吴锋
- 作品数：98 被引量：45H指数：4
- 供职机构：同济大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学化学工程更多>>
- 非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法
- 一种非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法，所述的非化学计量比镁铝尖晶石单晶体的结构式为MgO·(Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)<Sub> n</Sub>，其中n＝1.3，1.5，2.0，2.3，...
- 吴锋夏长泰徐军裴广庆张俊刚吴永庆
- 文献传递
- 一种铝镁酸钪纳米粉体及其制备方法
- 本发明涉及一种铝镁酸钪纳米粉体及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1：分别配制钪盐溶液、铝盐溶液、镁盐溶液并按化学式ScAlMgO<Sub>4</Sub>配比均匀混合；S2：利用铵盐溶液或氨水调节S1中均匀混合后的溶...
- 张超逸唐慧丽徐军王庆国罗平吴锋张晨波
- 一种提高氧化镓晶体快衰减高光输出闪烁性能的方法
- 本发明涉及一种提高氧化镓晶体快衰减高光输出闪烁性能的方法，通过掺杂M离子调节β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>晶体的光学带隙和缺陷能级，达到抑制慢成份，增强快衰减发光的目的，其中，M离子为Ge<S...
- 唐慧丽刘波徐军罗平王庆国吴锋
- ScAlMgO_4晶体的生长缺陷被引量：1
- 2008年
- 采用提拉法生长出φ30 mm×55 mm的ScAlMgO4晶体。在晶体生长过程中有轻微的挥发,粉末X射线衍射分析表明:挥发物质为MgO单相。运用扫描电镜、光学显微镜以及高分辨X射线衍射仪对晶体中的包裹物、开裂、生长条纹和小角晶界缺陷进行了研究。结果表明:温度梯度和热应力是形成晶体中缺陷的主要原因。通过合理设计温场,控制固-液界面的形状及冷却过程的降温速率,可以提高晶体的完整性。
- 唐慧丽董永军徐军吴锋
- 关键词：提拉法晶体缺陷
- 一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用
- 本发明涉及一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用，所述高阻氧化镓晶体的分子式为β‑(Ga<Sub>1‑x</Sub>Al<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中x的取值范围为0.0...
- 唐慧丽李志伟刘波徐军罗平吴锋王庆国张超逸
- 光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究被引量：4
- 2016年
- 采用光学浮区法生长了尺寸8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga_2O_3单晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga_2O_3单晶仍属于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×10~4/cm^2。光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga_2O_3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光。电学性能测试得出,Ge∶β-Ga_2O_3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga_2O_3单晶的电学性能的确有改善。
- 吴庆辉唐慧丽苏良碧罗平钱小波吴锋徐军
- 关键词：晶体生长电导率
- 掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法
- 一种掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法，该掺镱正铌酸钙激光晶体的化学式为Yb<Sub>x</Sub>Ca<Sub>(1－2x/3)</Sub>Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>，其中x的取值范围是：0....
- 程艳徐晓东徐军姚罡杨新波吴锋
- 文献传递
- GaN和ZnO基外延薄膜用新型晶格匹配铝镁酸钪(ScAlMgO4)单晶衬底的制备及性能研究
- 由于目前使用的多种村底材料均存在晶格失配大,以及物化性能差、加工困难和价格昂贵等问题,亟需发展与 GaN 和 ZnO 基薄膜晶格匹配,而且结构和化学兼容性好,物化性能稳定和价格便宜的新型衬底来支撑高性能半导体器件的发展。
- 董永军唐慧丽吴锋周国清徐军
- 文献传递
- 钛宝石晶体的泡生法生长和闪烁发光性能被引量：1
- 2021年
- 采用泡生法生长了115 kg级大尺寸钛宝石(Ti∶Al_(2)O_(3))晶体,晶体外形完整无开裂,制备了口径达ϕ300 mm的高质量大口径钛宝石单晶样品。在X射线和α粒子激发下测试了晶体的闪烁发光性能。结果表明,Ti∶Al_(2)O_(3)晶体的闪烁发光包含近红外和近紫外发光。近红外发光来源于Ti^(3+)特征发射,效率较高,衰减时间慢。近紫外发光来源于Ti局域激子发光和F^(+)心发光,具有较快的衰减时间,其光输出与掺杂导致的自吸收有关。α粒子激发下,光产额达到1130.5 pe/MeV,其中快成分光产额为29.6 pe/MeV。
- 王庆国刘波罗平唐慧丽吴锋康森段金柱王勤峰徐军
- 关键词：钛宝石单晶生长泡生法
- 光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能被引量：4
- 2017年
- 采用光学浮区法生长了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga_2O_3:In单晶的吸收光谱和电学性能。结果表明:与纯β-Ga_2O_3单晶相比,β-Ga_2O_3:In单晶在红外波段存在明显吸收。β-Ga_2O_3:In单晶的电导率在10^(–2)量级,Holl载流子浓度可以达到6×10^(19)/cm^2,说明掺杂In^(3+)对β-Ga_2O_3单晶的电学性能有明显改善。
- 吴庆辉唐慧丽苏良碧罗平钱小波吴锋徐军
- 关键词：晶体生长浮区法
