您的位置： 专家智库 > >

吴小山

作品数：112 被引量：145H指数：6
供职机构：南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 61篇期刊文章
  • 27篇会议论文
  • 13篇专利
  • 3篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 65篇理学
  • 20篇一般工业技术
  • 14篇电气工程
  • 7篇电子电信
  • 6篇机械工程
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 15篇X
  • 11篇X射线
  • 10篇掺杂
  • 9篇钙钛矿
  • 8篇微结构
  • 8篇晶体
  • 8篇CO
  • 8篇磁电
  • 8篇磁电阻
  • 7篇电池
  • 7篇射线
  • 7篇输运
  • 7篇晶体结构
  • 7篇NI
  • 7篇FE
  • 7篇LA
  • 6篇散射
  • 6篇太阳能
  • 6篇太阳能电池
  • 6篇AL

机构

  • 98篇南京大学
  • 17篇中国科学院
  • 11篇江苏科技大学
  • 11篇南京理工大学
  • 7篇北京师范大学
  • 7篇南昌大学
  • 3篇国立台湾大学
  • 2篇河海大学
  • 2篇华中科技大学
  • 2篇台湾大学
  • 2篇香港大学
  • 1篇常熟理工学院
  • 1篇北京大学
  • 1篇淮阴师范学院
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇江苏省天一中...
  • 1篇高等教育出版...

作者

  • 106篇吴小山
  • 21篇谭伟石
  • 17篇蒋树声
  • 14篇蔡宏灵
  • 12篇张凤鸣
  • 10篇胡安
  • 9篇杜军
  • 7篇鹿牧
  • 7篇罗广圣
  • 6篇贾全杰
  • 6篇吴忠华
  • 6篇顾艳妮
  • 6篇徐胜
  • 6篇翟宏如
  • 5篇陈景
  • 4篇徐金
  • 4篇符敏
  • 4篇沈波
  • 4篇解其云
  • 4篇张亚梅

传媒

  • 8篇核技术
  • 7篇物理学报
  • 3篇低温与超导
  • 3篇物理
  • 3篇发光学报
  • 3篇中国稀土学报
  • 3篇北京同步辐射...
  • 3篇常熟理工学院...
  • 2篇物理实验
  • 2篇稀土
  • 2篇材料导报
  • 2篇大学物理
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇中国有色金属...
  • 2篇江苏科技大学...
  • 2篇北京同步辐射...
  • 2篇第1届全国磁...
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇无机化学学报

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 13篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2007
  • 6篇2006
  • 6篇2005
共 112 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
铅基钙钛矿铁电晶体高临界转变温度的机器学习研究被引量：6
2019年
铁电材料由铁电相转化为顺电相的临界温度被称为居里温度,是铁电材料的一个关键指标.本文使用固溶体组成元素的基本物理性质等特征对不同组分和配比的铅基钙钛矿铁电固溶体进行了统一的描述,采用岭回归、支持向量回归、极端随机森林回归等机器学习方法对铅基钙钛矿铁电固溶体的居里温度进行了学习.使用交叉验证的方法对学习效果进行验证,得到上述机器学习方法对材料居里温度的预测值与实验值之间的平均误差分别为14.4,14.7,16.1 K,集成三种回归方法优化的模型在交叉验证中测得的平均误差为13.9 K.在此基础上对超过20万种铅基钙钛矿的居里温度进行了预测,给出了两种可能具有高居里温度的铁电材料.
杨自欣高章然孙晓帆蔡宏灵张凤鸣吴小山
关键词：铁电居里温度钙钛矿
硅太阳能电池铝背场P~＋层的模拟优化被引量：5
2012年
针对P型衬底硅太阳电池,以生产线上的实验结果为依据,通过数值计算,模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响。分析了铝背场P+层在不同掺杂浓度和深度下电性能的变化特征。结果表明对于生产线上的电池,P+层深度为5～7μm的电池片,最佳掺杂浓度为7×1018～9×1018cm-3,当掺杂浓度大于5×1019cm-3,P+层最佳深度将小于1μm。
单文光谢正芳吴小山张凤鸣
关键词：硅太阳能电池性能模拟
CdTe钝化介质膜的溅射沉积及其X射线光电子能谱研究被引量：1
2001年
用Ar+ 束溅射沉积技术实现了CdTe薄膜的低温沉积生长。用X射线光电子能谱 (XPS)分析技术对溅射沉积CdTe薄膜以及CdTe体晶中的Cd元素、Te元素化学环境进行了对比实验研究。实验表明 :溅射沉积CdTe薄膜具有很好的组份均匀性 ,未探测到有元素 (Cd、Te)沉积存在。
周咏东李言谨吴小山徐国森方家熊汤定元
关键词：CDTE离子束溅射沉积X射线光电子能谱
稀土Gd_5Ge_2(Si_(2-x)Al_x)合金系的晶体结构和磁卡效应研究被引量：3
2003年
用磁控电弧炉在氩气气氛下熔炼了Gd5Ge2(Si2-xAlx)(x=0,0.1,0.2,0.5,1.0)系样品。X射线粉末衍射分析表明,样品基本为单相结构,其晶体对称性不会随Al含量的增加而改变。用振动样品磁强计测量了样品的M T曲线和不同温度下的M H曲线。居里温度随Al含量x的增加略有减小,当x=0.2时Gd5Ge2(Si2-xAlx)有最大-ΔSM值。退火对样品的居里温度和磁卡效应影响不大,退火前后的居里温度和磁卡效应基本保持一致。
黄军平罗广圣唐少龙吴小山
关键词：磁热效应磁熵变晶体结构居里温度
低温生长的Ge／Si超晶格界面结构的X射线散射研究
2002年
低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。
吴小山谭伟石蒋树声吴忠华丁永凡曾鸿祥
关键词：X射线粗糙度光电特性
AlGaN/GaN异质结构的掠入射同步辐射衍射研究
＜正＞GaN 是一种宽禁带的直接跃迁型半导体兰色发光与激光材料,基于 AlGaN/GaN 异质结构的场效应晶体管（HFETs）在大功率短波长耐高温电子器件方面的研究得到飞速发展。AlGaN 和 GaN 两种材料之间的晶格...
谭伟石沙昊杨立蔡宏灵吴小山蒋树声郑文莉贾全杰姜晓明
文献传递
绝缘氧化物界面微结构及其对物理性能的影响
在绝缘氧化物异质结构中,当只考虑1个纳米左右的界面层时出现了非常丰富的物理性能,如导电性、磁性、超导电性、二维电子气、巨铁电性、巨介电性、巨离子迁移特性等,这些性能远超出绝缘体本身性能的理解,而且其特性甚至优于通常材料,...
吴小山
文献传递
Ca掺杂的GdBaCo_2O_(5+δ)的制备和物性研究
2011年
采用固相反应法制备了Gd1-xCaxBaCo2O5+δ(x=0、0.1、0.2)层状钙钛矿钴氧化物,通过XRD、SEM、TG和四线法研究了材料的制备和物理性能。结果表明,Ca掺杂的样品主相具有母相GdBaCo2O5+δ的晶体结构,还存在杂相BaCoO2.6;晶胞参数和体积随Ca掺杂量的增加而减小。从室温到1000K,所有样品都经历了金属绝缘体转变和结构相变,Ca掺杂样品的电导率得到大大提高,约为母相的2倍。
张亚梅吴小山刘家欢
关键词：固相反应法电导率
Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究
2001年
通过介质膜 Zn S、Cd Te薄膜材料的 Ar+ 束溅射沉积研究 ,结合 Hg Cd Te器件工艺 ,成功制备了以 Zn S、Cd Te双层介质膜为绝缘层的 Hg Cd Te MIS器件 ;通过对器件的 C- V特性实验分析 ,获得了 Cd Te/ Hg Cd Te界面电学特性参数 .实验表明 :溅射沉积介质膜 Cd Te+Zn S对 Hg Cd Te的表面钝化已经可以满足 Hg Cd
周咏东方家熊李言谨龚海梅吴小山靳秀芳汤定元
关键词：HGCDTE红外焦平面MIS器件碲化镉
钙钛矿氧八面体链接方式调控及对物理性能对影响
吴小山
全选 清除 导出
共11页<12345678910>
聚类工具0