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刘艳松

作品数：4 被引量：6H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇纳米硅
  • 3篇激光
  • 2篇非晶硅
  • 2篇尺寸可控
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇电路
  • 1篇氧化硅
  • 1篇三维集成电路
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子技术
  • 1篇纳米
  • 1篇激光辐照
  • 1篇激光晶化
  • 1篇激光诱导
  • 1篇集成电路
  • 1篇光辐照
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇二氧化硅

机构

  • 4篇南京大学

作者

  • 4篇刘艳松
  • 3篇黄信凡
  • 3篇陈坤基
  • 3篇李伟
  • 2篇马忠元
  • 2篇徐骏
  • 2篇陈铠
  • 1篇乔峰
  • 1篇岑展鸿
  • 1篇韩培高
  • 1篇李鑫
  • 1篇张贤高
  • 1篇韩培
  • 1篇陈三

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
尺寸可控的纳米硅的制备和生长模型
提出了在a-SiNx/a-Si:H/a-SiHx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核、并且限制性生长从球形到鼓形的过程.基于经典热力学理论,建立了限制性晶化理论模型:纳米硅生长过程中界面能增大导致...
黄信凡陈铠刘艳松马忠元李伟韩培高张贤高陈坤基
关键词：非晶硅纳米硅
文献传递
尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证被引量：5
2006年
基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34nm.在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.
刘艳松陈铠乔峰黄信凡韩培高钱波马忠元李伟徐骏陈坤基
关键词：非晶硅纳米硅激光辐照
单晶硅（c-Si）/二氧化硅（SiO<,2>）量子阱的制备和可见光致发光
由于Si是现代微电子技术领域的主导半导体材料，近年来，纳米尺度Si材料的可见光发射有望在光电子领域的应用引起了人们极大的兴趣。量子限制效应导致纳米硅(nc—Si)量子点薄膜带隙增大，在可见光波段光致发光的研究在理论和实验...
刘艳松
关键词：微电子技术三维集成电路
激光诱导单层纳米硅结构的形成及其发光特性被引量：1
2006年
结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证实了晶化过程的发生和纳米硅晶粒的形成.在得到的5nm厚晶化样品中观察到在660nm左右范围内光致发光峰,初步的分析表明其发光与纳米硅晶粒的形成有关.
岑展鸿徐骏李鑫李伟陈三刘艳松黄信凡陈坤基
关键词：纳米硅激光晶化光致发光
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