刘礼华
- 作品数:21 被引量:58H指数:4
- 供职机构:哈尔滨工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金:国家高技术研究发展计划中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:金属学及工艺一般工业技术电子电信理学更多>>
- Ti-Ni-Hf高温形状记忆合金的显微组织与力学行为
- 该文采用透射电镜、高分辨电镜、扫描电镜、X射线衍射分析、电子探针、差热扫描分析以及不同温度下的拉伸试验,研究了Ti<,36>Ni<,49>Hf<,15>高温形状记忆合金的显微组织、马氏体相变、形状记忆效应及力学行为,以及...
- 刘礼华
- 关键词:高温形状记忆合金显微组织形状记忆效应
- 文献传递
- 应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法
- 本发明涉及用在光纤相干通讯和光纤传感器领域,应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法。技术措施包括如下步骤:取出应力区和芯区的样品,测量应力区样品B元素的含量,测量芯区样品Ge元素的含量;把光纤小段端面喷镀1μm~2μm厚...
- 李美成刘礼华肖天鹏赵连城
- 文献传递
- 应力-应变循环对Ti-49.8at%Ni合金非线性超弹性的影响被引量:1
- 1997年
- 利用拉伸试验系统研究了应力应变循环对Ti49.8at%Ni合金非线性超弹性的影响。冷变形+退火处理的Ti49.8at%Ni合金丝材经一定次数的应力应变循环处理后,可获得完全的非线性超弹性,随后随着应力应变循环次数的增加,应力诱发马氏体临界应力与非线性超弹性应变量均下降,当应力应变循环达到一定次数,丝材的非线性超弹性性能将达到稳定。并且,经不同工艺处理的Ti49.8at%Ni合金丝材的非线性超弹性受应力应变循环的影响并不相同。应力应变循环对经450℃、05h退火处理的冷变形量为384%丝材的非线性超弹性影响较小。
- 黄兵民蔡伟赵蔚赵蔚刘礼华
- 关键词:钛镍记忆合金
- 近等原子比NiTi合金中的两种双程形状记忆效应被引量:1
- 1994年
- 研究了约束加热温度对近等原子比NiTi合金双程形状记忆效应的影响。结果表明:随约束加热温度的升高,会产生两种变形方向相反的双程形状记忆效应:一种在100℃左右达最大植,另一种在440℃左右达最大值,但后者的应变量明显小于前者。根据不同温度下约束加热处理后试样的内应力场特征的分析,上述两种双程形状记忆效应的产生与内应力场的差异有关。前者主要与母相残余应变导致的弹性内应力场有关,而后者则取决于母相塑性变形产生的位错内应力场。
- 刘礼华杨建华赵连城
- 关键词:镍钛合金形状记忆效应
- 同时考虑界面非等温特性和对流影响的二元合金自由枝晶生长模型被引量:1
- 2021年
- 在同时考虑界面非等温性质以及强制对流影响的情况下,提出二元合金的扩展自由枝晶生长模型。模型对比表明:由于溶质扩散系数通常比热扩散系数小3个数量级,当低过冷时,对流对溶质扩散的影响比其对热扩散的影响更强烈。当高过冷时,对流对枝晶生长的影响很小。此外,本模型能够对现有Cu70Ni30合金实验数据给出一致的描述,特别是在低过冷时。这得益于当前模型获得了比忽略对流影响的模型更快的界面迁移速率。
- 刘书诚刘礼华李述李述
- 关键词:二元合金
- NiTi基形状记忆合金管材组合温拔工艺及组织性能分析研究被引量:4
- 2005年
- NiTi基记忆合金管材在紧固件、连接件和医疗等领域都有广泛的用涂.NiTi基记忆合金无缝管材是一种难加工型材.采用多道次冷轧加中间真空退火工艺生产成本较高.通过热加工工艺生产NiTi基记忆合金管材国际上只有少数几个国家技术过关.为深入研究其变形规律,在我国实现产业化,借助有限元模拟设计了模具、工装和拔制工艺.通过套拉开坯或机械加工管坯和金属芯棒,采用石墨润滑,在60T万能拉压实验机上对碳钢和NiTi形状记忆合金两对组合体进行400~700℃不同温度、10~15%不同到次延伸率、芯棒与管坯间不同间隙和不同长度下的温拔试验.然后加热塑性拉伸金属芯棒,使其减径并从管中取出,芯棒材料与管坯为同一种材料.温拔由一步完成或两步或多步完成,每步温拔之间不做任何处理,每步温拔芯棒要充分地改变,然后进一步延伸.成功地拔制出了表面和内部质量良好的科4mm管材.结果表明该工艺可用于NiTi基记忆合金材加工,也可供成型其他难加工管材参考.为与套拉后制件的组织性能对比研究提供素材,套拉前对管坯组织性能进行了分析.
- 陈威张伟红张伟红刘礼华蔡伟蔡伟孙文
- 关键词:芯棒数值模拟
- 应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法
- 本发明涉及用在光纤相干通讯和光纤传感器领域,应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法。技术措施包括如下步骤:取出应力区和芯区的样品,测量应力区样品B元素的含量,测量芯区样品Ge元素的含量;把光纤小段端面喷镀1μm~2μm厚...
- 李美成刘礼华肖天鹏赵连城
- 文献传递
- 保偏光纤应力元成分分布的电子探针分析及双折射的模拟计算
- 2004年
- 利用电子探针波谱仪(WDS)对保偏光纤的横截面进行了成分分析,得到了径向掺杂元素的分布以及应力区和芯区的实际几何形状.实验分析表明保偏光纤截面应力掺杂区成分分布比较明显,从背散射像可以看出,中心白色区域为光纤的Ge掺杂的芯部,两侧黑色区域为B掺杂的应力区.扫描电镜能谱分析得到光纤截面能谱图,从而得到光纤内的杂质种类,这也是和工艺过程中所掺杂的元素相对应的.同时,在测得的应力元形状的基础上,利用微元算法模拟计算双折射与应力元形状及掺杂元素浓度的关系,为新型应力元结构光纤的设计提供依据.
- 李美成刘礼华李祥鹏萧天鹏赵连城
- 关键词:保偏光纤双折射
- 管内化学汽相沉积工艺制备低羟基含量光纤预制棒的方法
- 管内化学汽相沉积工艺制备低羟基含量光纤预制棒的方法,在传统的MCVD或PCVD工艺中引入氢同位素置换工艺,在MCVD或PCVD法制备光纤预制棒的同时利用氘元素置换基管和沉积层内的氢元素,制备过程中的反复间断的利用氘元素置...
- 迟玉山刘礼华卞进良
- 文献传递
- 管内化学汽相沉积工艺制备低羟基含量光纤预制棒的方法
- 管内化学汽相沉积工艺制备低羟基含量光纤预制棒的方法,在传统的MCVD或PCVD工艺中引入氢同位素置换工艺,在MCVD或PCVD法制备光纤预制棒的同时利用氘元素置换基管和沉积层内的氢元素,制备过程中的反复间断的利用氘元素置...
- 迟玉山刘礼华卞进良
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