周天明
- 作品数：20 被引量：50H指数：4
- 供职机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质被引量：4
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg\Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si\O)后体系FM态稳定性和TC较GaN:Mn降低.
- 邢海英范广涵周天明
- 关键词：磁学性质
- 扫描电镜用于人工蛋白石模板中填充InP的形貌研究
- 2005年
- 扫描电子显微镜是对人工欧泊光子晶体进行形貌观察、研究的重要手段。本文利用扫描电子显微镜对人工欧泊晶体及其填充InP后的形貌进行了分析。结果发现,二氧化硅微球短程有序而在较大的区域则出现台阶、空位和失配等缺陷;在选定生长条件下,InP在SiO2 球空隙间具有较高的填充率和较好的结晶质量。此项研究为制备三维InP光子晶体提供了科学依据。
- 谭春华范广涵许静李述体周天明龙永福孙慧卿
- 关键词：形貌二氧化硅微球蛋白石失配短程
- GaN衬底生长GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片
- 采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片进行了研究.通过优化生长条件,在GaN上生长出了单晶GaP薄膜,其(111)面X射线衍射半高宽为408弧秒.对p型GaP的掺杂...
- 李述体周天明范广涵章勇郑树文苏军曹健兴周昕妹
- 关键词：半导体照明LED外延片MOCVDX射线衍射
- 文献传递
- 生长模式控制对MOCVD生长GaN性能的影响被引量：3
- 2005年
- 采用MOCVD以A l2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征.研究表明,GaN的生长模式对其电学性能和结晶性能影响很大.在高温GaN生长初期,适当延长GaN的三维生长时间,能明显改善GaN薄膜的结晶性能,降低薄膜的缺陷密度和本底载流子浓度,使GaN质量明显提高.
- 李述体范广涵周天明孙慧卿郑树文郭志友
- 关键词：半导体GANMOCVDX射线双晶衍射
- MOCVD生长蓝光LED外延片研究
- 采用MOCVD生长技术以Al<,2>O<,3>为衬底对GaN基材料及蓝光LED外延片生长进行了研究。用霍尔测量技术、光致发光技术、X射线衍射及原子力显微镜测量了GaN基材料的电学性能、光学性能、结晶性能以及表面形貌。生长...
- 李述体范广涵周天明何苗章勇孙慧卿郭志友郑树文
- 关键词：半导体材料蓝光LEDMOCVD
- 文献传递
- P型InGaN/GaN超晶格的光学和电学性质研究
- 本文应用MOCVD系统,通过霍尔、电化学C-V、XRD、PL等测量手段,详细的研究了P型InGaN/GaN超晶格中阱和垒的掺镁量与载流子浓度关系,并优化出最佳的掺镁量。同时还比较了阱不掺镁而垒掺镁的样品与阱和垒都掺镁的样...
- 尹以安李述体梅霆范广涵周天明
- 文献传递
- 垒层Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响被引量：1
- 2005年
- 低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si 量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度增强了13倍。
- 谭春华范广涵周天明李述体黄琨雷勇
- 关键词：MOCVD光荧光
- 退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度的影响被引量：1
- 2004年
- 采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.相关研究表明退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5 6×1018cm-3增大到6 5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6 0×1017cm-3增大到1 1×1018cm-3.这可能是由于退火破坏了Mg-H复合体,恢复了Mg受主的活性导致的.
- 李述体范广涵周天明孙慧卿王浩郑树文郭志友
- 关键词：砷化镓载流子浓度退火
- Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性
- 2005年
- 低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级。
- 谭春华范广涵李述体周天明黄琨雷勇
- 关键词：光电子学X射线双晶衍射金属有机化学气相沉积光荧光
- 入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响被引量：2
- 2007年
- 利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析。计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式。分析了从空气和Al_(0.4)Ga_(0.5)In_(0.1)N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异。为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构。分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势。
- 郑树文范广涵李述体周天明
- 关键词：光电子学布拉格反射器传输矩阵法
