叶嗣荣
- 作品数：18 被引量：34H指数：4
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列被引量：5
- 2009年
- 报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范围260～280nm，268nm峰值波长的响应度大于0．095A／W。器件实现了日盲紫外成像演示。
- 赵文伯赵红叶嗣荣黄烈云唐遵烈罗木昌杨晓波廖秀英向勇军邹泽亚
- 关键词：ALXGA1-XNPIN光电二极管
- 64×64元GaN基紫外图像传感器的设计
- 本文介绍了64×64元GaN基紫外图像传感器的结构设计和制作过程,以及需要注意的关键技术，由GaN基紫外探测器组成的成像系统体积小，性能可靠，在军事民用两方面都有着独特的优势。
- 江永清李应辉黄烈云肖灿叶嗣荣向勇军
- 关键词：紫外探测器图像传感器GANALGAN成像系统
- 通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究被引量：7
- 2014年
- 通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。
- 黄绍春刘新叶嗣荣刘小芹
- 日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计被引量：2
- 2019年
- 设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150krad(Si),抗中子辐照注量达到1×1013 n/cm2(等效1MeV中子),验证了抗辐射加固措施的有效性。
- 申志辉罗木昌叶嗣荣樊鹏周勋
- 关键词：读出电路抗辐射加固总剂量效应
- 基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备
- 2016年
- 对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍。通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高质量斜台面能够有效抑制雪崩探测器的表面提前击穿,器件暗电流特性优良,获得了超高雪崩增益的GaN紫外雪崩探测器。
- 叶嗣荣周勋李艳炯申志辉
- 关键词：GAN背照式
- 日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制被引量：8
- 2007年
- 采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm。
- 黄烈云吴琼瑶赵文伯叶嗣荣向勇军刘小芹黄绍春
- 关键词：紫外探测器ALGAN日盲刻蚀欧姆接触
- 干氧SiO_2的氢氟酸缓冲腐蚀研究被引量：5
- 2006年
- 根据对掺三氯乙烯（TCE）干氧氧化的SiO2在不同配比氢氟酸缓冲腐蚀液（BHF）中的腐蚀特性的研究结果表明，在HF wt％保持不变的条件下，腐蚀速率先随着NH4F wt％的增大而上升；NH4F大于15 wt%～20wt％以后，腐蚀速率反而随之降低。值得注意的是，干氧SiO2同湿氧SiO2相比，在1wt％HF条件下，前者的腐蚀速率要比后者高，直到HF酸浓度大于3wt％时，前者的腐蚀速率才低于后者，这一现象可用NH^4＋阻挡模型结合TCE在SiO2中引入浅电子陷阱的方式得到解释。
- 黄绍春江永清叶嗣荣郭林红刘晓芹赵珊
- 关键词：湿法腐蚀三氯乙烯
- AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究被引量：2
- 2018年
- 结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件。测试所制作的器件,结果显示,其光谱响应范围为255~280nm,位于日盲波段,0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9%),有效像元数大于99.2%,响应非均匀性小于3.36%。
- 赵文伯叶嗣荣赵红罗木昌周勋杨晓波陈扬李艳炯申志辉柳聪
- 关键词：焦平面阵列
- 高抑制比背照式Al_xGa_(1-x)N pin日盲紫外探测器研究被引量：1
- 2014年
- 利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组分、极化效应对背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器抑制比的影响及非日盲光生载流子的限制机制。分析表明,提高p-AlxGa1-xN载流子浓度和GaN/AlxGa1-xN异质结极化强度是现有技术条件下提高器件抑制比的有效途径。
- 赵文伯许华胜申志辉叶嗣荣周勋李艳炯黄烈云
- 关键词：抑制比背照式
- 64×64元GaN基紫外图像传感器的设计
- 介绍了64×64元GaN基紫外图像传感器的结构设计和制作过程,以及需要注意的关键技术。
- 江永清李应辉黄烈云肖灿叶嗣荣向勇军
- 关键词：紫外图像传感器GANALGAN
- 文献传递
