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史向华

作品数:52 被引量:80H指数:5
供职机构:长沙理工大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖南省自然科学基金湖南省教育厅科研基金更多>>
相关领域:理学机械工程电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 47篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 29篇理学
  • 12篇机械工程
  • 10篇电子电信
  • 5篇金属学及工艺
  • 5篇一般工业技术
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  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇政治法律

主题

  • 16篇多孔硅
  • 15篇发光
  • 12篇光致
  • 12篇光致发光
  • 6篇光谱
  • 6篇光学
  • 5篇钝化
  • 5篇微结构
  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 5篇
  • 4篇衍射
  • 4篇英文
  • 4篇晶格
  • 4篇光致发光谱
  • 4篇X射线
  • 3篇喇曼
  • 3篇教学
  • 3篇半导体
  • 3篇X射线衍射谱

机构

  • 37篇长沙电力学院
  • 14篇长沙理工大学
  • 10篇复旦大学
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇湖南文理学院
  • 1篇湖南城市学院
  • 1篇上海电力学院
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇西南师范大学

作者

  • 51篇史向华
  • 39篇刘小兵
  • 7篇廖家欣
  • 6篇孔凡志
  • 6篇侯晓远
  • 6篇周明
  • 5篇任鹏
  • 5篇周庆华
  • 5篇俞根才
  • 5篇王萍辉
  • 4篇贺慧勇
  • 3篇李君求
  • 3篇柳毅
  • 3篇柳玥
  • 3篇丁训民
  • 3篇靳彩霞
  • 3篇王杰
  • 2篇袁剑辉
  • 2篇熊祖洪
  • 2篇凌震

传媒

  • 17篇长沙水电师院...
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  • 4篇Journa...
  • 2篇长沙电力学院...
  • 2篇光学学报
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  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇湘潭大学自然...
  • 1篇核技术
  • 1篇激光技术
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇物理与工程
  • 1篇信息工程学院...
  • 1篇长沙大学学报
  • 1篇中国科教创新...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 4篇2003
  • 2篇2002
  • 14篇2001
  • 6篇2000
  • 4篇1999
  • 4篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
52 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多孔硅的微结构对其Raman谱的影响被引量:1
2004年
 用场发射扫描电子显微镜研究了用直流化学腐蚀和脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅(PS)的微结构,观察并测试了孔洞的垂直度、深度以及洞宽(直径),对PS的纵向微结构进行了二次电子图像和背散电子图像的分析。使用高灵敏的共焦显微Raman系统研究了纵向的Raman谱,同时分析了微结构对纵向Raman效应的影响。
刘小兵史向华柳毅柳玥王行军丁训民侯晓远
关键词:多孔硅RAMAN谱微结构
多孔硅微腔微结构的AFM和SEM研究被引量:1
2001年
多孔硅微腔是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构。用原子力显微镜 (AFM )和扫描电子显微镜 (SEM )对多孔硅微腔的侧向解理的截面进行了观测 ,得到了不同多孔层及其界面处的图像。微腔截面的扫描电镜图像清楚地显现出第Ⅱ型多孔硅微腔的“三明治”结构 ,即中心发光层被夹在两个Bragg反射镜之间。
史向华刘小兵
关键词:多孔硅微腔原子力显微镜扫描电子显微镜微结构
氢与氧及氮钝化对多孔硅光致发光的影响被引量:1
2001年
对多孔硅在NH3和O2 中进行后处理的结果表明 ,SiH(O3) ,SiH (SiO2 ) ,SiH2 (O2 ) ,Si(NH) 2 和Si3N4
刘小兵史向华
关键词:多孔硅钝化光致发光
分子束外延ZnSe/GaAs材料的拉曼散射研究被引量:6
2003年
用分子束外延 (MBE)技术 ,在GaAa( 10 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 45 μm到 1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子 (Longitudinal opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系 ,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的 ,这是由于界面失配位错引入外延层所致 ,理论分析与实验结果相吻合。
史向华王兴军俞根才侯晓远
关键词:分子束外延硒化锌相干长度薄膜生长化合物半导体
多孔硅光致发光峰半峰全宽的压缩被引量:3
2006年
硅发光对于在单一硅片上实现光电集成是至关重要的。目前已有的使硅产生发光的方法有:掺杂深能级杂质、掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及S i/S iO2超晶格。声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备光致发光多孔硅薄膜提供了一条重要的途径。实验表明,声化学处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术。超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅薄膜,比目前通用的常规方法制备的样品显示出更优良的性质。这种超声波的化学效应源于声空化,即腐蚀液中气泡的形成、生长和急剧崩溃。在多孔硅的腐蚀过程中,由于超声波的作用增加了孔中氢气泡的逸出比率和塌缩,有利于孔沿垂直方向的腐蚀,使多孔硅光致发光峰的半峰全宽压缩到了3.8 nm。
廖家欣任鹏史向华刘小兵
关键词:多孔硅光致发光
Zn_(1-x)Mn_(x)/ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究被引量:1
1998年
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16)超晶格结构,用X射线衍射和低温光致发光(PL)对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明,2K温度下,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格的光致发光中主发光峰对应于ZnSe阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁,而且其峰位相对于ZnSe薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中,当超晶格的总厚度大于其临界厚度时,自由激子峰位向低能方向红移2meV;当超晶格总厚度小于其临界厚度时,自由激子峰位向高能方向蓝移6meV。理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子的峰位移动,理论和实验符合很好。
靳彩霞史向华柯炼张保平凌晨余更才王杰候晓远
关键词:X射线衍射谱光致发光性质
电磁波方程及折射、反射定律的一些思考
2014年
本文由电磁波的麦克斯韦方程组出发,介绍导出折射定律和反射定律的一种证明方法.其证明方法,使用了空间微元近似,然后推广至全空间传播的方法,从而简化了麦克斯韦方程组求解的烦琐过程,提出了一种可教学推广的实用性方法.通过使用微元法,求解得到麦克斯韦方程的行波解形式,即得出电磁场是一种行波.由电磁场的向量形式推导空间中电磁波的折射、反射定律,得到折射、反射定律的证明并不需要电磁波的解析形式,在连续函数的情形下是普遍成立的.求解过程中加深对麦克斯韦方程组的理解,体现了电磁过程的深刻物理图像,也为由几何光学向波动光学过渡提供一种思想上的指导.
杨富国史向华
关键词:电磁场方程
X射线吸收谱精细结构分析的理论探讨(英文)
2000年
EXAFS是研究多元物质中任一组元临近结构的有效手段。本文在分析EXAFS的物理机制的基础上 ,对X射线吸收精细结构分析的方法和手段进行了深入的理论上的研究及探讨 。
史向华刘小兵王萍辉周庆华
关键词:吸收谱XAFSX射线
一种研究硼在合金中分布的有效方法被引量:3
2000年
报道了一种检测硼在固体 (钢与其它合金 )中分布的有效方法 ,即硼的显微径迹照相技术 ,并用这种方法研究了硼在几种钢以及GH1 2 8合金TLP扩散连接区的分布 .
孔凡志贺慧勇史向华刘小兵
关键词:固体核径迹探测器合金
分子束外延生长ZnO薄膜及性能研究被引量:3
2003年
用分子束外延 (MBE)和氧气氛方法 ,并改变束源炉和衬底生长温度 ,在Si(10 0 )衬底上 ,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题 ,生长得到ZnO薄膜。在ZnO Zn Si(10 0 )薄膜样品的X射线衍射 (XRD)谱中 ,观测到ZnO的 (10 0 )、(0 0 2 )、(10 1)、(10 2 )和 (10 3)等衍射峰 ;用原子力显微镜 (AFM)观测ZnO薄膜的表面形貌 ,为直径约 80— 90nm的量子点 ,表明已得到具有纳米结构的ZnO薄膜。用同步辐射EXAFS技术研究了ZnO薄膜的局域结构 。
周映雪史向华俞根才张新夷阎文胜韦世强谢亚宁
关键词:分子束外延ZNO薄膜扩展X射线吸收精细结构X射线衍射氧化锌
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