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In在Al(001)表面偏析的模拟被引量：1: 2010年; 通过一种空位模型详细的描述了In在Al(001)表面的扩散偏析过程,利用周期性密度泛函理论方法计算了这个偏析过程中每步构型的能量和In原子扩散的能量壁垒,并对可能的偏析机理进行分析.结果表明:In原子从Al(001)表面第二层扩散偏析至表面层时,系统的能量降低了0.64eV,最大的扩散迁移壁垒为0.34eV;而从表面更内层向表面第二层扩散时系统能量基本保持不变,扩散需要克服的能量壁垒为0.65eV,说明In原子在Al(001)表面只能由体内向表面扩散偏析.In在Al(001)的清洁表面具有强烈的偏析趋势,在热力学上是容易进行的.; 刘建才张新明陈明安唐建国刘胜胆; 关键词：密度泛函理论表面偏析扩散 AL合金

含Pb铝合金表面的电化学溶解趋势被引量：3: 2010年; 利用一个简单层状模型通过第一性原理的密度泛函理论研究了表面Pb含量变化对Al(100)表面Al原子的化学势和电化学溶解电势的影响规律.计算结果表明,当表面层Pb含量为1/9、1/4、1/2和3/4 ML(monolayer)时,与纯铝相比,表面Al原子的化学势分别升高了0.13、0.17、0.57和0.64 eV,表面Al原子的溶解电极电势分别偏移了-0.04、-0.06、-0.19和-0.21 V.溶解电势向负方向偏移,表明含Pb的Al(100)表面的Al原子在更低的电势条件下就可以溶解了.同时,表面Pb含量不同会引起表面Al原子向内不同程度的弛豫,导致表面Al的化学环境和表面结构发生变化,进一步表明金属表面原子的化学势和溶解电极电势受原子周围的化学环境的影响.表面Mülliken电荷布居分析证实,随着表面Pb含量增加,Pb原子与Al原子之间的电荷交换作用增强,使表面Al原子总的负电荷数增加,导致表面电位下降,表面功函数也减小,也促使Al表面更易于发生电化学腐蚀反应.; 刘建才张新明陈明安唐建国刘胜胆; 关键词：第一性原理化学势

最终退火工艺和腐蚀预处理对铝箔发孔性能的影响被引量：6: 2010年; 通过极化曲线测试铝箔的腐蚀电位,结合光学显微镜和扫描电镜等观察铝箔腐蚀发孔后的表面形貌,探讨最终退火工艺和酸碱预处理对高压电子铝箔腐蚀发孔性能的影响规律。结果表明:铝箔在经不同温度(470～560℃)和不同时间(0.5h～4h)的最终退火处理时,当铝箔经500℃,1h退火后,各种有利于发孔的元素扩散到铝箔表层、富集并且均匀分布,此时的发孔效果最好,继续升高退火温度和延长退火时间反而会使发孔变得不均匀;发孔前碱处理能适当减少铝箔表面的氧化层,酸处理则将Cl-引入铝箔表面,酸+碱清洗使铝箔的腐蚀电位降低,促进铝箔的腐蚀发孔,腐蚀后的发孔面积和密度比未经预处理的大,发孔更均匀。; 刘建才张新明陈明安朱兵唐建国刘胜胆; 关键词：预处理

密度泛函理论预测微量元素在Al(100)表面的偏聚被引量：9: 2009年; 通过周期性层状模型,利用密度泛函理论预测了微量杂质元素原子M(M=Fe,Si,Mg,Cu,Mn,Ga,In,Sn,Pb)在高纯铝箔(100)表面的偏聚趋势.计算得到表面偏聚能与已有实验结果相吻合.表面偏聚能由表面取代的微量元素原子M的位置、原子半径和金属的表面能决定.当表面偏聚能为负时,微量元素原子M在表面偏聚,反之则杂质原子不发生表面聚集.微量元素原子在铝箔表面偏聚可以使铝箔表面产生大量的缺陷和位错,它们在铝箔腐蚀时容易成为腐蚀的形核起点,进而增加铝箔的腐蚀发孔密度.; 刘建才张新明陈明安唐建国刘胜胆; 关键词：密度泛函理论高纯铝箔表面能

痕量元素和预处理对高压铝箔立方织构和发孔性能的影响: 高比电容电解电容器用铝箔是一种高技术和高附加值产品,它是电子工业最基本的元器件——电容器的基础材料。国内某厂现有高压箔产品在铬酸体系下发孔效果较好,比电容高；但在环保型硫酸体系工艺条件下,出现发孔腐蚀不均匀,发孔数量少等...; 刘建才; 关键词：立方织构; 文献传递

铝晶体自由表面的稳定性计算被引量：8: 2009年; 采用第一原理赝势平面波方法,计算铝晶体学自由表面(100)、(110)和(111)的能量、几何与电子结构。根据表面能计算预测铝自由表面结构的稳定性。结果表明:铝自由表面结构稳定性由强到弱的顺序为(111)、(100)、(110);表面原子驰豫不仅引起表面几何结构的变化,而且使表面层的电子结构与键合特性发生改变;(100)、(110)和(111)表层驰豫分别为3.337%、-6.147%和-2.364%;表面电荷密度不同引起表面能差异,表面原子层和次表面原子层的电荷面密度在s和p轨道上重新分布;表面原子层电荷密度越大,表面能越低。; 张新明刘建才唐建国陈明安; 关键词：表面能

In在Al(100)表面的偏析行为及其对Al表面溶解电势的影响: 通过周期性层状模型，利用密度泛函理论研究了In在Al(100)表面的偏析趋势、扩散过程及其影响Al表面溶解电势的规律。计算结果表明：1) In在Al(100)表面的偏析能为-1.07eV，具有强烈的向表面偏析的趋势；2)...; 刘建才张新明陈明安朱兵唐建国刘胜胆; 关键词：铝元素表面偏析

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刘建才