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文献类型

  • 18篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇探测器
  • 6篇红外
  • 6篇红外探测
  • 6篇红外探测器
  • 4篇叠合
  • 4篇碳纳米管
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 4篇互连
  • 4篇基板
  • 4篇加热室
  • 4篇反应气体
  • 4篇辐照
  • 4篇差分
  • 3篇单片
  • 3篇单片集成
  • 2篇单晶
  • 2篇调温
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层结构

机构

  • 18篇中国科学院

作者

  • 18篇任昕
  • 18篇边历峰
  • 6篇朱建军
  • 6篇杨晓杰
  • 4篇陆书龙
  • 4篇黄宏娟
  • 2篇任雪勇
  • 2篇张辉
  • 2篇阮孟财
  • 2篇曾琪
  • 1篇贾少鹏
  • 1篇陈俊霞
  • 1篇王青松
  • 1篇王鑫

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2018
  • 4篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种温度连续可调的喷淋头
一种温度连续可调的喷淋头,用于进行金属有机化学沉积反应,包括:进气单元;反应室上盖;连接于进气单元和反应室上盖的喷淋管;其特征在于,还包括:调温盘组件,调温盘组件包括调温盘及分设两边的入口通道和出口通道,调温盘内设有供冷...
阮孟财朱建军边历峰任昕
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红外探测器及其制作方法
本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层,构成第一N+中间接触层、第一量子点有源区、N+...
任昕杨晓杰边历峰黄宏娟
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红外探测器及其制作方法
本发明公开了一种抗辐射和抗光盲双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,其特征在于:所述第一量子点探测结构主要由N+下接触层、第一量子点有源区、第一N+中间接触层构成,所述第二量子点探测器结...
任昕杨晓杰边历峰任雪勇
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全光单片集成光电器件及其制作方法
本发明提供了一种全光GaN/GaInP/GaAs单片集成器件及其制作方法,所述全光单片集成器件的带隙能量分别为3.5/1.9/1.4 ev,在GaAs和GaN之间增加中间层GaInP的带隙为1.9ev波长在红光范围内,所...
任昕陆书龙边历峰
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红外探测器及其制作方法
本发明公开了一种抗辐射和抗光盲双色量子点红外探测器,包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构,其特征在于:所述第一量子点探测结构主要由N+下接触层、第一量子点有源区、第一N+中间接触层构成,所述第二量子点探测器结...
任昕杨晓杰边历峰任雪勇
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双色光电器件及其制作方法
本发明公开了一种双色光电器件,包括p型GaAs衬底,形成于p型GaAs衬底上的GaInP/AlGaInP有源区量子阱,以及形成于GaInP/AlGaInP有源区量子阱上的n型GaAs接触层,所述双色光电器件为单片集成的单...
任昕陆书龙边历峰
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一种碳纳米管连续生长装置
本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置,包括:加热室,具有一加热腔,所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔;位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜,所述的催化剂薄膜沿重力方向形成于所述基板的下表面;加...
任昕边历峰朱建军
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红外探测器及其制作方法
本申请公开了一种红外探测器,包括半绝缘砷化镓单晶衬底以及依次形成于所述半绝缘砷化镓单晶衬底上的n<Sup>+</Sup>下电极接触层、暗电流阻挡层、量子点有源区、n<Sup>+</Sup>中间电极接触层和p<Sup>+<...
边历峰任昕杨晓杰黄宏娟
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一种层状复合材料及其制备方法与应用
本发明公开了一种层状复合材料,包括合金钢层和镍铜合金层,所述合金钢层和所述镍铜合金层通过压制和烧结工艺冶金结合,所述合金钢层背离所述镍铜合金层的一侧表面通过渗硼工艺形成渗硼钢层。本发明还公开了如上所述的层状复合材料的制备...
曾琪边历峰任昕张辉
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全光单片集成光电器件及其制作方法
本发明提供了一种全光GaN/GaInP/GaAs单片集成器件及其制作方法,所述全光单片集成器件的带隙能量分别为3.5/1.9/1.4ev,在GaAs和GaN之间增加中间层GaInP的带隙为1.9ev波长在红光范围内,所述...
任昕陆书龙边历峰
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共2页<12>
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