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刘庆祥

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓场效应...
  • 1篇静电放电
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管

机构

  • 1篇天津大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国民航大学

作者

  • 1篇刘庆祥
  • 1篇王文生
  • 1篇桂建勋

传媒

  • 1篇天津大学学报

年份

  • 1篇1997
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
砷化镓场效应管的潜在性失效被引量：4
1997年
为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静电放电失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表现为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理为：在强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力．
桂建勋刘庆祥王文生
关键词：砷化镓场效应管静电放电
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