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刘盛

作品数:3 被引量:5H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇锑化物
  • 1篇带间跃迁
  • 1篇跃迁
  • 1篇锑化物激光器
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇光栅
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇GASB
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇波段
  • 1篇参数设计

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇刘盛
  • 2篇张永刚

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计被引量:3
2008年
采用一维方势阱模型对GaSb/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2-3μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。
刘盛张永刚
关键词:量子阱结构半导体激光器带间跃迁
2μm波段锑化物量子阱激光器参数设计与光栅制备研究
本论文针对2μm中红外波段InGaAsSb/GaSb多量子阱激光器的特点和存在的问题,对激光器参数进行了设计,对不同温度生长的InGaAsSb/GaSb多量子阱材料进行了性能表征,对采用全息曝光法制备短周期光栅的工艺进行...
刘盛
关键词:锑化物
锑化物激光器的研究进展被引量:2
2007年
锑化物激光器在2~5μm波段具有广阔的应用前景。综述了锑化物激光器的研究进展,重点论述了材料生长、结构设计、器件工艺、封装技术以及新的器件结构,讨论了其中存在的主要技术问题,并指出了锑化物激光器不断向长波长方向扩展的趋势。
刘盛张永刚
关键词:分子束外延锑化物激光器
共1页<1>
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