公开了一种双色光电器件,包括p型GaAs衬底,形成于p型GaAs衬底上的GaInP/AlGaInP有源区量子阱,以及形成于GaInP/AlGaInP有源区量子阱上的n型GaAs接触层,所述双色光电器件为单片集成的单...
任昕
陆书龙
边历峰
文献传递
一种碳纳米管连续生长装置
本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置,包括:加热室,具有一加热腔,所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔;位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜,所述的催化剂薄膜沿重力方向形成于所述基板的下表面;加...
任昕
边历峰
朱建军
文献传递
红外探测器及其制作方法
本申请公开了一种红外探测器,包括半绝缘砷化镓单晶衬底以及依次形成于所述半绝缘砷化镓单晶衬底上的n<Sup>+</Sup>下电极接触层、暗电流阻挡层、量子点有源区、n<Sup>+</Sup>中间电极接触层和p<Sup>+<...
边历峰
任昕
杨晓杰
黄宏娟
文献传递
一种层状复合材料及其制备方法与应用
本发明公开了一种层状复合材料,包括合金钢层和镍铜合金层,所述合金钢层和所述镍铜合金层通过压制和烧结工艺冶金结合,所述合金钢层背离所述镍铜合金层的一侧表面通过渗硼工艺形成渗硼钢层。本发明还公开了如上所述的层状复合材料的制备...
曾琪
边历峰
任昕
张辉
文献传递
全光单片集成光电器件及其制作方法
本发明提供了一种全光GaN/GaInP/GaAs单片集成器件及其制作方法,所述全光单片集成器件的带隙能量分别为3.5/1.9/1.4ev,在GaAs和GaN之间增加中间层GaInP的带隙为1.9ev波长在红光范围内,所述...
任昕
陆书龙
边历峰
文献传递
全选
清除
导出
共2页
<
1
2
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张