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卢励吾

作品数：54 被引量：25H指数：2
供职机构：北京大学物理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 10篇专利
  • 9篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 31篇电子电信
  • 10篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 19篇能级
  • 18篇深能级
  • 10篇分子束
  • 10篇分子束外延
  • 9篇瞬态
  • 9篇分子束外延生...
  • 9篇半导体
  • 8篇硅
  • 7篇砷化镓
  • 7篇深能级瞬态谱
  • 7篇激光
  • 7篇半导体材料
  • 5篇外加磁场
  • 5篇激光器
  • 5篇磁场
  • 4篇深中心
  • 4篇化物
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  • 4篇INGAAS...
  • 4篇MOCVD生...

机构

  • 47篇中国科学院
  • 8篇香港科技大学
  • 7篇北京大学
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇名古屋工业大...
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇清华大学
  • 1篇香港理工大学

作者

  • 54篇卢励吾
  • 20篇周洁
  • 17篇张砚华
  • 8篇封松林
  • 7篇葛惟昆
  • 5篇沈波
  • 4篇王占国
  • 3篇梁基本
  • 3篇王新强
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  • 3篇徐俊英
  • 2篇司承才
  • 2篇蒋波
  • 2篇李言谨
  • 2篇秦志新
  • 2篇刘芳
  • 2篇瞿伟
  • 2篇吴汲安
  • 2篇孔梅影
  • 2篇张盛廉

传媒

  • 12篇物理学报
  • 11篇Journa...
  • 5篇红外与毫米波...
  • 4篇电子学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第八届全国固...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第13届全国...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第六届全国电...
  • 1篇第六届全国固...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 5篇2002
  • 4篇2001
  • 2篇1999
  • 3篇1998
  • 2篇1996
  • 3篇1995
  • 7篇1994
  • 6篇1993
  • 3篇1992
共 54 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRINSCH SQW激光器中高温陷阱的研究
1993年
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs gradedindex separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在x_(Al)=0.2→0.43和x_(Al)=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在X_(Al)=0.43的n-AlGaAs层里X_(Al)值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。
卢励吾周洁徐俊英钟战天
关键词：分子束外延
大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响
1999年
利用电流电压（ Ｉ Ｖ）、电致发光（ Ｅ Ｌ）和深能级瞬态傅里叶谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｆ Ｓ）技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态．观察到大电流（直流）冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫． Ｄ Ｌ Ｔ Ｆ Ｓ研究表明，电流冲击之前，样品存在一个位于导带下 １１ｅ Ｖ 处深能级（ Ｅ１），它具有 ２７×１０１３ ｃｍ － ３ 浓度和 ５×１０－ １４ ｃｍ ２ 俘获截面．经电流冲击（７７ Ｋ，２００ｍ Ａ 和 ４０ｍ ｉｎ）后， Ｅ１ 浓度为４２１×１０１３ｃｍ － ３ ，约增加了 ２ 倍．实验结果表明 Ｅ１ 浓度的增加与样品 Ｉ Ｖ、 Ｅ Ｌ
卢励吾张砚华GeWeikunW.Y.HoCharlesSuryaK.Y.Tongc
关键词：化合物半导体氮化物
P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
1993年
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。
卢励吾周洁瞿伟张盛廉
关键词：MIS结构深能级INP
不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究被引量：1
1992年
对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生长是在特定实验条件下进行.分别利用C-V(Capacitance-Voltage)和 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)技术进行研究.结果表明,在介质膜和InP之间InP 一侧有若干界面陷阱存在,获得了与界面陷阱有关的深能级参数.这些陷阱的来源可能是:(1)介质膜淀积过程中InP表面部分P原子挥发造成的P空位;(2)InP衬底材料中的原生缺陷;(3)介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤.
卢励吾周洁瞿伟张盛廉
关键词：介质膜MIS结构
GaAs／GaAlAs单量子阱光调制器电学行为
1994年
利用导纳谱研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单量子阱光调制器的电学行为，观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”
周洁封松林卢励吾孙景兰
关键词：光调制器
氮在砷化镓中行为的研究被引量：1
1995年
在研究难熔金属氮化物／n－GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时，发现势垒特性随温度（700～850℃）提高而有所改善。深入研究发现，在负偏压预溅射氮离子后，难熔金属／n－GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特性，但预溅射氮后出现此现象，因此，人们认为有可能N在GaAs表面形成或参与形成了一个p+层。为深入了解产生这一现象的原因，对两种砷化镓样品：半绝缘和n型GaAs（100）样片，分别注入N+或N+＋Si+，以研究N在GaAs中的行为。退火消除损伤后，对样品进行霍尔测量和深能级瞬态谱研究。分析所得结果，发现N在GaAs中引入一深能级，位置在Ec＝－0．38eV左右，并在退火后可使ELZ能级密度大大增加，但未发现氮在砷化镓中可形成p型层的迹象。如果不是由于实验条件不同的原因，又若确实存在p+层，则很可能是难熔金属或难熔金属与氮共同作用的结果。
何杰卢励吾金高龙许振嘉张利春
关键词：氮砷化镓离子注入深能级
超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性被引量：1
1994年
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）系统地研究了ＧａＡｓ（５０Ａ）／ＧａＡｌＡｓ（５０Ａ）超晶格中的电子辐照缺陷，证实其亚稳态特性的存在，对其恢复温度、转变条件进行了研究，指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因．
封松林周洁卢励吾
关键词：超晶格亚稳态
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
本文主要研究了分子束外延(MBE)生长的应变In<,0.2>Ge<,0.8>As/GaAs折射率梯度变化,异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.
张砚华卢励吾
关键词：分子束外延生长
文献传递
(p)nc-Si∶H/(n)c-Si异质结变容二极管
2005年
采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射复合模型,这是nc-Si∶H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.
韦文生王天民张春熹李国华卢励吾
关键词：SI异质结变容二极管
氟基等离子体处理对高Al组分AlGaN肖特基接触反向漏电的改善
2012年
在沉积肖特基金属之前,对非掺的Al0.45Ga0.55N采用了不同时间的氟基等离子体处理,其中Al组分对应日盲波段。与未做氟基等离子体处理的样品相比,经过处理的Al0.45Ga0.55N肖特基二极管在反向-10V的漏电流密度随处理时间的增加而减少,其中处理1min的样品的漏电流密度减少了5个数量级。X射线光电子谱分析证明了处理过的样品表面Ga-F和Al-F键的形成。反向漏电的减少可能是由氟基等离子体处理耗尽了电子和有效钝化了表面态导致的。
赵胜秦志新刘芳卢励吾王新强沈波张国义
关键词：肖特基接触表面态
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